【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価
Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能
GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。 本資料では、市販のGaN HEMTデバイスを解体し評価した事例をご紹介します。 HAADF-STEMにより、AlGaN/GaN界面近傍の結晶整合性を確認しました。また、EELSにより組成分布の評価を行いました。 測定法：TEM・EELS 製品分野：パワーデバイス 分析目的：構造評価・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
