シリコンフォトトランジスタ KS5160
面実装タイプのフォトトランジスタ
KS5160 は、面実装タイプのフォトトランジスタです。 【特長】 ・リフローはんだ時は、自動で位置補正される電極形状 ・高感度NPN フォトトランジスタ（λp:850nm） ・樹脂レンズ付きパッケージ ・鉛フリーはんだ リフロー実装対応 紙幣のパターン読み取り用受光素子、紙幣パターン識別用受光素子などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
- 企業：新光電子株式会社
- 価格：応相談
トランジスタ - メーカー・企業24社の業務用製品ランキング | イプロスものづくり
更新日： 集計期間:2026年08月19日～2026年09月15日
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トランジスタのメーカー・企業ランキング
更新日： 集計期間:2026年08月19日～2026年09月15日
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- オーエン株式会社 埼玉県/電子部品・半導体
- 株式会社アクアス 愛知県/民生用電気機器
- イサハヤ電子株式会社 大阪府/電子部品・半導体
- 4 株式会社光アルファクス 大阪府/商社・卸売り
- 5 Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部 東京都/電子部品・半導体
トランジスタの製品ランキング
更新日： 集計期間:2026年08月19日～2026年09月15日
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- XiRun（シールン）社製 ダイオード・トランジスタ 株式会社光アルファクス
- 2SC1815代替トランジスタ｜東芝互換JSCJ製 株式会社アクアス
- 高耐圧 VCEO=400V PNPトランジスタ イサハヤ電子株式会社
- 4 ミュート用トランジスタ イサハヤ電子株式会社
- 5 2SB1182 バイポーラトランジスタ (TO-252-2L) 株式会社アクアス
トランジスタの製品一覧
31～60 件を表示 ／ 全 422 件
表示件数
５G、WPT、ISMバンド向けハイパワーGaN/LDMOSを販売
5G 基地局用450W 内部整合GaN HEMT、9dBバックオフで55Wパワー
ファラッドは、HF、高周波GaN/LDMOSパワートランジスタを設計製造するISO9000/ISO14000認証メーカーInnogrationTechnologies（中国）社製品の取扱いを開始しました。 日本及び世界の半導体製造装置、工業用マイクロ波アンプ・ジェネレータ、4G/5G通信等の用途に数多く実績があります。 高効率・高出力を目指し2.45GHz帯390W GaN HEMT、5GHz帯100W GaNドーハティモジュール。各種パッケージに対応。 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：ファラッド株式会社
- 価格：応相談
【英文市場調査レポート】小信号トランジスタの世界市場
『無料サンプル』進呈中！【PDFダウンロード】ボタンからお申し込み方法をご確認いただくか、関連リンクから直接お申し込みください。
小信号トランジスタ市場は2023-2028年に1億4,842万米ドル、予測期間中のCAGRは2.94%で成長すると予測されます。 本調査では、今後数年間の小信号トランジスタ市場の成長を牽引する主な要因の1つとして、産業における自動化の導入を挙げています。また、フィンフェット技術の需要拡大、通信ネットワーク強化の需要拡大が市場の大きな需要につながっています。
- 企業：株式会社グローバルインフォメーション
- 価格：10万円 ~ 50万円
半導体 フォトダイオード・トランジスタ
高度な拡散技術により、高性能・高信頼性
オプトテクノでは、センサの高機能化・複雑化にともなうさまざまなニーズにきめ細かにお応えするため、カスタム・メイド半導体の設計・製作に力を入れています。 半導体の小型化、軽量化、高密度化などお気軽にご相談ください。 試作品の仕様の打ち合わせから量産までトータル・システムで承っておりますので、製作工数や部品購入費・管理費の削減など、製造諸費用のさらなるコストダウンがはかれます。
- 企業：株式会社オプトテクノ
- 価格：応相談
XiRun（シールン）社製 ダイオード・トランジスタ
アキシャルダイオード、TO-220などリード製品から、小型SMD製品までのPKGラインナップ
盐城矽润半导体有限公司（XiRun）は2003年に創立した半導体メーカーです。 ダイオード、トランジスタのOEM製造メーカーとして発展してきました。 通信機器、家電などの民生品から、産業、車載用途など様々なアプリケーションに 採用実績があります。現在は自社ブランド製品に注力しており、販路拡大を目指しております。 4つの発明特許と9つの実用新案特許を保有しています。
- 企業：株式会社光アルファクス
- 価格：応相談
車載向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタ
AEC-Q101規格もクリアしている高Vthの650V GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。
