更新日： 集計期間:2025年08月06日～2025年09月02日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年08月06日～2025年09月02日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年08月06日～2025年09月02日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
16～30 件を表示 ／ 全 411 件
先端の性能と優れた信頼性！シリコンよりも出力とゲート電荷が10倍低く、高周波が可能
『CoolGaN 600V』は、魅力的なシステム全体のコストで堅牢で 信頼性の高いシステム設計を実現する製品です。 「GAN EiceDIVER IC」で「CoolGaN HEMT」を駆動すると、幅広いスイッチング 周波数とデューティサイクルにわたって設定可能な一定のGanスイッチング スルーレートにより、堅牢で効率的なGaN動作を実現します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！
『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラーチップを搭載
『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ！平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化
『CGD65B130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
高周波トランジスタ(fT=1.1～8GHz)ラインナップ紹介！
弊社量産中の高周波トランジスタのご紹介です。 本製品はシリコン高周波プロセスにより製造されており、利得帯域幅積(fT)が高く、チューナーやキーレスエントリーの発振回路やイメージセンサーの増幅回路などの高周波増幅用途に最適です。 fTが1.1GHz、4.5GHz、8GHzのラインナップを取り揃えており、SC-59、SC-70、SC-75Aの小型パッケージであるため、セットの小型化、高密度実装が可能です。 また、高周波トランジスタは他社国内メーカーではEOLとなっている製品が多数ありますが、弊社では継続生産しておりますので、他社製品のEOLでお困りの方は、この機会に是非ご検討ください。
【電子部品の調達支援】生産中止品（EOL品）や入手困難な電子部品・半導体の緊急調達をサポート！徹底的な検査体制を整備。
【こちらの型番製品をお探しですか？】 ■メーカー名：IXYS ■型番名：VMO550-01F オーエン株式会社は、生産中止や納期トラブルにより入手困難になった電子部品を 世界中のネットワークからスピーディーに緊急調達いたします。 必ずお見積書を発行いたしますので、発注前に詳細を確認できて安心です。 市場流通在庫を20年にも渡り見続けてきたベテラン検査員が検査を行い、 合格品のみを出荷します。全ての納品物には検査報告書を同封します。 【当社の検査体制】 ■X線検査 非破壊検査で内部構造を確認し、模造品や粗悪品を検出します。 ■マイクロスコープ リード曲がりや、印字フォントの違和感も細かく確認します。 ■デジタルノギス 100分の1mm単位の寸法測定で、巧妙に作られた模造品を検出します。 ■カーブトレーサー 端子間の電圧・電流の特性波形を画面上に表示し、不良品を検出します。 ★下記のリンクから当社ウェブサイトをご覧ください。 ★下記のダウンロードボタンからは、当社の会社案内をご覧いただけます。 ▼その他お問い合わせ可能な型番は、下記ラインナップをご参照ください。
【電子部品の調達支援】生産中止品（EOL品）や入手困難な電子部品・半導体の緊急調達をサポート！徹底的な検査体制を整備。
【こちらの型番製品をお探しですか？】 ■メーカー名：STMicro ■型番名：VNN3NV04PTR-E オーエン株式会社は、生産中止や納期トラブルにより入手困難になった電子部品を 世界中のネットワークからスピーディーに緊急調達いたします。 必ずお見積書を発行いたしますので、発注前に詳細を確認できて安心です。 市場流通在庫を20年にも渡り見続けてきたベテラン検査員が検査を行い、 合格品のみを出荷します。全ての納品物には検査報告書を同封します。 【当社の検査体制】 ■X線検査 非破壊検査で内部構造を確認し、模造品や粗悪品を検出します。 ■マイクロスコープ リード曲がりや、印字フォントの違和感も細かく確認します。 ■デジタルノギス 100分の1mm単位の寸法測定で、巧妙に作られた模造品を検出します。 ■カーブトレーサー 端子間の電圧・電流の特性波形を画面上に表示し、不良品を検出します。 ★下記のリンクから当社ウェブサイトをご覧ください。 ★下記のダウンロードボタンからは、当社の会社案内をご覧いただけます。 ▼その他お問い合わせ可能な型番は、下記ラインナップをご参照ください。
単一のトランジスタのように動作！非常に高い電流ゲインを実現
