低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード
当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。 当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用。 スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した 650Vの製品を提供しています。 【特長】 ■高い逆電圧 ■JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用 ■スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を 実現した650Vの製品を提供 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
東芝デバイス&ストレージ株式会社は、2017年7月に株式会社東芝の社内カンパニーから独立し・発足。 従来からの半導体事業、ストレージプロダクツ事業、(株)ニューフレアテクノロジーが手がける半導体製造装置事業に加え、4月から東芝マテリアル(株)と東芝ホクト電子(株)が担当する部品・材料事業も含めて、広い意味での部品事業を担っております。 ディスクリート半導体事業部、システムデバイス事業部、ストレージプロダクツ事業部、デバイス＆ストレージ研究開発センターなどからなり、より付加価値の高い製品づくりを目指してまいります。