パワートランジスタのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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パワートランジスタ - メーカー・企業15社の製品一覧とランキング | イプロスものづくり

更新日: 集計期間:2026年02月11日~2026年03月10日
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パワートランジスタのメーカー・企業ランキング

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  1. オーエン株式会社 埼玉県/電子部品・半導体
  2. トランスフォーム・ジャパン株式会社 神奈川県/電子部品・半導体
  3. 株式会社アクアス 愛知県/民生用電気機器
  4. Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部 東京都/電子部品・半導体
  5. 株式会社ジェピコ 本社、大阪支店、名古屋支店、練馬支店 東京都/産業用電気機器

パワートランジスタの製品ランキング

更新日: 集計期間:2026年02月11日~2026年03月10日
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  1. JSCJ パワートランジスタ 株式会社アクアス
  2. 【ROHM:RSR010N10TL】 オーエン株式会社
  3. 高信頼性GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタTO-247 トランスフォーム・ジャパン株式会社
  4. 【継続供給サポート】「インフィニオン」製造中止品BTS555 Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部
  5. 4 【GaN-on-Si】EPC Space社のご紹介【宇宙】 株式会社ジェピコ 本社、大阪支店、名古屋支店、練馬支店

パワートランジスタの製品一覧

1~30 件を表示 / 全 91 件

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【GaN-on-Si】EPC Space社のご紹介【宇宙】

重要な宇宙ミッション向けに小型・軽量な 回路を実現!

EPCSpace社は、GaN-on-Siパワーデバイスの大手EPC社と航空宇宙用途のDCDCコンバータを提供するVPT社との合弁会社です。 衛星および高信頼性アプリケーション向けにRad Hard GaN-on-Si トランジスタのソリューションを提供。 電源/光検出と測距(ライダー)/モーター駆動/イオンスラスターなど様々な用途で、宇宙での特殊な環境に対応します。 【製品】 ■Rad Hard GaN Packaged Discretes ・https://epc.space/products/gan-discretes/ ■Rad Hard GaN on Ceramic Adaptor ・https://epc.space/products/rad-hard-gan-die-on-ceramic-adaptor/ ■Rad Hard GaN Drivers and Power Stages ・https://epc.space/products/drivers-and-power-stages/ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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『LMG5200』

完全集積型80V GaNハーフ・ブリッジ電源モジュール『LMG5200』

『LMG5200』デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを 加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する 統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。 このデバイスは2つの80V GaN FETで構成され、1つの高周波数GaN FETドライバにより ハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。 GaN FETは逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量CISSが非常に小さいため、 電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを 一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの 寄生要素は最小限に抑えられます。 LMG5200デバイスは、6mm×8mm×2mmの鉛フリー・パッケージで供給され、 簡単にPCBへ取り付けできます。 【特長】 ■低消費電力 ■絶縁/非絶縁型アプリケーションに最適 ■1個の80V 10Aドライバと2個の80V 15mΩ GaN FETを集積 ■ゲート・ドライバは最大10MHzのスイッチングが可能 ※詳細はお問い合わせください。

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高周波ハイパワートランジスタ

製造中止品に対応! ASI社製ハイパワートランジスタ

◆HF用途 RFパワートランジスタ 広帯域増幅器用HFシリーズは2-30MHzで安定した信号を出力します。 ◆VHF帯用途 RFパワートランジスタ VHF帯用パワートランジスタのラインナップ。 ◆UHF帯用途 RFパワートランジスタ UHF帯用パワートランジスタのラインナップ。 ◆航空電子用 RFパワートランジスタ 航空電子機器用パルストランジスタのラインナップ。 ◆パルスレーダー用 RFパワートランジスタ パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 ◆CW Microwave RFパワートランジスタ GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップ。 ◆放送局向 RFパワートランジスタ TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現しています。 ※詳しくは資料請求からお問い合わせ下さい。

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航空宇宙用RFハイパワートランジスタ

航空宇宙用RFハイパワートランジスタ

○航空電子機器用パルストランジスタのラインナップをご紹介。  周波数:1,025 - 1150MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ(ASI)社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス(旧SGSトムソン)社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。

