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超低消費電力！単独またはインフィニオンのモーター制御GUIと連動して動作可能
『EVAL_IMD700A_FOC_3SH』は、コンフィギュラブル(構成可能)ゲート ドライバー、オンボード電源、保護機能を備えた製品です。 センサーレスFOC制御により最大300Wのモーター駆動が可能。 また、優れた放熱性により、高価なヒートシンクが不要で、 コンパクトなソリューションとなっております。 【特長】 ■MOTIX IMD701Aを用いた完全集積型BLDCモータードライブソリューション ■コンフィギュラブルゲートドライブ、オンボード電源、保護機能 ■XMC1404とMOTIX6EDL7141を1パッケージ化 ■単独またはインフィニオンのモーター制御GUIと連動して動作可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクト且つ設計が容易！40Vの絶対最大出力電源電圧のゲートドライバファミリ
『EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)』は、ミラークランプ機能を搭載する オプションもあるゲートドライバファミリです。 コンパクト且つ設計が容易。 以前発売されたゲートドライバファミリには、DSO-8 150ミルナローボディ パッケージが加わりました。 【特長】 ■IGBT(IGBT7含む)、SiC、Si、MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブミラークランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
短絡保護機能付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバ ファミリーのご紹介
『EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)』は、絶縁型ゲート短絡保護(DESAT)、 ソフトターンオフ、アクティブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます。 【特長】 ■最大耐圧2300VのIGBT、SiCおよびSi MOSFETに使用可能 ■+6 A / -8.5 Aの代表的なシンクおよびソースピーク出力電流 ■フォールト出力による高精度VCEsat検出(DESAT) ■非飽和検出後のソフトターン オフ ■アクティブ ミラー クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速スイッチオフ/オンが可能！車載用12V/24Vスマートアナログハイサイド
『2ED2410-EM』は、ロジックピンによる2出力制御や、統合された I-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネルMOSFET ゲートドライバーです。 新しい自動車電源アーキテクチャ向けに設計。 また、昇圧コンバータを内蔵しているため、電源電圧が3Vまで 低下した場合でも外付けMOSFETを連続的にオンさせ、 動作させることが可能です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力で、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス ■端子によるチャンネル制御/診断 ■外部温度測定用アナログインターフェイス ■ゲート低電圧ロックアウト(UVLO) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われる電子回路です！
『ゲートドライバIC』(ゲート駆動回路)は、MOSFETやIGBT、SiCデバイス などの駆動制御を行う電子回路です。 MOSFETやIGBTのゲート電圧を制御することで、オン・オフの切り替えが可能。 パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われます。 MOSFETやIGBTで高電圧／大電流のスイッチングを行なう場合、低損失かつ 高速動作をさせるためには論理信号の入力だけでは不十分なので、 補完するために当製品が必要となります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Microchip MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Infineon MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Allegro Microsystems MOSFETゲートドライバ 28-Pin ■onsemi MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Skyworks Solutions Inc MOSFETゲートドライバ 8-Pin ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
バックトゥバックMOSFETトポロジー(ドレイン共通、ソース共通)対応！
「EiceDRIVER APD 2ED2410-EM」は、ロジックピンによる2出力制御や、 統合されたI-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネル MOSFETゲートドライバーであり、新しい自動車電源アーキテクチャ向けに 設計されています。 昇圧コンバータの効率により、アイドル時や通常時の消費電流は μAオーダーとなり、駐車中(キーオフモード)に負荷を供給する 必要がある場合に有用です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力(3Ωプルダウン、50Ωプルアップ) により、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス (外部でゲイン調整可能) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型パッケージ！4種類の駆動能力、スプリアススイッチングに対する耐性
