1～4 件を表示 ／ 全 4 件
使いやすい電源ボード、2つの絶縁された電源！プラグ＆プレイで使用可能
『EVAL-PSIR2085』は、EVAL-1ED3122MX12HなどのEiceDRIVER 絶縁型ゲートドライバ評価ボードに電源を供給するために 開発された標準の電源ボードです。 MOSFET IGBT SiC MOSFETなどのパワー半導体が搭載されている 様々なEiceDRIVER絶縁型ゲートドライバ評価ボードに対応します。 【特長】 ■2つの絶縁された電源 ■ゲートドライバの一次側用電源として、VCC1 (3.3 V)、GND ■ハイサイド ゲートドライバの二次側用電源として、 VCC2_HS、GND_HS、VEE2_HS ■ローサイド ゲートドライバの二次側用電源として、 VCC2_LS、GND_LS、VEE2_LS ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
要求するトポロジーやスイッチに応じて選べる３種類のボードオプションをラインアップ！
フルブリッジ トランス ドライバー評価ボードは、設計エンジニアがフルブリッジトランスドライバICの2EP1xxRを評価するのにお使いいただける製品です。 評価ボードには３種類のバリエーションがあり、MOSFETとIGBT用にデュアル出力ピーク整流と調整可能な出力電圧を備えた、2EP130Rトランスドライバー評価ボードやSiC MOSFET用にデュアル出力ピーク整流を備えた、2EP130Rトランスドライバー評価ボードをラインアップしております。 【特長】 ■フルブリッジ トランスドライバーIC 2EP130Rの評価が容易 ■２個のゲートドライバーIC用絶縁電源 ■広い入力電源範囲 (VVDD): 5 V～20 V ■内部オシレーターまたは外部パルス幅変調 (PWM) を使用した50～695 kHzの広い動作範囲 ※詳細はPDFをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。
部品コスト低減、PCB小型化！レベルシフト損失を50％低減、優れた堅牢性とノイズ耐性
当社で取り扱う「ハイ/ローサイドゲートドライバー評価ボード 650V/0.7A」 について、ご紹介いたします。 ハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC2ED2106S06Fと2つのMOSFET、 IPD60R360P7が搭載。 インフィニオンシリコンオンインシュレータ(SOI)ゲートドライバーの 基本機能を評価し、その特長を明らかにできるよう設計されています。 【特長】 ■最大で＋650Vの動作電圧(VSノード) ■インフィニオンのSOIテクノロジーを使用 ■負のVS過渡耐性100V ■低抵抗ブートストラップダイオード内蔵 ■ブートストラップ動作用に設計 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高電流パワーデバイスに好適！高周波アプリケーション向け
当社で取り扱う「ハーフブリッジゲートドライバー評価ボード 650V/2.5A」 について、ご紹介いたします。 ハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC2ED2184S06Fと2つのMOSFET、 IPD60R360P7が搭載。 インフィニオンシリコンオンインシュレータ(SOI)ゲートドライバーの 基本機能を評価し、その特長を明らかにできるよう設計されています。 【特長】 ■最大で＋650Vの動作電圧(VSノード) ■インフィニオンのSOIテクノロジーを使用 ■負のVS過渡耐性100V ■シュートスルー保護(STP)内蔵 ■低抵抗ブートストラップダイオード内蔵 ■ブートストラップ動作用に設計 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
