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パワートランジスタ Product List and Ranking from 15 Manufacturers, Suppliers and Companies

Last Updated： Aggregation Period:2025年09月17日～2025年10月14日
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パワートランジスタ Manufacturer, Suppliers and Company Rankings

Last Updated： Aggregation Period:2025年09月17日～2025年10月14日
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  1. 株式会社アクアス 愛知県/民生用電気機器
  2. オーエン株式会社 埼玉県/電子部品・半導体
  3. トランスフォーム・ジャパン株式会社 神奈川県/電子部品・半導体
  4. 4 Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部 東京都/電子部品・半導体
  5. 4 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 東京都/電子部品・半導体
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パワートランジスタ Product ranking

Last Updated： Aggregation Period:2025年09月17日～2025年10月14日
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  1. パワートランジスタ 代替品・セカンドソース品 株式会社アクアス
  2. 【Infineon：IRLZ34NPBF】 オーエン株式会社
  3. 車載向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタ トランスフォーム・ジャパン株式会社
  4. 【継続供給サポート】「インフィニオン」製造中止品BTS555 Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部
  5. 『LMG5200』 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

パワートランジスタ Product List

1～15 item / All 91 items

Displayed results
【GaN-on-Si】EPC Space社のご紹介【宇宙】

【GaN-on-Si】EPC Space社のご紹介【宇宙】

重要な宇宙ミッション向けに小型・軽量な　回路を実現！

EPCSpace社は、GaN-on-Siパワーデバイスの大手EPC社と航空宇宙用途のDCDCコンバータを提供するVPT社との合弁会社です。 衛星および高信頼性アプリケーション向けにRad Hard GaN-on-Si トランジスタのソリューションを提供。 電源/光検出と測距(ライダー)/モーター駆動/イオンスラスターなど様々な用途で、宇宙での特殊な環境に対応します。 【製品】 ■Rad Hard GaN Packaged Discretes ・https://epc.space/products/gan-discretes/ ■Rad Hard GaN on Ceramic Adaptor ・https://epc.space/products/rad-hard-gan-die-on-ceramic-adaptor/ ■Rad Hard GaN Drivers and Power Stages ・https://epc.space/products/drivers-and-power-stages/ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • EPC Space社2.png
  • EPC Space社3.png
  • EPC Space社4.png
  • EPC Space社5.png
  • コンバーター

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『LMG5200』

『LMG5200』

完全集積型80V GaNハーフ・ブリッジ電源モジュール『LMG5200』

『LMG5200』デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを 加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する 統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。 このデバイスは2つの80V GaN FETで構成され、1つの高周波数GaN FETドライバにより ハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。 GaN FETは逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量CISSが非常に小さいため、 電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを 一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの 寄生要素は最小限に抑えられます。 LMG5200デバイスは、6mm×8mm×2mmの鉛フリー・パッケージで供給され、 簡単にPCBへ取り付けできます。 【特長】 ■低消費電力 ■絶縁/非絶縁型アプリケーションに最適 ■1個の80V 10Aドライバと2個の80V 15mΩ GaN FETを集積 ■ゲート・ドライバは最大10MHzのスイッチングが可能 ※詳細はお問い合わせください。

  • その他半導体
  • その他電源

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高周波ハイパワートランジスタ

高周波ハイパワートランジスタ

製造中止品に対応! ASI社製ハイパワートランジスタ

◆HF用途　RFパワートランジスタ 広帯域増幅器用HFシリーズは2-30MHｚで安定した信号を出力します。 ◆VHF帯用途　RFパワートランジスタ VHF帯用パワートランジスタのラインナップ。 ◆UHF帯用途　RFパワートランジスタ UHF帯用パワートランジスタのラインナップ。 ◆航空電子用　RFパワートランジスタ 航空電子機器用パルストランジスタのラインナップ。 ◆パルスレーダー用　RFパワートランジスタ パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 ◆CW Microwave RFパワートランジスタ GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップ。 ◆放送局向　RFパワートランジスタ TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現しています。 ※詳しくは資料請求からお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品
  • トランジスタ

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航空宇宙用RFハイパワートランジスタ

航空宇宙用RFハイパワートランジスタ

航空宇宙用RFハイパワートランジスタ

○航空電子機器用パルストランジスタのラインナップをご紹介。 　周波数：1,025 - 1150MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ（ASI）社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。