「EiceDRIVER 1EDN71x6U」は、インフィニオンCoolGaNショットキーゲート (SG)HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された 1チャネルゲートドライバーICです。 このゲートドライバーファミリーは、Truly differential logic input(TDI)、 4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧 クランプなど、高速スイッチングトランジスタを用いた高性能システム設計を 可能にするいくつかの主要な機能を備えています。 【特長】 ■Truly differential input (TDI) ■4レベルの駆動能力オプション ■アクティブ ミラークランプ ■ブートストラップ電圧クランピング ■GaNに最適化された超低インダクタンスフリップチップパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
クロスオーバー電流が非常に低く、低温で動作！消費電力が少なく、駆動が簡単
『MIC4451/4452 ゲートドライバ』は、12A出力が可能で3つ以上の ディスクリートコンポーネントを置き換えることができる製品です。 PCB面積要件が削減され、製品設計が簡素化され、組み立てコストが削減。 「MIC4451」は、反転ドライバで「MIC4452」は、非反転ドライバです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■BiCMOS/DMOS構造 ■ロジック1入力で低消費電流450µA ■低出力インピーダンス：1.0Ω ■出力電圧スイングはGNDまたは電源電圧から25mV以内 ■低い等価入力容量：7pF(標準値) ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
包括的な保護機能および診断機能！デバイスの状態をアクティブに監視し、システムを損傷から保護
『MOTIX TLE9140EQW』は、8Vから72V電源のさまざまなアプリケーションを 対象とした3相モーターゲートドライバーです。 内蔵のアダプティブMOSFET制御機能は、EME(電磁放射)の改善と電力損失の 低減に役立つだけでなく、アプリケーションに必要な外部部品数を低減できます。 また、最大ジャンクション温度175℃で、厳しいミッションプロファイルにも 対応可能です。 【特長】 ■高耐圧/最大110V ■ゲート駆動能力：～230nC/MOSFET最大20kHz ■ゲートドライバーに内蔵されたアダプティブMOSFET制御機能 ■VSM OV中はアクティブLSフリーホイール状態 ■包括的な保護および診断機能 ■小型パッケージTS-DSO-32(8.65×3.9mm2) ■車載グレード0デバイスおよびASIL B準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電源管理ユニット(PMU)、電流センスアンプ(CSA)、過電流保護(ITRIP)搭載！
『MOTIX 6ED2742S01Q』は、三相BLDCモーター駆動アプリケーション 向けに設計された160V SOIを使用したゲートドライバーです。 内蔵ブートストラップダイオードで3つの外部ハイサイドブートストラップ コンデンサーに電源供給し、トリクルチャージポンプで100％のデューティ サイクル動作をサポートします。 保護機能には、低電圧保護、閾値設定可能な過電流保護、フォールト通信、 自動フォールトクリアを備えています。 【特長】 ■広い入力電圧範囲：6V～140V ■駆動電流：Io＋/Io-1A/2A(最大-Typ.) ■電源管理ユニット(PMU)を内蔵 ■広い入力VIN範囲を可能にするリニア プリ レギュレータ ■内蔵充電ポンプにより安定したVCCが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
超高速、低抵抗ブートストラップダイオード内蔵！100Vの負のVS過渡電圧耐量
『高速ハーフブリッジ ゲートドライバー』は、DSO-8パッケージを採用し、 ソース電流は0.29A(typical)、シンク電流は0.7A(typical)です。 ブートストラップダイオード内蔵し、省スペース、BOMコストの削減、 よりシンプルな設計による低コストでのPCB小型化。 また、VSピンの負の過渡電圧耐性ノイズ耐性に優れます。 レベルシフト損失を50％低減します。 【主な特長】 ■最大動作電圧(VSノード) ＋650V ■100Vの負のVS過渡電圧耐量 ■超高速、低抵抗ブートストラップダイオード内蔵 ■伝播遅延90ns ■最大電源電圧25V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
200VハイサイドTDIゲートドライバー(GaN SG HEMT、MOSFET用) ！
当社の「EiceDRIVER 1EDN71×6G」をご紹介いたします。 高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる、 重要な機能がいくつか搭載されています。 これらの機能には、Truly Dif-ferential Input(TDI)、4つの駆動強度オプション、 アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプ、調整可能な チャージポンプなどがあります。 【特長】 ■Truly differential logic input(TDI) ■4つの駆動力 ■アクティブ ミラー クランプ ■オプションの負の充電ポンプ ■アクティブ ブートストラップ クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
