高信頼性GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタTO-247
汎用品向けのJEDEC規格高信頼GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。
ハイパワー向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。 安全にドライブできるように高Vthとなっております。
- 企業:トランスフォーム・ジャパン株式会社
- 価格:~ 1万円
更新日: 集計期間:2025年04月16日~2025年05月13日
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汎用品向けのJEDEC規格高信頼GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。
ハイパワー向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。 安全にドライブできるように高Vthとなっております。
BLF278 /製造中止品(EOL品)の再生産
BLF278は、VHF周波数帯の放送トランスミッタに最適なシリコンNチャンネルVDMOSトランジスタです。この製品は、CW-クラスB、クラスC、クラスABの動作モードをサポートします。最大IDは18Aで、総損失は500Wです。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
ロチェスターは幅広い製品在庫で安定した供給を確保/製造中止品(EOL品)の継続供給サポート
ロチェスターエレクトロニクスは、一時的なニーズのありなしだけではなく、長期的な市場のニーズを考慮します。現在、市場は安定していますが、 これまでの歴史や業界の専門家の見解からも、この状況は突然変わる可能性があることが示めされています。 ロチェスターエレクトロニクスは、オンセミ、インフィニオン、Nexperia、およびルネサスなどのオリジナル半導体メーカーに認定された製品、追跡可能な製品履歴、そして製品保証されたソリューションを提供しています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
簡単設計、高信頼性!センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能
『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載!無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる
『CGD65B240SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-7.0AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能!
『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる!高電流、高耐圧を実現
『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
パルスレーダー用RFパワートランジスタ
○パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 《UHFレーダ用》 ・周波数:400 - 500MHz 米国ASI Semiconductor Inc.(ASI)社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス(旧SGSトムソン)社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。
CWマイクロウェーブ RFパワートランジスタ
○GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップです。 米国ASI Semiconductor Inc.(ASI)社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス(旧SGSトムソン)社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせに応じて、設計変更のための時間や手間をかけることなくご希望の回路をデザインできるかも知れません。 ※詳細はカタログダウンロードからご覧ください。
放送局向け RFパワートランジスタ
○TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現しています。 ・FM放送用 周波数 :108MHz ・TV用 周波数 :225MHz ・TV用 周波数 :860MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ(ASI)社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス(旧SGSトムソン)社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ、設計変更のための時間や手間をかけることなく、 ご希望の回路をデザインできるかも知れません。 ※詳細はカタログダウンロードからご覧ください。
AEC-Q101準拠のDTC114E系列デジタルトランジスタです。
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJでは、汎用的なアプリケーションで使用されるトランジスタ・MOSFET・ダイオードなどに加え 近年ではAEC-Q101準拠品のラインナップの拡充にも力を入れています。 お気軽にお問い合わせください。 型番:AD-DTC114ECA(SOT-23) *AD-なしは民生品(AEC-Q101非準拠品)になります。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017)の江蘇長電科技有限公司(JCET)のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
DTC124Eが2つ内蔵されたSOT-363パッケージのデュアルデジタルトランジスタ
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です! サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017)の江蘇長電科技有限公司(JCET)のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品をお探しの方、お気軽にお問合せください。
デュアルトランジスタの代替品多数!
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です! サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017)の江蘇長電科技有限公司(JCET)のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品をお探しの方、お気軽にお問合せください。
ローム製トランジスタのセカンドソース品
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番:2SB1182 (TO-252-2Lパッケージ) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017)の江蘇長電科技有限公司(JCET)のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
2SA1225をはじめ東芝製トランジスタの代替品多数!
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番:2SA1225 (TO-252-2Lパッケージ) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017)の江蘇長電科技有限公司(JCET)のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。