パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』
完全なハードウェアで各回路を保護！最大6枚のウエハーの同時バーンインに対応
『wafer level burn-in』は、GaN、SiCデバイスをウェーハでバーンインでき、パワーモジュールの検査ロースを大幅にカットできる設備です。 最大6枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。 また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで 各回路を保護します。 【特長】 ■GaN、SiCウェーハのバーンインに好適 ■治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能 ■ウェハー上のすべてのチップを同時に電源投入してバーンイン可能 ■HTGB電圧±75V、HTRB電圧2000V（アップグレード可） ■Igss、Idss、Vth、Idson検査に対応 ■温度範囲 RT-200C ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：Semi Next株式会社 本社、三重事業所
- 価格：応相談
