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業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失
BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 ＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ ・RoHS対応 ・JEDEC 規格準拠 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。
スイッチング電源(SMPS)に最適な高効率 窒化ガリウム(GaN) HEMT
Infineon Technologies社の『CoolGaN 600Vシリーズ』は、GaNに特化した特定認定プロセスに従って実現されており、堅牢で信頼性の高いソリューションです。 高い性能を発揮するSMDパッケージをベースとした、GaNのメリットを 最大限に活用したインフィニオンのラインアップとなっています。 【特長】 ■600Vパワーデバイス ■ハード・スイッチング・トポロジーとソフトスイッチング・トポロジーに好適 ■電源ターンオンとターンオフ用に好適化済み ■革新的なソリューションと大量生産を実現する先端技術 ■スイッチング電源（SMPS）向けの高効率 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
日本対象！Si IGBT sとSiC MOSFETsの使用状況と今後の動向予想の調査レポート
当資料は、『車載パワートレイン＆パワートランジスタ』の 調査レポートです。 地球温暖対策、カーボンニュートラルの実現に向けて、自動車の電動化が 進み、各社実用化、市場競争が活発になっています。 電動化に対して「低損失」「高信頼性」「コスト」を決定する重要な 部品として、高耐圧パワーデバイス（IGBT、RC-IGBT、SiC）があげられます。 【掲載概要（抜粋）】 ■背景 ■レポート構成（目次） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最高水準の品質を備えたクラス最高レベルの効率とパワー密度！
『CoolGaN 600V e-mode GaN HEMT』は、通信機器、データ通信、サーバSMPS に加え、ワイヤレス充電、充電器、アダプターなどに適している製品です。 表面実装パッケージによるGaNスイッチング性能の最適化が可能。 使いやすい強力なドライバICです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！
『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラーチップを搭載
『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ！平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化
『CGD65B130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
【電子部品の調達支援】生産中止品（EOL品）や入手困難な電子部品・半導体の緊急調達をサポート！徹底的な検査体制を整備。
【こちらの型番製品をお探しですか？】 ■メーカー名：IXYS ■型番名：VMO550-01F オーエン株式会社は、生産中止や納期トラブルにより入手困難になった電子部品を 世界中のネットワークからスピーディーに緊急調達いたします。 必ずお見積書を発行いたしますので、発注前に詳細を確認できて安心です。 市場流通在庫を20年にも渡り見続けてきたベテラン検査員が検査を行い、 合格品のみを出荷します。全ての納品物には検査報告書を同封します。 【当社の検査体制】 ■X線検査 非破壊検査で内部構造を確認し、模造品や粗悪品を検出します。 ■マイクロスコープ リード曲がりや、印字フォントの違和感も細かく確認します。 ■デジタルノギス 100分の1mm単位の寸法測定で、巧妙に作られた模造品を検出します。 ■カーブトレーサー 端子間の電圧・電流の特性波形を画面上に表示し、不良品を検出します。 ★下記のリンクから当社ウェブサイトをご覧ください。 ★下記のダウンロードボタンからは、当社の会社案内をご覧いただけます。 ▼その他お問い合わせ可能な型番は、下記ラインナップをご参照ください。
【電子部品の調達支援】生産中止品（EOL品）や入手困難な電子部品・半導体の緊急調達をサポート！徹底的な検査体制を整備。
【こちらの型番製品をお探しですか？】 ■メーカー名：STMicro ■型番名：VNN3NV04PTR-E オーエン株式会社は、生産中止や納期トラブルにより入手困難になった電子部品を 世界中のネットワークからスピーディーに緊急調達いたします。 必ずお見積書を発行いたしますので、発注前に詳細を確認できて安心です。 市場流通在庫を20年にも渡り見続けてきたベテラン検査員が検査を行い、 合格品のみを出荷します。全ての納品物には検査報告書を同封します。 【当社の検査体制】 ■X線検査 非破壊検査で内部構造を確認し、模造品や粗悪品を検出します。 ■マイクロスコープ リード曲がりや、印字フォントの違和感も細かく確認します。 ■デジタルノギス 100分の1mm単位の寸法測定で、巧妙に作られた模造品を検出します。 ■カーブトレーサー 端子間の電圧・電流の特性波形を画面上に表示し、不良品を検出します。 ★下記のリンクから当社ウェブサイトをご覧ください。 ★下記のダウンロードボタンからは、当社の会社案内をご覧いただけます。 ▼その他お問い合わせ可能な型番は、下記ラインナップをご参照ください。
高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定
発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を特定する例を紹介します。
ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります
市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。
現行品および製造中止品(EOL品)への継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスはSTマイクロエレクトロニクスとパートナーシップを締結しております。 このパートナーシップの下、ロチェスターではSTマイクロエレクトロニクスの設計に対して拡張された製品ライフサイクルの管理を提供しています。 これには供給が制限される時期における現行品である重要な部品のサポートや、下記の製品における製造中止品(EOL品)の継続的な供給が含まれます： ・産業用・車載用パワーマネジメント製品 ・パワートランジスタ(IGBT、シリコンカーバイド・パワーMOSFETなど) ・保護製品 ・アンプ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
20億個以上のトランジスタとゲートドライバICを保有 /製造中止品(EOL品)の再生産
IGBT、MOSFET、バイポーラトランジスタなどのパワー系ディスクリート製品は、産業、エネルギー、防衛など幅広い用途で使用されており、車載用途での使用も増えていることから、リードタイムが長くなっています。 これらの入手困難な部品の継続供給をサポートするため、ロチェスターエレクトロニクスは20、000 品番に対応する 20億個以上のトランジスタとゲートドライバICを保有しております。当社の在庫は、現行品および製造中止品の両方があり、その内の40％が20週間を超えるリードタイムを有する製品です。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
アンプレオンのLDMOS/VDMOS/GaN1 パワートランジスタのエンドtoエンドサポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターは、325品番から構成される150万個以上のアンプレオンの完成品在庫を保有しています。さらに、製造中止品の再生産を行うためのウェハおよびダイの在庫も保有しています。当社が保有する製品は、オリジナル半導体メーカーに認定された正規品であり、保証されているため、長年にわたって入手が可能です。 製品ポートフォリオ： BLF177 HF/VHF パワーMOSトランジスタ BLF278 VHFプッシュプルパワーVDMOSトランジスタ BLF3G21-30 UHFパワーLDMOSトランジスタ BLF404 UHFパワーMOSトランジスタ BLF521 BLF521 - UHFパワーVDMOSトランジスタ BLL1214 LバンドラダーLDMOSトランジスタ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
広い安全動作領域を実現！互換性のあるフットプリントにより、ドロップイン交換が可能
『IPT008N06NM5LF/IPT013N08NM5LF』は、TOLLパッケージと組み合わせる ことにより、ホットスワップ、e-fuse、テレコムやバッテリー管理システムで 一般的に見られる保護アプリケーションなどの高突入電流アプリケーションを ターゲットにしています。 高い突入電流により、迅速なスタートアップとダウンタイムの短縮を実現。 TOLLパッケージは、効率性、優れたEMI特性、熱性能、省スペース化が 求められる場合に好適なソリューションです。 【特長】 ■広い安全動作領域（SOA） ■低いRDS（on） ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■TO-リードレス（TOLL）パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
