パワーデバイスのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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パワーデバイス - メーカー・企業9社の製品一覧とランキング

更新日: 集計期間:2025年07月30日~2025年08月26日
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パワーデバイスのメーカー・企業ランキング

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  1. Semi Next株式会社 東京都/電子部品・半導体 本社、三重事業所
  2. 株式会社コーヨーテクノス 長野県/試験・分析・測定
  3. 緑屋電気株式会社 東京都/試験・分析・測定
  4. 株式会社AndTech 神奈川県/サービス業
  5. 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 東京都/試験・分析・測定

パワーデバイスの製品ランキング

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  1. パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』 Semi Next株式会社 本社、三重事業所
  2. パワーデバイス『KGD』 Semi Next株式会社 本社、三重事業所
  3. 高耐熱・高熱伝導性樹脂の高性能化と成形性向上 ~HEV用・電装~ 株式会社AndTech
  4. 【分析事例】トレンチ型Si-MOSFETIDSSリーク箇所解析 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
  5. 4 書籍【GaNパワーデバイスの技術展開】 S&T出版株式会社

パワーデバイスの製品一覧

1~15 件を表示 / 全 15 件

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書籍【GaNパワーデバイスの技術展開】

省エネ社会のキーテクノロジーとして注目されるGaNパワーデバイス。 その開発にむけた結晶生成からパッケージまで関連技術を詳説!

○発刊日2012年04月25日○体裁B5判上製本 264頁○価格:本体 60,000円+税 →STbook会員価格:56,952円+税 ○著者: 江川 孝志 名古屋工業大学 / 纐纈 明伯 東京農工大学 / 熊谷 義直 東京農工大学 / 村上 尚 東京農工大学 / 福田 承生 東北大学/(株)福田結晶技術研究所 / 吉田 一男 旭化成(株) / 森 勇介 大阪大学 / 今出 完 大阪大学 / 丸山 美帆子 大阪大学 / 吉村 政志 大阪大学 / 岩谷 素顕 名城大学 / 河合 弘治 (株)パウデック / 小宮山 純 コバレントマテリアル(株) / 柳澤 淳一 滋賀県立大学 / 橋詰 保 北海道大学 / 中野 由崇 中部大学 / 土肥 俊郎 九州大学 / 會田 英雄 並木精密宝石(株) / 鄒 弘綱 (株)アルバック / 上村 隆一郎 (株)アルバック / 渡邉 純二 熊本大学 / 後藤 崇之 三菱重工業(株) / 井手 健介 三菱重工業(株) / 他7名

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書籍【SiCパワーデバイス最新技術】

次世代パワーエレクトロニクスの大本命!

○発刊日2010年05月14日○体裁B5判上製本 309頁○価格:本体 60,000円+税 →STbook会員価格:56,952円+税 ○著者:木本恒暢 京都大学 / 大谷昇 関西学院大学 / 藤本辰雄 新日本製鐵(株) / 楠一彦 住友金属工業(株) / 亀井一人 住友金属工業(株) / 矢代将斉 住友金属工業(株) / 岡田信宏 住友金属工業(株) / 宇治原徹 名古屋大学 / 江龍修 名古屋工業大学大学院 / 加藤正史 名古屋工業大学大学院 / 村上彰一 住友精密工業(株) / 田坂明政 同志社大学 / 石田夕起 (独)産業技術総合研究所 / 田中保宣 (独)産業技術総合研究所 / 土田秀一 (財)電力中央研究所 / 横尾秀和 (株)アルバック / 松本健俊 大阪大学産業科学研究所 / 小林光 大阪大学産業科学研究所 / 伊瀬敏史 大阪大学 / 丁建華 東北大学 / 須藤祐司 東北大学 / 他14名

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【Webセミナー】EVシフト・カーボンニュートラル

Si・SiC・GaNパワーデバイス技術ロードマップと業界展望

2020年からのコロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け、2021年末になりようやく回復の見通しがみえつつある状況にある。このような中において、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化(xEV)をはじめとした脱炭素社会実現は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。EVをはじめとしたパワエレ製品の性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。

  • 管理スキルセミナー
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競合他社の製品情報まるわかり!【製品解析サービス】

「コンペチタの新製品情報、技術力情報が欲しい」等のご要求はございませんか?優れた解析技術でお答えします!

