無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現
『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【スペック】 ■650V?12AeモードGaNパワースイッチ ■ICeGaNゲート技術により、高いゲート閾値、広いゲート閾値を実現、 ゲート電圧ウィンドウと優れたゲート堅牢性 ■ゲート駆動電圧9V～20V ■革新的なNL3無負荷、軽負荷昇圧回路効率 ■電流検出機能 ■0Vターンオフ用の統合ミラークランプ ■RDS(on)＝130mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■8x8mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
オーナーのVick AggarwalaはFuture/Alcatel/Nu Horizonsのアジア地区営業責任者として、15年以上の実績を踏まえ、独立後同社の拡大を図ってきました。 4,500社を超える顧客数、130を超える代理店製品を核として、18カ国の言語に対応した、きめの細かいサービスを提供しています。