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半導体のPN接合を利用！電流の増幅やスイッチング、交流電流から直流電流への変換などに使用
『バイポーラトランジスタ』は、半導体をNPN、または PNPと交互に 接合した素子です。 エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれる3つの端子で構成され、 ベース-エミッタ間に微弱な電流を流すとコレクタ-エミッタ間に 数十倍から数百倍の電流が流れます。 主に電圧・信号増幅やスイッチング制御などに用いられる製品です。 【ラインアップ(抜粋)】 ■onsemi トランジスタ KSC1815YTA ■Toshiba トランジスタ 2SC2712-Y(F) ■STMicroelectronics トランジスタ TIP31C ■ローム 抵抗内蔵トランジスタ DTC114EKAT146 ■Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ RN1102(TE85L,F) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『無料サンプル』進呈中！【PDFダウンロード】ボタンからお申し込み方法をご確認いただくか、関連リンクから直接お申し込みください。
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場規模は、2030年までに142億米ドルに達すると予想されており、予測期間中に6.3%のCAGRで市場成長が見込まれます。 2022年、市場は9,186万9,500台の数量に達し、22.9%（2019年～2022年）の成長を遂げました。 さらに、可変周波数ドライブ（VFD）の採用の増加も市場の重要な促進要因となっています。可変周波数ドライブまたはインバーターとしても知られるVFDは、さまざまな用途でモーター制御と速度調整にIGBTを利用します。したがって、可変周波数ドライブの採用の増加が市場の成長を推進しています。
ローム製トランジスタのセカンドソース品
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SB1182 (TO-252-2Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
2SA1225をはじめ東芝製トランジスタの代替品多数！
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SA1225 (TO-252-2Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
優れた熱伝導性で最大1700Vの負荷電圧！最大170mAの電流を制御することが可能
『CotoMOS S117X』は、優れた熱伝導性による高い放熱性能を備えており、 コンパクトかつ効率的な設計を可能にする製品です。 ターンオン時間0.15ms、ターンオフ時間0.04msという高速スイッチング性能 により、迅速な応答が求められるアプリケーションにも対応可能。 さらに、スイッチング損失の低減により高い動作効率を実現し、全体の エネルギー消費も削減されます。 【特長】 ■優れた熱伝導性 ■高速スイッチング：TON 0.15ms、TOFF 0.04ms ■最大 1700V の負荷電圧 ■低オン抵抗(15Ω typ.) ■低出力キャパシタンス：最大 20pF ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
2SA, 2SB, 2SC, 2SDをはじめ国内メーカーのセカンドソース品多数
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等の互換品ございます。 お気軽にお問い合わせください。 【トランジスタのラインアップ】 ■バイポーラトランジスタ ■パワートランジスタ ■ダーリントントランジスタ ■デュアルトランジスタ ■デジタルトランジスタ ■デュアルデジタルトランジスタ 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品お探しいたします、お気軽にお問合せください。
電気自動車の本場中国からAEC-Q101準拠のバイポーラトランジスタをご紹介
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJでは、汎用的なアプリケーションで使用されるトランジスタ・MOSFET・ダイオードなどに加え 近年ではAEC-Q101準拠品のラインナップの拡充にも力を入れています。 お気軽にお問い合わせください。 例 型番：AD-2SC1623（SOT-23） ＊AD-なしは民生品（AEC-Q101非準拠品）になります。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
製造中止品・販売終了品の代替品・セカンドソース品としてご活用ください。
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SA1012 (TO-252-2Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
ハイサイドMOSFETのゲート駆動、オーディオアンプに最適！
高耐圧・低出力容量となっており、ハイサイドMOSFETのゲート駆動、高い電源電圧のディスクリートアンプ など、オーディオ機器に最適です。 複合タイプは、隣接チップを搭載することで、hFE、VBEのペアリングを 保証、差動増幅回路やカレントミラー回路への適用が可能です。
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世界の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) の市場規模は、2033年にかけて7.71％のCAGRで推移し、155億6,000万の規模に成長すると予測されています。 COVID-19の流行は、半導体業界全体に大きな影響を及ぼしています。世界的なロックダウンはサプライチェーンの混乱を生み、半導体デバイスの生産に大きな影響を及ぼしました。同様にIGBTの生産も、部品の不足によって著しく妨げられました。 当レポートでは、世界の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) の市場を調査し、市場概要、市場影響因子および市場機会の分析、市場規模の推移・予測、各種区分・地域/主要国別の詳細分析、競合情勢、主要企業のプロファイルなどをまとめています。