『ダーリントントランジスタ』は、低ベース電流から高いコレクタ電流を 得るために使用されるディスクリート半導体です。 複数のトランジスタを直結したダーリントン接続により、電流増幅率を 非常に大きくできる製品。一般的なトランジスタの電流増幅率(hFE)は 100程度ですが、ダーリントントランジスタは 2000以上が可能です。 これにより、僅かなベース電流で大きなコレクタ電流を流すことができます。 【ラインアップ(抜粋)】 ■STMicroelectronics NPN ダーリントンペア ULN2803A ■Texas Instruments NPN ダーリントントランジスタ ULN2803ADW ■Toshiba NPN ダーリントントランジスタ 2SD1223(TE16L1,NQ) ■Allegro Microsystems NPN+PNPダーリントントランジスタ A2982SLWTR-T ■onsemi NPN ダーリントントランジスタ MJH11022G ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
矢野経済研究所の次世代有機デバイス市場に関するマーケットレポートです。
有機半導体は、無機系にはない優れた特長を有するデバイスとして注目を集める ■ポイント 多くの領域における多彩なアプローチ 新奇な高機能エネルギー材料の開発は新時代へ ●有機トランジスタ：プリンタブルエレクトロニクスの代表格 ●有機薄膜太陽電池：低温の塗布プロセスが適用できるフレキシブルなプラスチック基板 ●有機熱電デバイス：IoT用センサーの電源への置き換えへ ●有機光エレクトロニクス素子：有機╱無機ハイブリダイゼーション等、有望展開が進む ●有機メモリー素子：有機トランジスタと同様のプロセスに組み込むことのできる必須素子 ●有機ナノマシン：DDSやナノ農業などの展開が期待 ※月刊誌「Yano E plus」（2023年6月号～2023年11月号）での関連特集をベースに編集、市場数値なども抜粋 発刊日：2023/11/21 体裁：A4 / 202頁 価格（税込）：198,000円（本体価格：180,000円）
シリコン・フォトトランジスタチップをメタルパッケージに組み込みました！
シリコンフォトトランジスタ KS853は、プレーナータイプのNPN型シリコン・フォトトランジスタチップをメタルパッケージに組み込んだフォトトランジスタです。 高感度NPNフォトトランジスタ（λp：900nm）を使用し、TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性があります。また、RoHS対応品もご用意しています。 フォトセンサ用受光素子、光電スイッチ用受光素子などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
5G 基地局用450W 内部整合GaN HEMT、9dBバックオフで55Wパワー
ファラッドは、HF、高周波GaN/LDMOSパワートランジスタを設計製造するISO9000/ISO14000認証メーカーInnogrationTechnologies（中国）社製品の取扱いを開始しました。 日本及び世界の半導体製造装置、工業用マイクロ波アンプ・ジェネレータ、4G/5G通信等の用途に数多く実績があります。 高効率・高出力を目指し2.45GHz帯390W GaN HEMT、5GHz帯100W GaNドーハティモジュール。各種パッケージに対応。 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定
発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を特定する例を紹介します。
ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります
市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。
『無料サンプル』進呈中！【PDFダウンロード】ボタンからお申し込み方法をご確認いただくか、関連リンクから直接お申し込みください。
小信号トランジスタ市場は2023-2028年に1億4,842万米ドル、予測期間中のCAGRは2.94%で成長すると予測されます。 本調査では、今後数年間の小信号トランジスタ市場の成長を牽引する主な要因の1つとして、産業における自動化の導入を挙げています。また、フィンフェット技術の需要拡大、通信ネットワーク強化の需要拡大が市場の大きな需要につながっています。
高度な拡散技術により、高性能・高信頼性
オプトテクノでは、センサの高機能化・複雑化にともなうさまざまなニーズにきめ細かにお応えするため、カスタム・メイド半導体の設計・製作に力を入れています。 半導体の小型化、軽量化、高密度化などお気軽にご相談ください。 試作品の仕様の打ち合わせから量産までトータル・システムで承っておりますので、製作工数や部品購入費・管理費の削減など、製造諸費用のさらなるコストダウンがはかれます。
