SiC ショットキーバリアダイオード
低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード
当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。 当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用。 スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した 650Vの製品を提供しています。 【特長】 ■高い逆電圧 ■JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用 ■スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を 実現した650Vの製品を提供 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：東芝デバイス&ストレージ株式会社
- 価格：応相談
