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半導体のPN接合を利用！電流の増幅やスイッチング、交流電流から直流電流への変換などに使用
『バイポーラトランジスタ』は、半導体をNPN、または PNPと交互に 接合した素子です。 エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれる3つの端子で構成され、 ベース-エミッタ間に微弱な電流を流すとコレクタ-エミッタ間に 数十倍から数百倍の電流が流れます。 主に電圧・信号増幅やスイッチング制御などに用いられる製品です。 【ラインアップ(抜粋)】 ■onsemi トランジスタ KSC1815YTA ■Toshiba トランジスタ 2SC2712-Y(F) ■STMicroelectronics トランジスタ TIP31C ■ローム 抵抗内蔵トランジスタ DTC114EKAT146 ■Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ RN1102(TE85L,F) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ｐｎ判定を含む拡散層の構造を明瞭に観察可能
市販LSI内のNPNバイポーラトランジスタについて全景からエミッタ部の拡大まで詳細に観察が可能です。 エミッタ電極の中心を通る断面を露出させ、AFM観察、SCM測定を行った事例です。 AFM像と重ねることで、配線との位置関係がはっきりします。
2SA, 2SB, 2SC, 2SDをはじめ国内メーカーのセカンドソース品多数
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等の互換品ございます。 お気軽にお問い合わせください。 【トランジスタのラインアップ】 ■バイポーラトランジスタ ■パワートランジスタ ■ダーリントントランジスタ ■デュアルトランジスタ ■デジタルトランジスタ ■デュアルデジタルトランジスタ 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品お探しいたします、お気軽にお問合せください。
『無料サンプル』進呈中！【PDFダウンロード】ボタンからお申し込み方法をご確認いただくか、関連リンクから直接お申し込みください。
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場規模は、2030年までに142億米ドルに達すると予想されており、予測期間中に6.3%のCAGRで市場成長が見込まれます。 2022年、市場は9,186万9,500台の数量に達し、22.9%（2019年～2022年）の成長を遂げました。 さらに、可変周波数ドライブ（VFD）の採用の増加も市場の重要な促進要因となっています。可変周波数ドライブまたはインバーターとしても知られるVFDは、さまざまな用途でモーター制御と速度調整にIGBTを利用します。したがって、可変周波数ドライブの採用の増加が市場の成長を推進しています。
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世界の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) の市場規模は、2033年にかけて7.71％のCAGRで推移し、155億6,000万の規模に成長すると予測されています。 COVID-19の流行は、半導体業界全体に大きな影響を及ぼしています。世界的なロックダウンはサプライチェーンの混乱を生み、半導体デバイスの生産に大きな影響を及ぼしました。同様にIGBTの生産も、部品の不足によって著しく妨げられました。 当レポートでは、世界の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) の市場を調査し、市場概要、市場影響因子および市場機会の分析、市場規模の推移・予測、各種区分・地域/主要国別の詳細分析、競合情勢、主要企業のプロファイルなどをまとめています。
ローム製トランジスタのセカンドソース品
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SB1182 (TO-252-2Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
2SA1225をはじめ東芝製トランジスタの代替品多数！
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SA1225 (TO-252-2Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
優れた熱伝導性で最大1700Vの負荷電圧！最大170mAの電流を制御することが可能
『CotoMOS S117X』は、優れた熱伝導性による高い放熱性能を備えており、 コンパクトかつ効率的な設計を可能にする製品です。 ターンオン時間0.15ms、ターンオフ時間0.04msという高速スイッチング性能 により、迅速な応答が求められるアプリケーションにも対応可能。 さらに、スイッチング損失の低減により高い動作効率を実現し、全体の エネルギー消費も削減されます。 【特長】 ■優れた熱伝導性 ■高速スイッチング：TON 0.15ms、TOFF 0.04ms ■最大 1700V の負荷電圧 ■低オン抵抗(15Ω typ.) ■低出力キャパシタンス：最大 20pF ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電気自動車の本場中国からAEC-Q101準拠のバイポーラトランジスタをご紹介
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJでは、汎用的なアプリケーションで使用されるトランジスタ・MOSFET・ダイオードなどに加え 近年ではAEC-Q101準拠品のラインナップの拡充にも力を入れています。 お気軽にお問い合わせください。 例 型番：AD-2SC1623（SOT-23） ＊AD-なしは民生品（AEC-Q101非準拠品）になります。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
製造中止品・販売終了品の代替品・セカンドソース品としてご活用ください。
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SA1012 (TO-252-2Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
ハイサイドMOSFETのゲート駆動、オーディオアンプに最適！
高耐圧・低出力容量となっており、ハイサイドMOSFETのゲート駆動、高い電源電圧のディスクリートアンプ など、オーディオ機器に最適です。 複合タイプは、隣接チップを搭載することで、hFE、VBEのペアリングを 保証、差動増幅回路やカレントミラー回路への適用が可能です。
