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複合ウェーハ

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最終更新日:2026年04月20日

株式会社豊港 先端材料事業部
株式会社豊港 先端材料事業部
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SiCOI、SOI、LTOI、LNOI、

SiCOI(Silicon Carbide On Insulator)は、絶縁層(主にSiO₂)上に炭化ケイ素(SiC)単結晶薄膜を形成した先進的な半導体基板です。 SOI(Silicon On Insulator)技術をSiCに応用した構造であり、次世代パワーデバイスおよび高周波デバイス向け材料として注目されています。

    ウエハー
N型SiC複合ウェーハ.jpg

複合ウェーハ

N型SiC複合ウェーハ.jpg
N型SiC複合ウェーハ.jpg
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基本情報

基板サイズ:4インチ / 6インチ SiC層厚:数百 nm ~ 数 µm BOX層:SiO₂(数百 nm ~ 数 µm) ハンドルウェハ:Si または SiC 表面仕上げ:CMP(鏡面研磨) 結晶方位:4H-SiC

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用途/実績例

パワー半導体 高周波(RF)デバイス 車載電子機器 非線形光学デバイス 次世代通信

企業情報

株式会社豊港

株式会社豊港 先端材料事業部

電子部品・半導体

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電話番号・住所

株式会社豊港は2011年に設立、豊港化学の半導体事業が、2015年から始まりました。 生成AIを発展進んでいながら、パソコン、スマートフォン、タブレット端末はもちろん、自動車、家電に至るまで、IT・エレクトロ二クス技術の進歩により、私たちの生活は飛躍的に便利になってきました。電子材料及び電池材料では、これらエレクトロ二クス業界向けに、当社がシリコンウェハの加工を生かしたユニークで高付加価値の製品を提供しています。日本のものづくりの応援を中心して、モノの製造とものの販売のネットワークを構築しながら、2022年から事業拡大による収益の最大化を図るため、製造事業と商社事業を分社化しました。 事業の特色: アジアと北米地域を中心に展開している製造・加工・販売ネットワーク 地域活性化: 「半導体材料と電池材料」という特化した専門分野で、地方経済の活性化にも貢献いたします。日本国内の各地に足を運び、良いパートナーシップを結べる地元企業を積極的に募集しています。そして長年の経験や専門知識を蓄積しており、長期間にわたって検証された商品のみを厳選して、地方及び大学、研究所のユーザー様に提供しております。

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