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矢野経済研究所の次世代有機デバイス市場に関するマーケットレポートです。
有機半導体は、無機系にはない優れた特長を有するデバイスとして注目を集める ■ポイント 多くの領域における多彩なアプローチ 新奇な高機能エネルギー材料の開発は新時代へ ●有機トランジスタ：プリンタブルエレクトロニクスの代表格 ●有機薄膜太陽電池：低温の塗布プロセスが適用できるフレキシブルなプラスチック基板 ●有機熱電デバイス：IoT用センサーの電源への置き換えへ ●有機光エレクトロニクス素子：有機╱無機ハイブリダイゼーション等、有望展開が進む ●有機メモリー素子：有機トランジスタと同様のプロセスに組み込むことのできる必須素子 ●有機ナノマシン：DDSやナノ農業などの展開が期待 ※月刊誌「Yano E plus」（2023年6月号～2023年11月号）での関連特集をベースに編集、市場数値なども抜粋 発刊日：2023/11/21 体裁：A4 / 202頁 価格（税込）：198,000円（本体価格：180,000円）
優れた熱伝導性で最大1700Vの負荷電圧！最大170mAの電流を制御することが可能
『CotoMOS S117X』は、優れた熱伝導性による高い放熱性能を備えており、 コンパクトかつ効率的な設計を可能にする製品です。 ターンオン時間0.15ms、ターンオフ時間0.04msという高速スイッチング性能 により、迅速な応答が求められるアプリケーションにも対応可能。 さらに、スイッチング損失の低減により高い動作効率を実現し、全体の エネルギー消費も削減されます。 【特長】 ■優れた熱伝導性 ■高速スイッチング：TON 0.15ms、TOFF 0.04ms ■最大 1700V の負荷電圧 ■低オン抵抗(15Ω typ.) ■低出力キャパシタンス：最大 20pF ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
面実装タイプのフォトトランジスタ
KS5160 は、面実装タイプのフォトトランジスタです。 【特長】 ・リフローはんだ時は、自動で位置補正される電極形状 ・高感度NPN フォトトランジスタ（λp:850nm） ・樹脂レンズ付きパッケージ ・鉛フリーはんだ リフロー実装対応 紙幣のパターン読み取り用受光素子、紙幣パターン識別用受光素子などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
5G 基地局用450W 内部整合GaN HEMT、9dBバックオフで55Wパワー
ファラッドは、HF、高周波GaN/LDMOSパワートランジスタを設計製造するISO9000/ISO14000認証メーカーInnogrationTechnologies（中国）社製品の取扱いを開始しました。 日本及び世界の半導体製造装置、工業用マイクロ波アンプ・ジェネレータ、4G/5G通信等の用途に数多く実績があります。 高効率・高出力を目指し2.45GHz帯390W GaN HEMT、5GHz帯100W GaNドーハティモジュール。各種パッケージに対応。 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります
市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。
Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能
裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice＆Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。 測定法：Slice＆View・SEM-EDX・EMS 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
『無料サンプル』進呈中！【PDFダウンロード】ボタンからお申し込み方法をご確認いただくか、関連リンクから直接お申し込みください。
小信号トランジスタ市場は2023-2028年に1億4,842万米ドル、予測期間中のCAGRは2.94%で成長すると予測されます。 本調査では、今後数年間の小信号トランジスタ市場の成長を牽引する主な要因の1つとして、産業における自動化の導入を挙げています。また、フィンフェット技術の需要拡大、通信ネットワーク強化の需要拡大が市場の大きな需要につながっています。
高度な拡散技術により、高性能・高信頼性
オプトテクノでは、センサの高機能化・複雑化にともなうさまざまなニーズにきめ細かにお応えするため、カスタム・メイド半導体の設計・製作に力を入れています。 半導体の小型化、軽量化、高密度化などお気軽にご相談ください。 試作品の仕様の打ち合わせから量産までトータル・システムで承っておりますので、製作工数や部品購入費・管理費の削減など、製造諸費用のさらなるコストダウンがはかれます。
アキシャルダイオード、TO-220などリード製品から、最新の小型SMD製品までのPKGラインナップ
盐城矽润半导体有限公司（XiRun）は2003年に創立した半導体メーカーです。 ダイオード、トランジスタのOEM製造メーカーとして発展してきました。 通信機器、家電などの民生品から、産業、車載用途など様々なアプリケーションに 採用実績があります。現在は自社ブランド製品に注力しており、販路拡大を目指しております。 4つの発明特許と9つの実用新案特許を保有しています。
AEC-Q101規格もクリアしている高Vthの650V GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。
車載向けに高Vth、高信頼性、高パワーのGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタをご用意しました。
高信頼・高ゲインのアナログ／スイッチング素子｜互換品・代替品として最適な高コスパ半導体
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJ のバイポーラトランジスタ（Bipolar Junction Transistor / BJT） は、アナログ増幅からスイッチング用途まで幅広く使用できる高性能半導体デバイスです。 多くの型番が 他メーカーの BJT と互換性があり、代替品としてそのまま使用できるため、既存回路の置き換えや量産コストの削減に最適です。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品お探しいたします、お気軽にお問合せください。
デュアルデジタルトランジスタの代替品多数!
