アクティブクランプ型MOSFET
誘導性負荷の駆動に最適。フリーホイールダイオードを削減可能!
ゲート・ドレイン間にアクティブクランプ用ツェナーダイオードを内蔵しており、アクティブクランプ動作によりモーターやソレノイドドライブ時の逆起電力からMOSFETを保護します。このことにより、逆起電力の回生用フリーホイールダイオードが不要となります。 また、バイアス抵抗も内蔵しており周辺部品の削減に貢献します。
- 企業:イサハヤ電子株式会社
- 価格:応相談
1~1 件を表示 / 全 1 件
誘導性負荷の駆動に最適。フリーホイールダイオードを削減可能!
ゲート・ドレイン間にアクティブクランプ用ツェナーダイオードを内蔵しており、アクティブクランプ動作によりモーターやソレノイドドライブ時の逆起電力からMOSFETを保護します。このことにより、逆起電力の回生用フリーホイールダイオードが不要となります。 また、バイアス抵抗も内蔵しており周辺部品の削減に貢献します。