パワートランジスタのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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パワートランジスタ - 企業5社の製品一覧とランキング

更新日: 集計期間:2025年04月16日~2025年05月13日
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企業ランキング

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  1. トランスフォーム・ジャパン株式会社 神奈川県/電子部品・半導体
  2. SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL 神奈川県/その他
  3. 株式会社電販 東京都/商社・卸売り
  4. 4 アスコット株式会社 大阪府/電子部品・半導体
  5. 4 株式会社エルテック 兵庫県/電子部品・半導体

製品ランキング

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  1. 高信頼性GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタTO-247 トランスフォーム・ジャパン株式会社
  2. パワートランジスタ『CGD65B240SH2』 SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
  3. 高周波ハイパワートランジスタ 株式会社電販
  4. RF パワートランジスタ アスコット株式会社
  5. 4 航空宇宙用RFハイパワートランジスタ 株式会社電販

製品一覧

1~15 件を表示 / 全 16 件

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高周波ハイパワートランジスタ

製造中止品に対応! ASI社製ハイパワートランジスタ

◆HF用途 RFパワートランジスタ 広帯域増幅器用HFシリーズは2-30MHzで安定した信号を出力します。 ◆VHF帯用途 RFパワートランジスタ VHF帯用パワートランジスタのラインナップ。 ◆UHF帯用途 RFパワートランジスタ UHF帯用パワートランジスタのラインナップ。 ◆航空電子用 RFパワートランジスタ 航空電子機器用パルストランジスタのラインナップ。 ◆パルスレーダー用 RFパワートランジスタ パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 ◆CW Microwave RFパワートランジスタ GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップ。 ◆放送局向 RFパワートランジスタ TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現しています。 ※詳しくは資料請求からお問い合わせ下さい。

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  • トランジスタ

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航空宇宙用RFハイパワートランジスタ

航空宇宙用RFハイパワートランジスタ

○航空電子機器用パルストランジスタのラインナップをご紹介。  周波数:1 025 - 1150MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ(ASI)社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス(旧SGSトムソン)社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。

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RF パワートランジスタ

高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは、1Ghzまで使用可能

POINT NINE社は、RF パワートランジスタのマーケットにおいて最高級品質の 製品を目指しております。 MIL-Q-9858、MIL-I-45208、およびISO 9001:2000取得。 高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは 1Ghzまで使用可能で、通信衛星、ECMトランジスター、レーダー無線機などに 適しています。 【製品ラインアップ】 ■28V RF MOSFET's ■12V RF MOSFET's ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【調査レポート】車載パワートレイン&パワートランジスタ

日本対象!Si IGBT sとSiC MOSFETsの使用状況と今後の動向予想の調査レポート

当資料は、『車載パワートレイン&パワートランジスタ』の 調査レポートです。 地球温暖対策、カーボンニュートラルの実現に向けて、自動車の電動化が 進み、各社実用化、市場競争が活発になっています。 電動化に対して「低損失」「高信頼性」「コスト」を決定する重要な 部品として、高耐圧パワーデバイス(IGBT、RC-IGBT、SiC)があげられます。 【掲載概要(抜粋)】 ■背景 ■レポート構成(目次) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワートランジスタ『CGD65B200S2』

幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現!

『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術!ゲートドライバーとコントローラーチップを搭載

『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワートランジスタ『CGD65B130S2』

高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ!平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化

『CGD65B130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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車載向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタ

AEC-Q101規格もクリアしている高Vthの650V GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。

車載向けに高Vth、高信頼性、高パワーのGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタをご用意しました。

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高信頼性GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタTO-247

汎用品向けのJEDEC規格高信頼GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。

ハイパワー向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。 安全にドライブできるように高Vthとなっております。

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  • スイッチング電源

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パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性!センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載!無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる

『CGD65B240SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-7.0AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能!

『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる!高電流、高耐圧を実現

『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パルスレーダー用RFパワートランジスタ

パルスレーダー用RFパワートランジスタ

○パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 《UHFレーダ用》 ・周波数:400 - 500MHz 米国ASI Semiconductor Inc.(ASI)社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス(旧SGSトムソン)社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。

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CWマイクロウェーブ RFパワートランジスタ

CWマイクロウェーブ RFパワートランジスタ

○GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップです。 米国ASI Semiconductor Inc.(ASI)社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス(旧SGSトムソン)社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせに応じて、設計変更のための時間や手間をかけることなくご希望の回路をデザインできるかも知れません。 ※詳細はカタログダウンロードからご覧ください。

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