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EVAL-2ED21814-ブートストラップダイオード内蔵ハーフブリッジゲートドライバー2ED21814S06F用評価ボード

最終更新日:2025年02月04日

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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高電流パワーデバイスに好適!高周波アプリケーション向け

当社で取り扱う「ハーフブリッジゲートドライバー評価ボード 650V/2.5A」 について、ご紹介いたします。 ハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC2ED2184S06Fと2つのMOSFET、 IPD60R360P7が搭載。 インフィニオンシリコンオンインシュレータ(SOI)ゲートドライバーの 基本機能を評価し、その特長を明らかにできるよう設計されています。 【特長】 ■最大で+650Vの動作電圧(VSノード) ■インフィニオンのSOIテクノロジーを使用 ■負のVS過渡耐性100V ■シュートスルー保護(STP)内蔵 ■低抵抗ブートストラップダイオード内蔵 ■ブートストラップ動作用に設計 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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ハーフブリッジゲートドライバー評価ボード 650V/2.5A

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基本情報

【その他の特長】 ■最大電源電圧25V ■低電圧ロックアウト(UVLO) ■200nsの伝播遅延 ■VSピンにおいて-11Vまでロジック回路動作可能 ■入力において-5Vの負電圧を許容 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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【対象アプリケーション】 ■モーター制御 ■スイッチドモード電源(SMPS) ■家電製品 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。

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