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半導体のPN接合を利用！電流の増幅やスイッチング、交流電流から直流電流への変換などに使用
『バイポーラトランジスタ』は、半導体をNPN、または PNPと交互に 接合した素子です。 エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれる3つの端子で構成され、 ベース-エミッタ間に微弱な電流を流すとコレクタ-エミッタ間に 数十倍から数百倍の電流が流れます。 主に電圧・信号増幅やスイッチング制御などに用いられる製品です。 【ラインアップ(抜粋)】 ■onsemi トランジスタ KSC1815YTA ■Toshiba トランジスタ 2SC2712-Y(F) ■STMicroelectronics トランジスタ TIP31C ■ローム 抵抗内蔵トランジスタ DTC114EKAT146 ■Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ RN1102(TE85L,F) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
重要な宇宙ミッション向けに小型・軽量な 回路を実現！
EPCSpace社は、GaN-on-Siパワーデバイスの大手EPC社と航空宇宙用途のDCDCコンバータを提供するVPT社との合弁会社です。 衛星および高信頼性アプリケーション向けにRad Hard GaN-on-Si トランジスタのソリューションを提供。 電源/光検出と測距(ライダー)/モーター駆動/イオンスラスターなど様々な用途で、宇宙での特殊な環境に対応します。 【製品】 ■Rad Hard GaN Packaged Discretes ・https://epc.space/products/gan-discretes/ ■Rad Hard GaN on Ceramic Adaptor ・https://epc.space/products/rad-hard-gan-die-on-ceramic-adaptor/ ■Rad Hard GaN Drivers and Power Stages ・https://epc.space/products/drivers-and-power-stages/ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
完全集積型80V GaNハーフ・ブリッジ電源モジュール『LMG5200』
『LMG5200』デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを 加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する 統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。 このデバイスは2つの80V GaN FETで構成され、1つの高周波数GaN FETドライバにより ハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。 GaN FETは逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量CISSが非常に小さいため、 電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを 一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの 寄生要素は最小限に抑えられます。 LMG5200デバイスは、6mm×8mm×2mmの鉛フリー・パッケージで供給され、 簡単にPCBへ取り付けできます。 【特長】 ■低消費電力 ■絶縁/非絶縁型アプリケーションに最適 ■1個の80V 10Aドライバと2個の80V 15mΩ GaN FETを集積 ■ゲート・ドライバは最大10MHzのスイッチングが可能 ※詳細はお問い合わせください。
製造中止品に対応! ASI社製ハイパワートランジスタ
◆HF用途 RFパワートランジスタ 広帯域増幅器用HFシリーズは2-30MHｚで安定した信号を出力します。 ◆VHF帯用途 RFパワートランジスタ VHF帯用パワートランジスタのラインナップ。 ◆UHF帯用途 RFパワートランジスタ UHF帯用パワートランジスタのラインナップ。 ◆航空電子用 RFパワートランジスタ 航空電子機器用パルストランジスタのラインナップ。 ◆パルスレーダー用 RFパワートランジスタ パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 ◆CW Microwave RFパワートランジスタ GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップ。 ◆放送局向 RFパワートランジスタ TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現しています。 ※詳しくは資料請求からお問い合わせ下さい。
航空宇宙用RFハイパワートランジスタ
○航空電子機器用パルストランジスタのラインナップをご紹介。 周波数：1,025 - 1150MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ（ASI）社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。
SCMによる特定箇所の拡散層評価
市販LSI 内MOSFETのSCM分析事例を紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的な議論はできませんが、濃度の大小関係を大まかに知ることもできます。また、拡散層のp/n極性も識別可能です。さらに、同一箇所のSEM観察を行い、SCM分析結果と画像合成を行うことで、拡散層と上部配線構造との位置関係を明確にできます。
Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能
GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。 本資料では、市販のGaN HEMTデバイスを解体し評価した事例をご紹介します。 HAADF-STEMにより、AlGaN/GaN界面近傍の結晶整合性を確認しました。また、EELSにより組成分布の評価を行いました。 測定法：TEM・EELS 製品分野：パワーデバイス 分析目的：構造評価・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です
GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。 本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。 分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。 測定法：SIMS・TEM・SCM・SMM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：微量濃度測定・形状評価・膜厚評価・構造評価・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
『無料サンプル』進呈中！【PDFダウンロード】ボタンからお申し込み方法をご確認いただくか、関連リンクから直接お申し込みください。
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）市場規模は、2030年までに142億米ドルに達すると予想されており、予測期間中に6.3%のCAGRで市場成長が見込まれます。 2022年、市場は9,186万9,500台の数量に達し、22.9%（2019年～2022年）の成長を遂げました。 さらに、可変周波数ドライブ（VFD）の採用の増加も市場の重要な促進要因となっています。可変周波数ドライブまたはインバーターとしても知られるVFDは、さまざまな用途でモーター制御と速度調整にIGBTを利用します。したがって、可変周波数ドライブの採用の増加が市場の成長を推進しています。
高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは、1Ghzまで使用可能
POINT NINE社は、RF パワートランジスタのマーケットにおいて最高級品質の 製品を目指しております。 MIL-Q-9858、MIL-I-45208、およびISO 9001：2000取得。 高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは 1Ghzまで使用可能で、通信衛星、ECMトランジスター、レーダー無線機などに 適しています。 【製品ラインアップ】 ■28V RF MOSFET's ■12V RF MOSFET's ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電気自動車の本場中国からAEC-Q101準拠のデジタルトランジスタをご紹介
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJでは、汎用的なアプリケーションで使用されるトランジスタ・MOSFET・ダイオードなどに加え 近年ではAEC-Q101準拠品のラインナップの拡充にも力を入れています。 お気軽にお問い合わせください。 例 型番：AD-DTC114ECA（SOT-23） ＊AD-なしは民生品（AEC-Q101非準拠品）になります。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
DTC124Eが2つ内蔵されたSOT-363パッケージのデュアルデジタルトランジスタ
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です！ サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品をお探しの方、お気軽にお問合せください。
デュアルトランジスタの代替品多数!
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です！ サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品をお探しの方、お気軽にお問合せください。
ローム製トランジスタのセカンドソース品
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SB1182 (TO-252-2Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
2SA1225をはじめ東芝製トランジスタの代替品多数！
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SA1225 (TO-252-2Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
東芝製デュアルトランジスタ2SC4944の代替品/セカンドソース
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です！ サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 型式：2SC4944（SOT-353） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品をお探しの方、お気軽にお問合せください。
スイッチング電源(SMPS)に最適な高効率 窒化ガリウム(GaN) HEMT
Infineon Technologies社の『CoolGaN 600Vシリーズ』は、GaNに特化した特定認定プロセスに従って実現されており、堅牢で信頼性の高いソリューションです。 高い性能を発揮するSMDパッケージをベースとした、GaNのメリットを 最大限に活用したインフィニオンのラインアップとなっています。 【特長】 ■600Vパワーデバイス ■ハード・スイッチング・トポロジーとソフトスイッチング・トポロジーに好適 ■電源ターンオンとターンオフ用に好適化済み ■革新的なソリューションと大量生産を実現する先端技術 ■スイッチング電源（SMPS）向けの高効率 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
日本対象！Si IGBT sとSiC MOSFETsの使用状況と今後の動向予想の調査レポート
当資料は、『車載パワートレイン＆パワートランジスタ』の 調査レポートです。 地球温暖対策、カーボンニュートラルの実現に向けて、自動車の電動化が 進み、各社実用化、市場競争が活発になっています。 電動化に対して「低損失」「高信頼性」「コスト」を決定する重要な 部品として、高耐圧パワーデバイス（IGBT、RC-IGBT、SiC）があげられます。 【掲載概要（抜粋）】 ■背景 ■レポート構成（目次） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Ampleon 認定：VDMOS ポートフォリオ