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RF パワートランジスタ

高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは、1Ghzまで使用可能

POINT NINE社は、RF パワートランジスタのマーケットにおいて最高級品質の 製品を目指しております。 MIL-Q-9858、MIL-I-45208、およびISO 9001:2000取得。 高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは 1Ghzまで使用可能で、通信衛星、ECMトランジスター、レーダー無線機などに 適しています。 【製品ラインアップ】 ■28V RF MOSFET's ■12V RF MOSFET's ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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『600V エンハンスモード GaN HEMTs』

スイッチング電源(SMPS)に最適な高効率 窒化ガリウム(GaN) HEMT

Infineon Technologies社の『CoolGaN 600Vシリーズ』は、GaNに特化した特定認定プロセスに従って実現されており、堅牢で信頼性の高いソリューションです。 高い性能を発揮するSMDパッケージをベースとした、GaNのメリットを 最大限に活用したインフィニオンのラインアップとなっています。 【特長】 ■600Vパワーデバイス ■ハード・スイッチング・トポロジーとソフトスイッチング・トポロジーに好適 ■電源ターンオンとターンオフ用に好適化済み ■革新的なソリューションと大量生産を実現する先端技術 ■スイッチング電源(SMPS)向けの高効率 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【調査レポート】車載パワートレイン&パワートランジスタ

日本対象!Si IGBT sとSiC MOSFETsの使用状況と今後の動向予想の調査レポート

当資料は、『車載パワートレイン&パワートランジスタ』の 調査レポートです。 地球温暖対策、カーボンニュートラルの実現に向けて、自動車の電動化が 進み、各社実用化、市場競争が活発になっています。 電動化に対して「低損失」「高信頼性」「コスト」を決定する重要な 部品として、高耐圧パワーデバイス(IGBT、RC-IGBT、SiC)があげられます。 【掲載概要(抜粋)】 ■背景 ■レポート構成(目次) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【半導体継続供給】AmpleonのVDMOS RFパワー製品

Ampleon 認定:VDMOS ポートフォリオ

ロチェスターエレクトロニクスは、アンプレオンとの協業により、通信、ISM、航空宇宙そして防衛通信などのアプリケーションに向けて、同社のVDMOS RFパワー製品の継続供給ソリューションを提供します。 VDMOS製品は非常に頑丈で、熱抵抗が低いため、MRIシステム、プラズマ・ジェネレータ、Lバンドレーダーシステム、非セルラー通信などの高速で高出力のスイッチング・アプリケーションに最適です。 詳しくはぜひカタログをダウンロード、もしくはお気軽にお問合せください! ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。

  • 基板設計・製造
  • パワートランジスタ

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CoolGaN 600V e-mode GaN HEMT

最高水準の品質を備えたクラス最高レベルの効率とパワー密度!

『CoolGaN 600V e-mode GaN HEMT』は、通信機器、データ通信、サーバSMPS に加え、ワイヤレス充電、充電器、アダプターなどに適している製品です。 表面実装パッケージによるGaNスイッチング性能の最適化が可能。 使いやすい強力なドライバICです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。  詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワートランジスタ『CGD65B200S2』

幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現!

『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ
  • パワートランジスタ

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パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術!ゲートドライバーとコントローラーチップを搭載

『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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5G、WPT、ISMバンド向けハイパワーGaN/LDMOSを販売

5G 基地局用450W 内部整合GaN HEMT、9dBバックオフで55Wパワー

ファラッドは、HF、高周波GaN/LDMOSパワートランジスタを設計製造するISO9000/ISO14000認証メーカーInnogrationTechnologies(中国)社製品の取扱いを開始しました。 日本及び世界の半導体製造装置、工業用マイクロ波アンプ・ジェネレータ、4G/5G通信等の用途に数多く実績があります。 高効率・高出力を目指し2.45GHz帯390W GaN HEMT、5GHz帯100W GaNドーハティモジュール。各種パッケージに対応。 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アンプ
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【分析事例】パワートランジスタ(DMOSFET)の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。

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【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

Slice&Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice&Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。 測定法:Slice&View・SEM-EDX・EMS 製品分野:パワーデバイス 分析目的:故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

  • img_C0711_2.jpg
  • 受託解析
  • 受託測定
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車載向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタ

AEC-Q101規格もクリアしている高Vthの650V GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。

車載向けに高Vth、高信頼性、高パワーのGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタをご用意しました。

  • トランジスタ
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【継続供給サポート】「インフィニオン」製造中止品BTS555