車載向けに高Vth、高信頼性、高パワーのGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタをご用意しました。
- 企業：トランスフォーム・ジャパン株式会社
- 価格：~ 1万円
JSCJ バイポーラトランジスタ
高信頼・高ゲインのアナログ／スイッチング素子｜互換品・代替品として最適な高コスパ半導体
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJ のバイポーラトランジスタ（Bipolar Junction Transistor / BJT） は、アナログ増幅からスイッチング用途まで幅広く使用できる高性能半導体デバイスです。 多くの型番が 他メーカーの BJT と互換性があり、代替品としてそのまま使用できるため、既存回路の置き換えや量産コストの削減に最適です。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品お探しいたします、お気軽にお問合せください。
- 企業：株式会社アクアス
- 価格：応相談
UMH4N デュアルデジタルトランジスタ
デュアルデジタルトランジスタの代替品多数!
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です！ サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品をお探しの方、お気軽にお問合せください。
- 企業：株式会社アクアス
- 価格：応相談
車載グレード バイポーラトランジスタ
電気自動車の本場中国からAEC-Q101準拠のバイポーラトランジスタをご紹介
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJでは、汎用的なアプリケーションで使用されるトランジスタ・MOSFET・ダイオードなどに加え 近年ではAEC-Q101準拠品のラインナップの拡充にも力を入れています。 お気軽にお問い合わせください。 例 型番：AD-2SC1623（SOT-23） ＊AD-なしは民生品（AEC-Q101非準拠品）になります。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
2SA1012 バイポーラトランジスタ (TO-252-2L)
製造中止品・販売終了品の代替品・セカンドソース品としてご活用ください。
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SA1012 (TO-252-2Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
- 企業：株式会社アクアス
- 価格：応相談
UMF5N デュアルトランジスタ（SOT-363）
バイポーラトランジスタ2SA2018とデジタルトランジスタDTC144Eのデュアルトランジスタ
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です！ サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 型式：UMF5N デュアルトランジスタ（SOT-363） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品をお探しの方、お気軽にお問合せください。
2SD999 バイポーラトランジスタ SOT-89パッケージ
ルネサス製トランジスタ2SD999の代替品
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SD999 (SOT-89パッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。
- 企業：株式会社アクアス
- 価格：応相談
【半導体EOL品】20億個以上のNexperia製品を継続供給
【Nexperia】ディスクリート、MOSFETやロジック製品の継続供給/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスでは、ディスクリート、MOSFETやロジックなどの20億個以上のNexperia製品の在庫を保有、1万3千個以上の幅広い製品群でNexperia製品の継続供給をサポートしています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
【継続供給サポート】「インフィニオン」製造中止品BTS555
インフィニオン認定：製造中止品BTS555のソリューション・プロバイダー/製造中止品(EOL品)の再生産
高度に集積化されたPROFETファミリー（PROtected FET）は、幅広いスマート機能を備えています。 インテリジェントなPROFETパワーハイサイドスイッチは、DMOSパワートランジスタとCMOS論理回路で構成され必要なすべての保護機能を内部に備えています。 インフィニオンのスマート・ハイサイドパワースイッチBTS555は、PROFET ファミリー製品の一種です。 チャージポンプ、電力制御入力および負荷電流検出などの診断フィードバックを備えたNチャネル垂直パワーFETを内蔵し、Smart SIPMOSチップオンチップ技術に統合されています。 ロチェスターでは製造中止となった製品を多数在庫保有しております。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 ※詳細はぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
