複合ウェーハ
SiCOI、SOI、LTOI、LNOI、
SiCOI(Silicon Carbide On Insulator)は、絶縁層(主にSiO₂)上に炭化ケイ素(SiC)単結晶薄膜を形成した先進的な半導体基板です。 SOI(Silicon On Insulator)技術をSiCに応用した構造であり、次世代パワーデバイスおよび高周波デバイス向け材料として注目されています。
- 企業:株式会社豊港 先端材料事業部
- 価格:応相談
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SiCOI、SOI、LTOI、LNOI、
SiCOI(Silicon Carbide On Insulator)は、絶縁層(主にSiO₂)上に炭化ケイ素(SiC)単結晶薄膜を形成した先進的な半導体基板です。 SOI(Silicon On Insulator)技術をSiCに応用した構造であり、次世代パワーデバイスおよび高周波デバイス向け材料として注目されています。
個別ニーズに最適化したシリコンウェーハをご提供!
当社は、反早退材料のソリューションプロバイダーとして、お客様の 個別ニーズに最適化したシリコンウェーハをを提供しております。 主な製品として、高度な結晶成長技術を用いた12インチ以下のポリッシュド ウェーハや、単層・多層・超厚膜成膜が可能なエピタキシャルウェーハが ございます。 また、パワー半導体向けのSOIウェーハ、電源や光通信ユニットに応用 される高品質なGaNエピタキシャルウェーハも展開しております。 【特長】 ■垂直統合された高度な技術力 ■多様なニーズに応える幅広いラインアップ ■お客様本位の高度なカスタマイズ支援 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
半導体材料として幅広い分野で使用されています!
株式会社新陽の主要製品である『シリコン(Silicon)』のご紹介です。 Φ2インチ~Φ6インチまでのパワーデバイス用プライムウェハーの 製造を中心に、構造用部品材料としてΦ450mmまでの単結晶大口径シリコン インゴット・プレートの供給と加工も行っております。 パーツはスライス、ラッピング、エッチング、ポリッシングから マシニング加工、微細加工まで各種精密加工承ります。 【特長】 ■資源が豊富 ■高純度化し易く硬くて丈夫 ■安定した酸化膜が形成でき、高集積化し易い ■結晶を大型化し易い ■半導体材料として幅広い分野で使用されている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。