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です！ サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品をお探しの方、お気軽にお問合せください。
電気自動車の本場中国からAEC-Q101準拠のバイポーラトランジスタをご紹介
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJでは、汎用的なアプリケーションで使用されるトランジスタ・MOSFET・ダイオードなどに加え 近年ではAEC-Q101準拠品のラインナップの拡充にも力を入れています。 お気軽にお問い合わせください。 例 型番：AD-2SC1623（SOT-23） ＊AD-なしは民生品（AEC-Q101非準拠品）になります。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
製造中止品・販売終了品の代替品・セカンドソース品としてご活用ください。
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SA1012 (TO-252-2Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
バイポーラトランジスタ2SA2018とデジタルトランジスタDTC144Eのデュアルトランジスタ
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です！ サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 型式：UMF5N デュアルトランジスタ（SOT-363） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品をお探しの方、お気軽にお問合せください。
【Nexperia】ディスクリート、MOSFETやロジック製品の継続供給/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスでは、ディスクリート、MOSFETやロジックなどの20億個以上のNexperia製品の在庫を保有、1万3千個以上の幅広い製品群でNexperia製品の継続供給をサポートしています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
インフィニオン認定：製造中止品BTS555のソリューション・プロバイダー/製造中止品(EOL品)の再生産
高度に集積化されたPROFETファミリー（PROtected FET）は、幅広いスマート機能を備えています。 インテリジェントなPROFETパワーハイサイドスイッチは、DMOSパワートランジスタとCMOS論理回路で構成され必要なすべての保護機能を内部に備えています。 インフィニオンのスマート・ハイサイドパワースイッチBTS555は、PROFET ファミリー製品の一種です。 チャージポンプ、電力制御入力および負荷電流検出などの診断フィードバックを備えたNチャネル垂直パワーFETを内蔵し、Smart SIPMOSチップオンチップ技術に統合されています。 ロチェスターでは製造中止となった製品を多数在庫保有しております。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 ※詳細はぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
現行品および製造中止品(EOL品)への継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスはSTマイクロエレクトロニクスとパートナーシップを締結しております。 このパートナーシップの下、ロチェスターではSTマイクロエレクトロニクスの設計に対して拡張された製品ライフサイクルの管理を提供しています。 これには供給が制限される時期における現行品である重要な部品のサポートや、下記の製品における製造中止品(EOL品)の継続的な供給が含まれます： ・産業用・車載用パワーマネジメント製品 ・パワートランジスタ(IGBT、シリコンカーバイド・パワーMOSFETなど) ・保護製品 ・アンプ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
20億個以上のトランジスタとゲートドライバICを保有 /製造中止品(EOL品)の再生産
IGBT、MOSFET、バイポーラトランジスタなどのパワー系ディスクリート製品は、産業、エネルギー、防衛など幅広い用途で使用されており、車載用途での使用も増えていることから、リードタイムが長くなっています。 これらの入手困難な部品の継続供給をサポートするため、ロチェスターエレクトロニクスは20、000 品番に対応する 20億個以上のトランジスタとゲートドライバICを保有しております。当社の在庫は、現行品および製造中止品の両方があり、その内の40％が20週間を超えるリードタイムを有する製品です。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
BLF278 /製造中止品(EOL品)の再生産
