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高周波トランジスタ(fT=1.1～8GHz)ラインナップ紹介！
弊社量産中の高周波トランジスタのご紹介です。 本製品はシリコン高周波プロセスにより製造されており、利得帯域幅積(fT)が高く、チューナーやキーレスエントリーの発振回路やイメージセンサーの増幅回路などの高周波増幅用途に最適です。 fTが1.1GHz、4.5GHz、8GHzのラインナップを取り揃えており、SC-59、SC-70、SC-75Aの小型パッケージであるため、セットの小型化、高密度実装が可能です。 また、高周波トランジスタは他社国内メーカーではEOLとなっている製品が多数ありますが、弊社では継続生産しておりますので、他社製品のEOLでお困りの方は、この機会に是非ご検討ください。
抵抗を内蔵、小型面実装外形によりセットの小型化、部品点数の削減が可能！
定格電流が大きく、コレクタ電流が1.0Aとなっており、ドライバと して最適です。 ツェナーダイオードを内蔵タイプは、コレクタ・ベース間にツェナー ダイオードを内蔵しており、モーターやリレーなどのソレノイドドライブ 時の逆起電力からトランジスタ自身の破壊を防止します。
ツェナーダイオードとトランジスタまたはMOSFETの複合型素子！
2素子内蔵タイプのため、セットの小型化はもちろん使用方法も電圧検出、保護用といったように多様性を有しており、豊富なラインアップをそろえています。
誘導性負荷の駆動に最適。フリーホイールダイオードを削減可能！
抵抗入りトランジスタのコレクタ・ベース間にツェナーダイオードが接続（内蔵）されてお り、アクティブクランプ動作によりモーターやソレノイドドライブ時の逆起電力からトランジスタ を保護します。 また、抵抗を内蔵しているためマイコンからの直接入力が可能であること、 小型面実装外形となっていることから、セットの小型化・部品点数の大幅な削減に寄与 できます。さらに、定格電流が1.0Aと大きく、ドライバとしての使用にも最適です。
高いサージ耐量も兼ね備えた当社トップクラスの高耐圧製品
最大定格 VCEO=400V、IC=200mA リードタイプの PNP型トランジスタです。 この最大定格 VCEOは当社においてトップクラスであり、 同耐圧クラス品と比較してより高い電流能力とサージ耐量を有します。 特に サージ耐量は最弱端子にて、同耐圧クラス品の最大で4倍以上のサージ電圧 に耐えうることができます。
Tr1とTr2のhFEとVBEのペアリングを保証！
hFE1、VBEのペアリングを保証しており、差動増幅回路への適用が可能です。 また、AEC-Q101にも対応しております。 高耐圧・低出力容量となっており、オーディオ機器に最適です。