【EOL品/半導体】STマイクロ認定の継続供給サポート
現行品および製造中止品(EOL品)への継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスはSTマイクロエレクトロニクスとパートナーシップを締結しております。 このパートナーシップの下、ロチェスターではSTマイクロエレクトロニクスの設計に対して拡張された製品ライフサイクルの管理を提供しています。 これには供給が制限される時期における現行品である重要な部品のサポートや、下記の製品における製造中止品(EOL品)の継続的な供給が含まれます： ・産業用・車載用パワーマネジメント製品 ・パワートランジスタ(IGBT、シリコンカーバイド・パワーMOSFETなど) ・保護製品 ・アンプ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
【継続供給】IGBT、MOSFET、バイポーラトランジスタ製品
20億個以上のトランジスタとゲートドライバICを保有 /製造中止品(EOL品)の再生産
IGBT、MOSFET、バイポーラトランジスタなどのパワー系ディスクリート製品は、産業、エネルギー、防衛など幅広い用途で使用されており、車載用途での使用も増えていることから、リードタイムが長くなっています。 これらの入手困難な部品の継続供給をサポートするため、ロチェスターエレクトロニクスは20、000 品番に対応する 20億個以上のトランジスタとゲートドライバICを保有しております。当社の在庫は、現行品および製造中止品の両方があり、その内の40％が20週間を超えるリードタイムを有する製品です。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
【半導体EOL品/注目製品】アンプレオン/VDMOSトランジスタ
BLF278 /製造中止品(EOL品)の再生産
BLF278は、VHF周波数帯の放送トランスミッタに最適なシリコンNチャンネルVDMOSトランジスタです。この製品は、CW-クラスB、クラスC、クラスABの動作モードをサポートします。最大IDは18Aで、総損失は500Wです。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
【半導体EOL品/重要性】ディスクリート製品
ディスクリート・トランジスタへの継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスは、主要半導体メーカーのパートナーであり、サプライチェーンの課題を解決するソリューションを提供しています。20億個のトランジスタ在庫に加え、あらゆる性能とパッケージ・オプションをカバーする約18、000種以上の製品群が含まれています。当社の製品在庫は、アンプレオン、インフィニオン、Nexperia、オンセミ、およびルネサスなどオリジナル半導体メーカーより認定された製品で、製品履歴および製品保証された製品となります。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
【RF設計者向け/半導体EOL】再設計を回避するためのサポート
アンプレオンのLDMOS/VDMOS/GaN1 パワートランジスタのエンドtoエンドサポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターは、325品番から構成される150万個以上のアンプレオンの完成品在庫を保有しています。さらに、製造中止品の再生産を行うためのウェハおよびダイの在庫も保有しています。当社が保有する製品は、オリジナル半導体メーカーに認定された正規品であり、保証されているため、長年にわたって入手が可能です。 製品ポートフォリオ： BLF177 HF/VHF パワーMOSトランジスタ BLF278 VHFプッシュプルパワーVDMOSトランジスタ BLF3G21-30 UHFパワーLDMOSトランジスタ BLF404 UHFパワーMOSトランジスタ BLF521 BLF521 - UHFパワーVDMOSトランジスタ BLL1214 LバンドラダーLDMOSトランジスタ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
【重要だが見落とされがちなもの】ディスクリート・トランジスタ
ロチェスターは幅広い製品在庫で安定した供給を確保/製造中止品(EOL品)の継続供給サポート
ロチェスターエレクトロニクスは、一時的なニーズのありなしだけではなく、長期的な市場のニーズを考慮します。現在、市場は安定していますが、 これまでの歴史や業界の専門家の見解からも、この状況は突然変わる可能性があることが示めされています。 ロチェスターエレクトロニクスは、オンセミ、インフィニオン、Nexperia、およびルネサスなどのオリジナル半導体メーカーに認定された製品、追跡可能な製品履歴、そして製品保証されたソリューションを提供しています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
IPT008N06NM5LF/IPT013N08NM5LF
広い安全動作領域を実現！互換性のあるフットプリントにより、ドロップイン交換が可能