ロチェスターエレクトロニクスは、アンプレオンとの協業により、通信、ISM、航空宇宙そして防衛通信などのアプリケーションに向けて、同社のVDMOS RFパワー製品の継続供給ソリューションを提供します。 VDMOS製品は非常に頑丈で、熱抵抗が低いため、MRIシステム、プラズマ・ジェネレータ、Lバンドレーダーシステム、非セルラー通信などの高速で高出力のスイッチング・アプリケーションに最適です。 詳しくはぜひカタログをダウンロード、もしくはお気軽にお問合せください！ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。
ディスクリート/製造中止品(EOL品)の再生産
アンプレオンのBLF177は、高ゲインと低相互変調歪みを特徴とするHF/BHFパワーMOSトランジスタです。電力制御が容易で、熱安定性に優れ、全不可ミスマッチに耐えます。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
最高水準の品質を備えたクラス最高レベルの効率とパワー密度！
『CoolGaN 600V e-mode GaN HEMT』は、通信機器、データ通信、サーバSMPS に加え、ワイヤレス充電、充電器、アダプターなどに適している製品です。 表面実装パッケージによるGaNスイッチング性能の最適化が可能。 使いやすい強力なドライバICです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
先端の性能と優れた信頼性！シリコンよりも出力とゲート電荷が10倍低く、高周波が可能
『CoolGaN 600V』は、魅力的なシステム全体のコストで堅牢で 信頼性の高いシステム設計を実現する製品です。 「GAN EiceDIVER IC」で「CoolGaN HEMT」を駆動すると、幅広いスイッチング 周波数とデューティサイクルにわたって設定可能な一定のGanスイッチング スルーレートにより、堅牢で効率的なGaN動作を実現します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！
『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラーチップを搭載
『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
抵抗を内蔵、小型面実装外形によりセットの小型化、部品点数の削減が可能！
定格電流が大きく、コレクタ電流が1.0Aとなっており、ドライバと して最適です。 ツェナーダイオードを内蔵タイプは、コレクタ・ベース間にツェナー ダイオードを内蔵しており、モーターやリレーなどのソレノイドドライブ 時の逆起電力からトランジスタ自身の破壊を防止します。
電圧制御トランジスタの元祖！入力インピーダンスが高く、高効率！
JFETは、入力インピーダンスが高く入力電流がほとんど流れない ため、損失が少なく、微小な信号でも伝えることができます。 そのため、マイク、アンプ等、音響増幅や、微小な電圧変動を 増幅できることから、センサとしてもご使用頂けます。
高入力インピーダンス、低ノイズ！ゲート端子への逆バイアス電圧を使用して制御
『JFET』は、電流制御であったバイポーラトランジスタに代わって、 電圧制御素子として用いられています。 ゲート端子への逆バイアス電圧を使用して制御。 高入力インピーダンス、低ノイズが特長で低ノイズ増幅器回路、 インピーダンス変換などに使用されています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル JFET 2SK209-Y(TE85L,F) ■onsemi Nチャンネル JFET J113 ■onsemi Nチャンネル JFET J112 ■onsemi Nチャンネル JFET MMBFJ201 ■onsemi Nチャンネル JFET CPH6904-TL-E ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
単一のトランジスタのように動作！非常に高い電流ゲインを実現
『ダーリントントランジスタ』は、低ベース電流から高いコレクタ電流を 得るために使用されるディスクリート半導体です。 複数のトランジスタを直結したダーリントン接続により、電流増幅率を 非常に大きくできる製品。一般的なトランジスタの電流増幅率(hFE)は 100程度ですが、ダーリントントランジスタは 2000以上が可能です。 これにより、僅かなベース電流で大きなコレクタ電流を流すことができます。 【ラインアップ(抜粋)】 ■STMicroelectronics NPN ダーリントンペア ULN2803A ■Texas Instruments NPN ダーリントントランジスタ ULN2803ADW ■Toshiba NPN ダーリントントランジスタ 2SD1223(TE16L1,NQ) ■Allegro Microsystems NPN+PNPダーリントントランジスタ A2982SLWTR-T ■onsemi NPN ダーリントントランジスタ MJH11022G ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フォトインタラプタ、産業用電子機器など様なデバイスやアプリケーションで使用可能！
「フォトトランジスタ」は、フォトダイオードとトランジスタを一体化した 構造となっており、フォトダイオードの出力電流(光電流)をトランジスタで 増幅して出力する素子です。 感度はフォトダイオードよりも高く、光信号を電気信号に変換するトランジスタや 光検出器によく使われます。 赤外線、可視光線、紫外線などの光を感知すると、受け取った光と強度のレベルに 応じて、エミッタとコレクタの間の電流を変化させます。 【特長】 ■小型 ■高感度 ■長寿命 ■リフロー面実装をサポート ■優れた電磁ノイズ耐性 ■大きな光電流が得られる ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
矢野経済研究所の次世代有機デバイス市場に関するマーケットレポートです。
有機半導体は、無機系にはない優れた特長を有するデバイスとして注目を集める ■ポイント 多くの領域における多彩なアプローチ 新奇な高機能エネルギー材料の開発は新時代へ ●有機トランジスタ：プリンタブルエレクトロニクスの代表格 ●有機薄膜太陽電池：低温の塗布プロセスが適用できるフレキシブルなプラスチック基板 ●有機熱電デバイス：IoT用センサーの電源への置き換えへ ●有機光エレクトロニクス素子：有機╱無機ハイブリダイゼーション等、有望展開が進む ●有機メモリー素子：有機トランジスタと同様のプロセスに組み込むことのできる必須素子 ●有機ナノマシン：DDSやナノ農業などの展開が期待 ※月刊誌「Yano E plus」（2023年6月号～2023年11月号）での関連特集をベースに編集、市場数値なども抜粋 発刊日：2023/11/21 体裁：A4 / 202頁 価格（税込）：198,000円（本体価格：180,000円）