インフィニオン認定:製造中止品BTS555のソリューション・プロバイダー/製造中止品(EOL品)の再生産

高度に集積化されたPROFETファミリー(PROtected FET)は、幅広いスマート機能を備えています。 インテリジェントなPROFETパワーハイサイドスイッチは、DMOSパワートランジスタとCMOS論理回路で構成され必要なすべての保護機能を内部に備えています。 インフィニオンのスマート・ハイサイドパワースイッチBTS555は、PROFET ファミリー製品の一種です。 チャージポンプ、電力制御入力および負荷電流検出などの診断フィードバックを備えたNチャネル垂直パワーFETを内蔵し、Smart SIPMOSチップオンチップ技術に統合されています。 ロチェスターでは製造中止となった製品を多数在庫保有しております。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 ※詳細はぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。

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【EOL品/半導体】STマイクロ認定の継続供給サポート

現行品および製造中止品(EOL品)への継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産

ロチェスターエレクトロニクスはSTマイクロエレクトロニクスとパートナーシップを締結しております。 このパートナーシップの下、ロチェスターではSTマイクロエレクトロニクスの設計に対して拡張された製品ライフサイクルの管理を提供しています。 これには供給が制限される時期における現行品である重要な部品のサポートや、下記の製品における製造中止品(EOL品)の継続的な供給が含まれます: ・産業用・車載用パワーマネジメント製品 ・パワートランジスタ(IGBT、シリコンカーバイド・パワーMOSFETなど) ・保護製品 ・アンプ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

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【継続供給】IGBT、MOSFET、バイポーラトランジスタ製品

20億個以上のトランジスタとゲートドライバICを保有 /製造中止品(EOL品)の再生産

IGBT、MOSFET、バイポーラトランジスタなどのパワー系ディスクリート製品は、産業、エネルギー、防衛など幅広い用途で使用されており、車載用途での使用も増えていることから、リードタイムが長くなっています。 これらの入手困難な部品の継続供給をサポートするため、ロチェスターエレクトロニクスは20、000 品番に対応する 20億個以上のトランジスタとゲートドライバICを保有しております。当社の在庫は、現行品および製造中止品の両方があり、その内の40%が20週間を超えるリードタイムを有する製品です。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

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【RF設計者向け/半導体EOL】再設計を回避するためのサポート

アンプレオンのLDMOS/VDMOS/GaN1 パワートランジスタのエンドtoエンドサポート/製造中止品(EOL品)の再生産

ロチェスターは、325品番から構成される150万個以上のアンプレオンの完成品在庫を保有しています。さらに、製造中止品の再生産を行うためのウェハおよびダイの在庫も保有しています。当社が保有する製品は、オリジナル半導体メーカーに認定された正規品であり、保証されているため、長年にわたって入手が可能です。 製品ポートフォリオ: BLF177 HF/VHF パワーMOSトランジスタ BLF278 VHFプッシュプルパワーVDMOSトランジスタ BLF3G21-30 UHFパワーLDMOSトランジスタ BLF404 UHFパワーMOSトランジスタ BLF521 BLF521 - UHFパワーVDMOSトランジスタ BLL1214 LバンドラダーLDMOSトランジスタ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。

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IPT008N06NM5LF/IPT013N08NM5LF

広い安全動作領域を実現!互換性のあるフットプリントにより、ドロップイン交換が可能

『IPT008N06NM5LF/IPT013N08NM5LF』は、TOLLパッケージと組み合わせる ことにより、ホットスワップ、e-fuse、テレコムやバッテリー管理システムで 一般的に見られる保護アプリケーションなどの高突入電流アプリケーションを ターゲットにしています。 高い突入電流により、迅速なスタートアップとダウンタイムの短縮を実現。 TOLLパッケージは、効率性、優れたEMI特性、熱性能、省スペース化が 求められる場合に好適なソリューションです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低いRDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■TO-リードレス(TOLL)パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性!センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる!高電流、高耐圧を実現

『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パルスレーダー用RFパワートランジスタ

パルスレーダー用RFパワートランジスタ

○パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 《UHFレーダ用》 ・周波数:400 - 500MHz 米国ASI Semiconductor, Inc.(ASI)社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス(旧SGSトムソン)社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。