BLF278は、VHF周波数帯の放送トランスミッタに最適なシリコンNチャンネルVDMOSトランジスタです。この製品は、CW-クラスB、クラスC、クラスABの動作モードをサポートします。最大IDは18Aで、総損失は500Wです。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
ディスクリート・トランジスタへの継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスは、主要半導体メーカーのパートナーであり、サプライチェーンの課題を解決するソリューションを提供しています。20億個のトランジスタ在庫に加え、あらゆる性能とパッケージ・オプションをカバーする約18、000種以上の製品群が含まれています。当社の製品在庫は、アンプレオン、インフィニオン、Nexperia、オンセミ、およびルネサスなどオリジナル半導体メーカーより認定された製品で、製品履歴および製品保証された製品となります。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
アンプレオンのLDMOS/VDMOS/GaN1 パワートランジスタのエンドtoエンドサポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターは、325品番から構成される150万個以上のアンプレオンの完成品在庫を保有しています。さらに、製造中止品の再生産を行うためのウェハおよびダイの在庫も保有しています。当社が保有する製品は、オリジナル半導体メーカーに認定された正規品であり、保証されているため、長年にわたって入手が可能です。 製品ポートフォリオ： BLF177 HF/VHF パワーMOSトランジスタ BLF278 VHFプッシュプルパワーVDMOSトランジスタ BLF3G21-30 UHFパワーLDMOSトランジスタ BLF404 UHFパワーMOSトランジスタ BLF521 BLF521 - UHFパワーVDMOSトランジスタ BLL1214 LバンドラダーLDMOSトランジスタ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
ロチェスターは幅広い製品在庫で安定した供給を確保/製造中止品(EOL品)の継続供給サポート
ロチェスターエレクトロニクスは、一時的なニーズのありなしだけではなく、長期的な市場のニーズを考慮します。現在、市場は安定していますが、 これまでの歴史や業界の専門家の見解からも、この状況は突然変わる可能性があることが示めされています。 ロチェスターエレクトロニクスは、オンセミ、インフィニオン、Nexperia、およびルネサスなどのオリジナル半導体メーカーに認定された製品、追跡可能な製品履歴、そして製品保証されたソリューションを提供しています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
広い安全動作領域を実現！互換性のあるフットプリントにより、ドロップイン交換が可能
『IPT008N06NM5LF/IPT013N08NM5LF』は、TOLLパッケージと組み合わせる ことにより、ホットスワップ、e-fuse、テレコムやバッテリー管理システムで 一般的に見られる保護アプリケーションなどの高突入電流アプリケーションを ターゲットにしています。 高い突入電流により、迅速なスタートアップとダウンタイムの短縮を実現。 TOLLパッケージは、効率性、優れたEMI特性、熱性能、省スペース化が 求められる場合に好適なソリューションです。 【特長】 ■広い安全動作領域（SOA） ■低いRDS（on） ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■TO-リードレス（TOLL）パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
オン・セミコンダクターNTD20N06LT4Gトランジスター
電源、コンバーター、パワーモーター制御およびブリッジ回路の低電圧、高速スイッチングアプリケーション向けに設計されています。
簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能
『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現
『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
高いサージ耐量も兼ね備えた当社トップクラスの高耐圧製品
最大定格 VCEO=400V、IC=200mA リードタイプの PNP型トランジスタです。 この最大定格 VCEOは当社においてトップクラスであり、 同耐圧クラス品と比較してより高い電流能力とサージ耐量を有します。 特に サージ耐量は最弱端子にて、同耐圧クラス品の最大で4倍以上のサージ電圧 に耐えうることができます。
Tr1とTr2のhFEとVBEのペアリングを保証！
hFE1、VBEのペアリングを保証しており、差動増幅回路への適用が可能です。 また、AEC-Q101にも対応しております。 高耐圧・低出力容量となっており、オーディオ機器に最適です。
ハイサイドMOSFETのゲート駆動、オーディオアンプに最適！
高耐圧・低出力容量となっており、ハイサイドMOSFETのゲート駆動、高い電源電圧のディスクリートアンプ など、オーディオ機器に最適です。 複合タイプは、隣接チップを搭載することで、hFE、VBEのペアリングを 保証、差動増幅回路やカレントミラー回路への適用が可能です。
