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東芝製デュアルトランジスタ2SC4944の代替品/セカンドソース
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です！ サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 型式：2SC4944（SOT-353） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品をお探しの方、お気軽にお問合せください。
スイッチング電源(SMPS)に最適な高効率 窒化ガリウム(GaN) HEMT
Infineon Technologies社の『CoolGaN 600Vシリーズ』は、GaNに特化した特定認定プロセスに従って実現されており、堅牢で信頼性の高いソリューションです。 高い性能を発揮するSMDパッケージをベースとした、GaNのメリットを 最大限に活用したインフィニオンのラインアップとなっています。 【特長】 ■600Vパワーデバイス ■ハード・スイッチング・トポロジーとソフトスイッチング・トポロジーに好適 ■電源ターンオンとターンオフ用に好適化済み ■革新的なソリューションと大量生産を実現する先端技術 ■スイッチング電源（SMPS）向けの高効率 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
日本対象！Si IGBT sとSiC MOSFETsの使用状況と今後の動向予想の調査レポート
当資料は、『車載パワートレイン＆パワートランジスタ』の 調査レポートです。 地球温暖対策、カーボンニュートラルの実現に向けて、自動車の電動化が 進み、各社実用化、市場競争が活発になっています。 電動化に対して「低損失」「高信頼性」「コスト」を決定する重要な 部品として、高耐圧パワーデバイス（IGBT、RC-IGBT、SiC）があげられます。 【掲載概要（抜粋）】 ■背景 ■レポート構成（目次） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Ampleon 認定：VDMOS ポートフォリオ
ロチェスターエレクトロニクスは、アンプレオンとの協業により、通信、ISM、航空宇宙そして防衛通信などのアプリケーションに向けて、同社のVDMOS RFパワー製品の継続供給ソリューションを提供します。 VDMOS製品は非常に頑丈で、熱抵抗が低いため、MRIシステム、プラズマ・ジェネレータ、Lバンドレーダーシステム、非セルラー通信などの高速で高出力のスイッチング・アプリケーションに最適です。 詳しくはぜひカタログをダウンロード、もしくはお気軽にお問合せください！ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。
ディスクリート/製造中止品(EOL品)の再生産
アンプレオンのBLF177は、高ゲインと低相互変調歪みを特徴とするHF/BHFパワーMOSトランジスタです。電力制御が容易で、熱安定性に優れ、全不可ミスマッチに耐えます。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
最高水準の品質を備えたクラス最高レベルの効率とパワー密度！
『CoolGaN 600V e-mode GaN HEMT』は、通信機器、データ通信、サーバSMPS に加え、ワイヤレス充電、充電器、アダプターなどに適している製品です。 表面実装パッケージによるGaNスイッチング性能の最適化が可能。 使いやすい強力なドライバICです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
先端の性能と優れた信頼性！シリコンよりも出力とゲート電荷が10倍低く、高周波が可能
『CoolGaN 600V』は、魅力的なシステム全体のコストで堅牢で 信頼性の高いシステム設計を実現する製品です。 「GAN EiceDIVER IC」で「CoolGaN HEMT」を駆動すると、幅広いスイッチング 周波数とデューティサイクルにわたって設定可能な一定のGanスイッチング スルーレートにより、堅牢で効率的なGaN動作を実現します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！
『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラーチップを搭載
『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
抵抗を内蔵、小型面実装外形によりセットの小型化、部品点数の削減が可能！
定格電流が大きく、コレクタ電流が1.0Aとなっており、ドライバと して最適です。 ツェナーダイオードを内蔵タイプは、コレクタ・ベース間にツェナー ダイオードを内蔵しており、モーターやリレーなどのソレノイドドライブ 時の逆起電力からトランジスタ自身の破壊を防止します。
電圧制御トランジスタの元祖！入力インピーダンスが高く、高効率！
JFETは、入力インピーダンスが高く入力電流がほとんど流れない ため、損失が少なく、微小な信号でも伝えることができます。 そのため、マイク、アンプ等、音響増幅や、微小な電圧変動を 増幅できることから、センサとしてもご使用頂けます。
高入力インピーダンス、低ノイズ！ゲート端子への逆バイアス電圧を使用して制御
『JFET』は、電流制御であったバイポーラトランジスタに代わって、 電圧制御素子として用いられています。 ゲート端子への逆バイアス電圧を使用して制御。 高入力インピーダンス、低ノイズが特長で低ノイズ増幅器回路、 インピーダンス変換などに使用されています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル JFET 2SK209-Y(TE85L,F) ■onsemi Nチャンネル JFET J113 ■onsemi Nチャンネル JFET J112 ■onsemi Nチャンネル JFET MMBFJ201 ■onsemi Nチャンネル JFET CPH6904-TL-E ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
単一のトランジスタのように動作！非常に高い電流ゲインを実現
『ダーリントントランジスタ』は、低ベース電流から高いコレクタ電流を 得るために使用されるディスクリート半導体です。 複数のトランジスタを直結したダーリントン接続により、電流増幅率を 非常に大きくできる製品。一般的なトランジスタの電流増幅率(hFE)は 100程度ですが、ダーリントントランジスタは 2000以上が可能です。 これにより、僅かなベース電流で大きなコレクタ電流を流すことができます。 【ラインアップ(抜粋)】 ■STMicroelectronics NPN ダーリントンペア ULN2803A ■Texas Instruments NPN ダーリントントランジスタ ULN2803ADW ■Toshiba NPN ダーリントントランジスタ 2SD1223(TE16L1,NQ) ■Allegro Microsystems NPN+PNPダーリントントランジスタ A2982SLWTR-T ■onsemi NPN ダーリントントランジスタ MJH11022G ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フォトインタラプタ、産業用電子機器など様なデバイスやアプリケーションで使用可能！
「フォトトランジスタ」は、フォトダイオードとトランジスタを一体化した 構造となっており、フォトダイオードの出力電流(光電流)をトランジスタで 増幅して出力する素子です。 感度はフォトダイオードよりも高く、光信号を電気信号に変換するトランジスタや 光検出器によく使われます。 赤外線、可視光線、紫外線などの光を感知すると、受け取った光と強度のレベルに 応じて、エミッタとコレクタの間の電流を変化させます。 【特長】 ■小型 ■高感度 ■長寿命 ■リフロー面実装をサポート ■優れた電磁ノイズ耐性 ■大きな光電流が得られる ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
矢野経済研究所の次世代有機デバイス市場に関するマーケットレポートです。
有機半導体は、無機系にはない優れた特長を有するデバイスとして注目を集める ■ポイント 多くの領域における多彩なアプローチ 新奇な高機能エネルギー材料の開発は新時代へ ●有機トランジスタ：プリンタブルエレクトロニクスの代表格 ●有機薄膜太陽電池：低温の塗布プロセスが適用できるフレキシブルなプラスチック基板 ●有機熱電デバイス：IoT用センサーの電源への置き換えへ ●有機光エレクトロニクス素子：有機╱無機ハイブリダイゼーション等、有望展開が進む ●有機メモリー素子：有機トランジスタと同様のプロセスに組み込むことのできる必須素子 ●有機ナノマシン：DDSやナノ農業などの展開が期待 ※月刊誌「Yano E plus」（2023年6月号～2023年11月号）での関連特集をベースに編集、市場数値なども抜粋 発刊日：2023/11/21 体裁：A4 / 202頁 価格（税込）：198,000円（本体価格：180,000円）
