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半導体のPN接合を利用！電流の増幅やスイッチング、交流電流から直流電流への変換などに使用
『バイポーラトランジスタ』は、半導体をNPN、または PNPと交互に 接合した素子です。 エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれる3つの端子で構成され、 ベース-エミッタ間に微弱な電流を流すとコレクタ-エミッタ間に 数十倍から数百倍の電流が流れます。 主に電圧・信号増幅やスイッチング制御などに用いられる製品です。 【ラインアップ(抜粋)】 ■onsemi トランジスタ KSC1815YTA ■Toshiba トランジスタ 2SC2712-Y(F) ■STMicroelectronics トランジスタ TIP31C ■ローム 抵抗内蔵トランジスタ DTC114EKAT146 ■Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ RN1102(TE85L F) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
製造中止品に対応! ASI社製ハイパワートランジスタ
◆HF用途 RFパワートランジスタ 広帯域増幅器用HFシリーズは2-30MHｚで安定した信号を出力します。 ◆VHF帯用途 RFパワートランジスタ VHF帯用パワートランジスタのラインナップ。 ◆UHF帯用途 RFパワートランジスタ UHF帯用パワートランジスタのラインナップ。 ◆航空電子用 RFパワートランジスタ 航空電子機器用パルストランジスタのラインナップ。 ◆パルスレーダー用 RFパワートランジスタ パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 ◆CW Microwave RFパワートランジスタ GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップ。 ◆放送局向 RFパワートランジスタ TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現しています。 ※詳しくは資料請求からお問い合わせ下さい。
航空宇宙用RFハイパワートランジスタ
○航空電子機器用パルストランジスタのラインナップをご紹介。 周波数：1 025 - 1150MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ（ASI）社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。
高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは、1Ghzまで使用可能
POINT NINE社は、RF パワートランジスタのマーケットにおいて最高級品質の 製品を目指しております。 MIL-Q-9858、MIL-I-45208、およびISO 9001：2000取得。 高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは 1Ghzまで使用可能で、通信衛星、ECMトランジスター、レーダー無線機などに 適しています。 【製品ラインアップ】 ■28V RF MOSFET's ■12V RF MOSFET's ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
日本対象！Si IGBT sとSiC MOSFETsの使用状況と今後の動向予想の調査レポート
当資料は、『車載パワートレイン＆パワートランジスタ』の 調査レポートです。 地球温暖対策、カーボンニュートラルの実現に向けて、自動車の電動化が 進み、各社実用化、市場競争が活発になっています。 電動化に対して「低損失」「高信頼性」「コスト」を決定する重要な 部品として、高耐圧パワーデバイス（IGBT、RC-IGBT、SiC）があげられます。 【掲載概要（抜粋）】 ■背景 ■レポート構成（目次） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ディスクリート/製造中止品(EOL品)の再生産
アンプレオンのBLF177は、高ゲインと低相互変調歪みを特徴とするHF/BHFパワーMOSトランジスタです。電力制御が容易で、熱安定性に優れ、全不可ミスマッチに耐えます。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！
『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラーチップを搭載
『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ！平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化
『CGD65B130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
高周波トランジスタ(fT=1.1～8GHz)ラインナップ紹介！
弊社量産中の高周波トランジスタのご紹介です。 本製品はシリコン高周波プロセスにより製造されており、利得帯域幅積(fT)が高く、チューナーやキーレスエントリーの発振回路やイメージセンサーの増幅回路などの高周波増幅用途に最適です。 fTが1.1GHz、4.5GHz、8GHzのラインナップを取り揃えており、SC-59、SC-70、SC-75Aの小型パッケージであるため、セットの小型化、高密度実装が可能です。 また、高周波トランジスタは他社国内メーカーではEOLとなっている製品が多数ありますが、弊社では継続生産しておりますので、他社製品のEOLでお困りの方は、この機会に是非ご検討ください。
単一のトランジスタのように動作！非常に高い電流ゲインを実現
『ダーリントントランジスタ』は、低ベース電流から高いコレクタ電流を 得るために使用されるディスクリート半導体です。 複数のトランジスタを直結したダーリントン接続により、電流増幅率を 非常に大きくできる製品。一般的なトランジスタの電流増幅率(hFE)は 100程度ですが、ダーリントントランジスタは 2000以上が可能です。 これにより、僅かなベース電流で大きなコレクタ電流を流すことができます。 【ラインアップ(抜粋)】 ■STMicroelectronics NPN ダーリントンペア ULN2803A ■Texas Instruments NPN ダーリントントランジスタ ULN2803ADW ■Toshiba NPN ダーリントントランジスタ 2SD1223(TE16L1 NQ) ■Allegro Microsystems NPN+PNPダーリントントランジスタ A2982SLWTR-T ■onsemi NPN ダーリントントランジスタ MJH11022G ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
汎用高耐圧増幅用の PNP エピタキシャルプレーナ型トランジスタ
・小型パッケージのSC-70を採用しています。 ・高耐圧：BVceo = -160V です。 ・ELM2N5551FAとコンプリメンタリです。 ・Pb フリー、ハロゲンフリーです。
シリコン・フォトトランジスタチップをメタルパッケージに組み込みました！
シリコンフォトトランジスタ KS853は、プレーナータイプのNPN型シリコン・フォトトランジスタチップをメタルパッケージに組み込んだフォトトランジスタです。 高感度NPNフォトトランジスタ（λp：900nm）を使用し、TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性があります。また、RoHS対応品もご用意しています。 フォトセンサ用受光素子、光電スイッチ用受光素子などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
高度な拡散技術により、高性能・高信頼性
オプトテクノでは、センサの高機能化・複雑化にともなうさまざまなニーズにきめ細かにお応えするため、カスタム・メイド半導体の設計・製作に力を入れています。 半導体の小型化、軽量化、高密度化などお気軽にご相談ください。 試作品の仕様の打ち合わせから量産までトータル・システムで承っておりますので、製作工数や部品購入費・管理費の削減など、製造諸費用のさらなるコストダウンがはかれます。
AEC-Q101規格もクリアしている高Vthの650V GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。
車載向けに高Vth、高信頼性、高パワーのGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタをご用意しました。