『IPT008N06NM5LF/IPT013N08NM5LF』は、TOLLパッケージと組み合わせる ことにより、ホットスワップ、e-fuse、テレコムやバッテリー管理システムで 一般的に見られる保護アプリケーションなどの高突入電流アプリケーションを ターゲットにしています。 高い突入電流により、迅速なスタートアップとダウンタイムの短縮を実現。 TOLLパッケージは、効率性、優れたEMI特性、熱性能、省スペース化が 求められる場合に好適なソリューションです。 【特長】 ■広い安全動作領域（SOA） ■低いRDS（on） ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■TO-リードレス（TOLL）パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
NTD20N06LT4G ON SEMICONDUCTOR
オン・セミコンダクターNTD20N06LT4Gトランジスター
電源、コンバーター、パワーモーター制御およびブリッジ回路の低電圧、高速スイッチングアプリケーション向けに設計されています。
パワートランジスタ『CGD65A055S2』
簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能
『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワートランジスタ『CGD65A130SH2』
無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現
『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
高耐圧 VCEO=400V PNPトランジスタ
高いサージ耐量も兼ね備えた当社トップクラスの高耐圧製品
最大定格 VCEO=400V、IC=200mA リードタイプの PNP型トランジスタです。 この最大定格 VCEOは当社においてトップクラスであり、 同耐圧クラス品と比較してより高い電流能力とサージ耐量を有します。 特に サージ耐量は最弱端子にて、同耐圧クラス品の最大で4倍以上のサージ電圧 に耐えうることができます。
- 企業：イサハヤ電子株式会社
- 価格：応相談
ペアトランジスタ
Tr1とTr2のhFEとVBEのペアリングを保証！
hFE1、VBEのペアリングを保証しており、差動増幅回路への適用が可能です。 また、AEC-Q101にも対応しております。 高耐圧・低出力容量となっており、オーディオ機器に最適です。
- 企業：イサハヤ電子株式会社
- 価格：応相談
150V高耐圧バイポーラトランジスタ
ハイサイドMOSFETのゲート駆動、オーディオアンプに最適！
高耐圧・低出力容量となっており、ハイサイドMOSFETのゲート駆動、高い電源電圧のディスクリートアンプ など、オーディオ機器に最適です。 複合タイプは、隣接チップを搭載することで、hFE、VBEのペアリングを 保証、差動増幅回路やカレントミラー回路への適用が可能です。
- 企業：イサハヤ電子株式会社
- 価格：応相談
ミュート用トランジスタ
低Ron、高VEBOであり音声ミュート用トランジスタとして最適！
●コレクタ・エミッタ間飽和電圧が小さく、音声ミュート 用として最適です。 ●VEBOが高く逆流防止用ダイオードが不要です。 ●逆方向hFEが高く、負側の信号の音声ミュートも可能です。 ●小型面実装パッケージに加え、抵抗内蔵タイプ、複合タイプ （2個入り）、バッファーPNP複合タイプも取り揃えており、セット の小型化、高密度実装が可能です。
- 企業：イサハヤ電子株式会社
- 価格：応相談
SMMBTA56LT1G
High-voltage PNP transistor for reliable switching.
Key Features Device Type: PNP Bipolar Junction Transistor Configuration: Single Collector-Base Voltage (V<sub>CB): 80 V Collector-Emitter Voltage (V<sub>CE): 80 V Emitter-Base Voltage (V<sub>EB): 5 V Collector Current (I<sub>C): 500 mA Power Dissipation (P<sub>D): 225 mW DC Current Gain (h<sub>FE): 100 to 250 at 10 mA, 5 V Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Mounting Style: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 RoHS: Compliant
- 企業：WIN SOURCE ELECTRONICS株式会社
- 価格：応相談
パルスレーダー用RFパワートランジスタ
パルスレーダー用RFパワートランジスタ
○パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 《UHFレーダ用》 ・周波数：400 - 500MHz 米国ASI Semiconductor, Inc.（ASI）社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。
- 企業：株式会社電販
- 価格：応相談