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CWマイクロウェーブ RFパワートランジスタ

CWマイクロウェーブ RFパワートランジスタ

○GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップです。 米国ASI Semiconductor, Inc.(ASI)社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス(旧SGSトムソン)社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせに応じて、設計変更のための時間や手間をかけることなくご希望の回路をデザインできるかも知れません。 ※詳細はカタログダウンロードからご覧ください。

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放送局向け RFパワートランジスタ

放送局向け RFパワートランジスタ

○TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現しています。  ・FM放送用 周波数 :108MHz  ・TV用 周波数 :225MHz  ・TV用 周波数 :860MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ(ASI)社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス(旧SGSトムソン)社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ、設計変更のための時間や手間をかけることなく、 ご希望の回路をデザインできるかも知れません。 ※詳細はカタログダウンロードからご覧ください。

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【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率*低スイッチング損失

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 <特徴> ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ ・RoHS対応 ・JEDEC 規格準拠 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。

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JSCJ パワートランジスタ

【JSCJ パワートランジスタ】高耐圧・高電流のスイッチング素子|互換品・代替品として優れた高コスパ半導体

当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJ のパワートランジスタ(Power Transistor) は、高耐圧・高電流に対応したスイッチング素子で、電源回路やモータ制御など負荷の大きい用途に最適な半導体デバイスです。 多くの製品が 他メーカーのパワートランジスタと互換性があり、代替品としてそのまま使用できるため、既存回路の置き換えや量産コストの削減に大きく貢献します。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017)の江蘇長電科技有限公司(JCET)のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品お探しいたします、お気軽にお問合せください。

  • JSCJ.jpg
  • スイッチ
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パワートランジスタ『CGD65B130S2』

高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ!平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化

『CGD65B130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【Infineon:BSC670N25NSFDATMA1】

【電子部品の調達支援】生産中止品(EOL品)や入手困難な電子部品・半導体の緊急調達をサポート!徹底的な検査体制を整備。

【こちらの型番製品をお探しですか?】 ■メーカー名:Infineon ■型番名:BSC670N25NSFDATMA1 オーエン株式会社は、生産中止や納期トラブルにより入手困難になった電子部品を 世界中のネットワークからスピーディーに緊急調達いたします。 必ずお見積書を発行いたしますので、発注前に詳細を確認できて安心です。 市場流通在庫を20年にも渡り見続けてきたベテラン検査員が検査を行い、 合格品のみを出荷します。全ての納品物には検査報告書を同封します。 【当社の検査体制】 ■X線検査 非破壊検査で内部構造を確認し、模造品や粗悪品を検出します。 ■マイクロスコープ リード曲がりや、印字フォントの違和感も細かく確認します。 ■デジタルノギス 100分の1mm単位の寸法測定で、巧妙に作られた模造品を検出します。 ■カーブトレーサー 端子間の電圧・電流の特性波形を画面上に表示し、不良品を検出します。 ★下記のリンクから当社ウェブサイトをご覧ください。 ★下記のダウンロードボタンからは、当社の会社案内をご覧いただけます。 ▼その他お問い合わせ可能な型番は、下記ラインナップをご参照ください。

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【Infineon:BTS117TCBUMA1】

【電子部品の調達支援】生産中止品(EOL品)や入手困難な電子部品・半導体の緊急調達をサポート!徹底的な検査体制を整備。

【こちらの型番製品をお探しですか?】 ■メーカー名:Infineon ■型番名:BTS117TCBUMA1 オーエン株式会社は、生産中止や納期トラブルにより入手困難になった電子部品を 世界中のネットワークからスピーディーに緊急調達いたします。 必ずお見積書を発行いたしますので、発注前に詳細を確認できて安心です。 市場流通在庫を20年にも渡り見続けてきたベテラン検査員が検査を行い、 合格品のみを出荷します。全ての納品物には検査報告書を同封します。 【当社の検査体制】 ■X線検査 非破壊検査で内部構造を確認し、模造品や粗悪品を検出します。 ■マイクロスコープ リード曲がりや、印字フォントの違和感も細かく確認します。 ■デジタルノギス 100分の1mm単位の寸法測定で、巧妙に作られた模造品を検出します。 ■カーブトレーサー 端子間の電圧・電流の特性波形を画面上に表示し、不良品を検出します。 ★下記のリンクから当社ウェブサイトをご覧ください。 ★下記のダウンロードボタンからは、当社の会社案内をご覧いただけます。 ▼その他お問い合わせ可能な型番は、下記ラインナップをご参照ください。

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