Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能
裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice＆Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。 測定法：Slice＆View・SEM-EDX・EMS 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
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