  • その他電子部品
  • トランス

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RF パワートランジスタ

RF パワートランジスタ

高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは、1Ghzまで使用可能

POINT NINE社は、RF パワートランジスタのマーケットにおいて最高級品質の 製品を目指しております。 MIL-Q-9858、MIL-I-45208、およびISO 9001：2000取得。 高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは 1Ghzまで使用可能で、通信衛星、ECMトランジスター、レーダー無線機などに 適しています。 【製品ラインアップ】 ■28V RF MOSFET's ■12V RF MOSFET's ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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『600V エンハンスモード GaN HEMTs』

『600V エンハンスモード GaN HEMTs』

スイッチング電源(SMPS)に最適な高効率 窒化ガリウム(GaN) HEMT

Infineon Technologies社の『CoolGaN 600Vシリーズ』は、GaNに特化した特定認定プロセスに従って実現されており、堅牢で信頼性の高いソリューションです。 高い性能を発揮するSMDパッケージをベースとした、GaNのメリットを 最大限に活用したインフィニオンのラインアップとなっています。 【特長】 ■600Vパワーデバイス ■ハード・スイッチング・トポロジーとソフトスイッチング・トポロジーに好適 ■電源ターンオンとターンオフ用に好適化済み ■革新的なソリューションと大量生産を実現する先端技術 ■スイッチング電源（SMPS）向けの高効率 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品
  • その他半導体

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【調査レポート】車載パワートレイン＆パワートランジスタ

【調査レポート】車載パワートレイン＆パワートランジスタ

日本対象！Si IGBT sとSiC MOSFETsの使用状況と今後の動向予想の調査レポート

当資料は、『車載パワートレイン＆パワートランジスタ』の 調査レポートです。 地球温暖対策、カーボンニュートラルの実現に向けて、自動車の電動化が 進み、各社実用化、市場競争が活発になっています。 電動化に対して「低損失」「高信頼性」「コスト」を決定する重要な 部品として、高耐圧パワーデバイス（IGBT、RC-IGBT、SiC）があげられます。 【掲載概要（抜粋）】 ■背景 ■レポート構成（目次） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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【半導体継続供給】AmpleonのVDMOS RFパワー製品

【半導体継続供給】AmpleonのVDMOS RFパワー製品

Ampleon 認定：VDMOS ポートフォリオ

ロチェスターエレクトロニクスは、アンプレオンとの協業により、通信、ISM、航空宇宙そして防衛通信などのアプリケーションに向けて、同社のVDMOS RFパワー製品の継続供給ソリューションを提供します。 VDMOS製品は非常に頑丈で、熱抵抗が低いため、MRIシステム、プラズマ・ジェネレータ、Lバンドレーダーシステム、非セルラー通信などの高速で高出力のスイッチング・アプリケーションに最適です。 詳しくはぜひカタログをダウンロード、もしくはお気軽にお問合せください！ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。

  • 基板設計・製造

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CoolGaN 600V e-mode GaN HEMT

CoolGaN 600V e-mode GaN HEMT

最高水準の品質を備えたクラス最高レベルの効率とパワー密度！

『CoolGaN 600V e-mode GaN HEMT』は、通信機器、データ通信、サーバSMPS に加え、ワイヤレス充電、充電器、アダプターなどに適している製品です。 表面実装パッケージによるGaNスイッチング性能の最適化が可能。 使いやすい強力なドライバICです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • e-mode GaN HEMT2.PNG
  • e-mode GaN HEMT3.PNG
  • e-mode GaN HEMT4.PNG
  • その他半導体

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パワートランジスタ『CGD65B200S2』

パワートランジスタ『CGD65B200S2』

幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！

『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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パワートランジスタ『CGD65A130S2』

パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラーチップを搭載

『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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５G、WPT、ISMバンド向けハイパワーGaN/LDMOSを販売

５G、WPT、ISMバンド向けハイパワーGaN/LDMOSを販売

5G 基地局用450W 内部整合GaN HEMT、9dBバックオフで55Wパワー

ファラッドは、HF、高周波GaN/LDMOSパワートランジスタを設計製造するISO9000/ISO14000認証メーカーInnogrationTechnologies（中国）社製品の取扱いを開始しました。 日本及び世界の半導体製造装置、工業用マイクロ波アンプ・ジェネレータ、4G/5G通信等の用途に数多く実績があります。 高効率・高出力を目指し2.45GHz帯390W GaN HEMT、5GHz帯100W GaNドーハティモジュール。各種パッケージに対応。 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アンプ

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【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。

  • 受託解析

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【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice＆Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。 測定法：Slice＆View・SEM-EDX・EMS 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

  • img_C0711_2.jpg
  • 受託解析
  • 受託測定

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車載向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタ

車載向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタ

AEC-Q101規格もクリアしている高Vthの650V GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。

車載向けに高Vth、高信頼性、高パワーのGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタをご用意しました。

  • トランジスタ

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