完全集積型80V GaNハーフ・ブリッジ電源モジュール『LMG5200』
『LMG5200』デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを 加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する 統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。 このデバイスは2つの80V GaN FETで構成され、1つの高周波数GaN FETドライバにより ハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。 GaN FETは逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量CISSが非常に小さいため、 電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを 一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの 寄生要素は最小限に抑えられます。 LMG5200デバイスは、6mm×8mm×2mmの鉛フリー・パッケージで供給され、 簡単にPCBへ取り付けできます。 【特長】 ■低消費電力 ■絶縁/非絶縁型アプリケーションに最適 ■1個の80V 10Aドライバと2個の80V 15mΩ GaN FETを集積 ■ゲート・ドライバは最大10MHzのスイッチングが可能 ※詳細はお問い合わせください。
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基本情報
【その他の特長】 ■逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量CISSが非常に小さいため、 電力変換に大きなメリットを提供 ■パッケージによる寄生インダクタンスを最小化 ■パッケージは6 x 8 x 2mmのQFM ■評価モジュールも用意 ※詳細はお問い合わせください。
用途／実績例
【用途】 ■小フォーム・ファクタで高周波、高効率が求められる絶縁/非絶縁型アプリケーション ※詳細はお問い合わせください。
企業情報
テキサス・インスツルメンツ（本社：米国テキサス州ダラス、会長、社長兼 CEO：リッチ・テンプルトン、略称：TI）は、世界を「もっと便利に、健やかに、安全に、環境にやさしく、かつ楽しく」するような新しいエレクトロニクス機器を開発できるよう、お客様を支援し、共に課題解決に取り組んでいます。TI は世界 30 ヶ国以上に製造、設計ならびに販売拠点を展開し、イノベーションを追求し続けています。 TI のアナログ IC と組み込みプロセッシングは、デジタル機器が溢れる社会において、暮らしを見えないところから支えています。 今後益々重要になる環境、エネルギー分野、ヘルスケア、医療機器、セキュリティなどの市場にも積極的に製品や技術を投入しています。 技術お問い合わせ窓口 日本TIプロダクト・インフォメーション・センター 【http://www.tij.co.jp/pic/】