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優れた光学特性およびマイクロ波特性を有し、光アイソレータ、磁気共鳴フィルタ等に用いられる磁気光学材料 ＦＺ法による高純度ＹＩＧ単結晶 用途・要求特性に応じた特殊ドープ対応可能
合成石英管 合成石英棒 合成石英インゴット フォトマスク用石英基板 石英ウェーハ
CVDダイヤモンド基板（Chemical Vapor Depositionダイヤモンド基板）は、化学気相成長（CVD）法を用いて製造されるダイヤモンドの薄膜を基板として使用する材料です。 CVD法では、ダイヤモンドをガス状態の炭素源（通常はメタン）を使用して化学反応によって基板上に成長させます。 このプロセスにより、高品質のダイヤモンド薄膜を作り出すことができます。
窒化アルミニウム（AlN）単結晶基板は、高い熱伝導率、優れた電気絶縁性、低誘電損失、耐熱性を備えた次世代の電子材料です。 特に、パワーエレクトロニクス、高周波デバイス、UV-LED、深紫外（DUV）光源、半導体パッケージなどの用途に適しています。
LiTaO3（タンタル酸リチウム）は、光学、電子工学、音響分野で広く利用される人工単結晶材料です。 特に、非線形光学特性や圧電特性に優れ、さまざまな先端技術の基盤素材として注目されています。 ニオブ酸リチウム（LiNbO₃）と類似した物性を持ちながら、熱的・機械的安定性において優れた性能を発揮するため、より過酷な環境や高精度が求められる用途において代替材料として活用されています。
LiNbO3（ニオブ酸リチウム）は、光学、電子工学、音響分野において幅広く活用される多機能な人工単結晶材料です。 その特長的な非線形光学特性、圧電特性、電気光学特性、さらに強誘電性により、次世代の光通信技術や高性能デバイスの基盤素材として高く評価されています。
SiCOI（Silicon Carbide On Insulator）は、絶縁層（主にSiO₂）上に炭化ケイ素（SiC）単結晶薄膜を形成した先進的な半導体基板です。 SOI（Silicon On Insulator）技術をSiCに応用した構造であり、次世代パワーデバイスおよび高周波デバイス向け材料として注目されています。
我々はすべて99.999%の高純度単結晶al2O3や光学グレードのサファイア材料を使います。当社は、表面粗さが非常に低いEpi-readyサファイアウェーハを製造可能になります。良好な透過率と優れた光学性能を持つサファイアウィンドウを提供することができます。また、パターン付きサファイア基板とサファイアインゴットも提供できます。
CZ法（チョクラルスキー法）と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。 主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使われ、極めて重要な消耗材料です。弊社がお客様の要求に応じて、各種のサイズと抵抗率のシリコンインゴット製品を提供できます。
機械加工業界におけるダイヤモンド工具の開発・発展により、AlSiCハウジングはさまざまな複雑な形状のハウジングに機械加工できるようになりました。 AlSiCハウジングは、優れた熱力学的および機械的特性、軽量、優れた気密性により、熱を保持することに優れた包装材料として使用されています。
AlSiC基板は優れた熱力学的および機械的特性により、高出力 IGBT モジュールを搭載している設備などに幅広く応用されています。
両面冷却技術は、近年のパワーモジュール製品向けの新しい構造技術であり、デバイスの寄生インダクタンスと寄生抵抗を効果的に低減し、デバイスの電力密度と信頼性を効果的に向上させます。 本製品は両面冷却装置などに欠かせない主材料として、主に「熱伝導」「電気伝導」「支持」の役割を果たします。
発光ダイオード（LED）はガリウム窒化物（GaN）から高性能の白いソリッド ステート照明の認識に導いた製造した。
窒化ガリウム（GaN）は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
高品質(少ない結晶欠陥) パワーLSI用、高輝度LED用、高性能レーザー用に注目されています。
高品質な単結晶・多結晶シリコンインゴットをはじめ、半導体製造装置向けの最先端のパーツ加工品を供給していま す。
ポリシリコンはシリコン結晶の集合体です
スピネル、コージェライト
ダミーウェーハとは、テストウェーハとも呼ばれ、製品ウェーハと異なり、主に機器の実験や検査に用いられるウェーハのことです。製造装置の稼働テスト、搬送テストやメカニカル評価（切る、削る、磨く等）などに幅広く使用されます。
特殊加工品 各種製造装置の高純度材料パーツなどとして、お客様のご要望に応じた多様な形状加工と表面処理を行い、製品をご提供しております。
製品説明 CZ法（チョクラルスキー法）と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。 主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使われ、極めて重要な消耗材料です。弊社がお客様の要求に応じて、各種のサイズと抵抗率のシリコンインゴット製品を提供できます。
シリコンウェハー（英: silicon wafer) は、高純度な珪素（シリコン）のウェハーである。シリコンウェハーは、珪素のインゴットを厚さ1 mm程度に切断して作られる。 シリコンウェハーは集積回路 （IC、またはLSI）の製造に最も多く使用される。このウェーハにアクセプターやドナーとなる不純物導入や絶縁膜形成、配線形成をすることにより半導体素子を形成することができる。
昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、単結晶SiCウェーハとなります。
SiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）は、ケイ素（シリコン、Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体です。SiCはセラミックスの一種であり、非常に優れた機械的特性、化学的安定性、耐熱性などの特徴から、従来は研磨剤などに多く用いられてきました。しかし近年では結晶成長の技術が高まり、Siなどの従来の半導体と比較して効率よく電力を交換でき、さらに発生する熱量も少ないため、シリコンに代わるパワー半導体材料として急速に需要が高まっています。またSiCは六方晶や立方晶など様々な結晶性があるため、SiCウェハにも多くの種類があり、用途によって使い分けられます。