エルテックでは、豊富な実績による解析調査データベースを活用し、 お客様の要望に合わせて詳細でタイムリーな解析レポートを提供します。 "コンペチタの新製品情報、技術力情報が欲しい" "半導体製品の回路図やデバイス構造が知りたい" "特許ライセンス交渉時に相手先の技術情報が欲しい" こんなご要望が出た時、 半導体製品解析を御社の設計・開発エンジニアが担当していませんか? ぜひ当社へお任せください。優れた解析技術でお答えします。 【半導体製品】 ■シリコン半導体、化合物半導体 ■パワーデバイス、高周波デバイス、集積回路(~14nm)、  センシングデバイス、MEMS ■各種モジュール  (高周波モジュール、パワーモジュール、センサーモジュール) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 受託解析
  • 解析サービス
  • その他半導体

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Alpha Power Solutions

アルファ・パワー・ソリューションズ(APS)は、中華圏初の6インチ炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスメーカーです。

シリコンウェーハ工場とSiC専用ウェーハ工場の両方で稼働する当社独自のSiCプロセスを用いて、最適化されたSiC製品を顧客に提供し、様々なのグリーンエネルギーに貢献することです。

  • トランジスタ

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大電流検査用パワーデバイス

多ピン設定することで安定した接続を実現する大電流検査用パワーデバイス!

当社では、電気自動車やハイブリッド車向けパワーデバイス検査用として 1,000アンペア以上の電流を流すことができる大電流プローブを 提供しています。 検査パットに数多くの垂直プローブを設定することで、 従来のスプリングプローブの問題点を一挙に解決します。 【特長】 ■1,000アンペア以上の電流を流すことが可能 ■1ピンあたりのピン径及び荷重が小さく接触傷の心配がない ■多ピン設定することで安定した接続を実現 ■信頼性が向上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • プローブ

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緑屋電気株式会社 パッシブ 製品紹介

高性能で幅広い製品をご提供!RFMD社製のパッシブ製品

このパッシブ製品は、携帯電話基地局やWLL、CATV、WLAN、RFID用 の関連商品です。 高品質で高信頼性の製品群を提供し、グローバルなサービス・サポート 体制が整うRFMD社製なので、安心してお使いいただけます。 サーキュレータやアイソレータをはじめ全6種類の製品をご用意 しているので、ご使用の用途に合わせてお選びください。 【特長】 ■グローバルなサポート体制 ■高品質 ■用途に合わせて選べるラインアップ ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 電子部品

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書籍【SiCパワーデバイスの開発と最新動向】

普及が加速するSiCパワーデバイス技術。 トランジスタ、ダイオード、モジュール、結晶成長・加工、応用展開を解説。

○発刊日2012年10月30日○体裁B5判上製本 361頁○価格:本体 60,000円+税→STbook会員価格:56,952円+税○監修:岩室憲幸○著者:岩室 憲幸 富士電機(株)((独)産業技術総合研究所 出向) / 中野 佑紀 ローム(株) / 原田 信介 (独)産業技術総合研究所 / 古川 彰彦 三菱電機(株) / 今泉 昌之 三菱電機(株) / 大森 達夫 三菱電機(株) / 矢野 裕司 奈良先端科学技術大学院大学 / 吉川 正信 (株)東レリサーチセンター / 先崎 純寿 (独)産業技術総合研究所 / 二本木 直稔 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株) / 築野 孝 住友電気工業(株) / 浅野 勝則 関西電力(株) / 辻 崇 富士電機(株)((独)産業技術総合研究所 出向) / 中山 浩二 関西電力(株) / 匹田 政幸 九州工業大学 / 渡邉 純二 九州工業大学 / 加藤 正史 名古屋工業大学 / 高尾 和人 (株)東芝 / 徳田 人基 住友電気工業(株) / 石川 佳寛 (株)ADEKA / 他17名

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SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント

改めて問う!次世代パワーデバイス普及に必要な技術ポイント

 本書『SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント』では、近い将来のパワーエレクトロニクスの主役となるSiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何か、を軸に編集された。デバイス・プロセス技術、実装・応用回路技術だけでなく、自動車・太陽光発電用途での課題と対策、受動部品さらには規格や国際標準化についても詳細に紹介している。さらには今後のパワーデバイスの市場動向についてまで詳しく解説しており幅広い内容を網羅することができた。環境にやさしく、かつ高効率な電力利用社会の本格的な実現に向けて、SiC/GaNパワーデバイスの浸透を加速するには今後何をすべきかに、本書が役立つことを大いに期待したい。(岩室憲幸「はじめに」)

  • 技術書・参考書

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【半導体】Cambridge GaN Device 会社案内

パワーモジュールでの提供(設計しやすい)温度特性に優れ、高信頼性を実現!

Cambridge GaN Devices(CGD)は、より環境に 配慮したエレクトロニクスを可能にする一連のエネルギー効率の高い GaNベースのパワーデバイスを開発するファブレス半導体企業です。 様々な民間投資に加えて、iUK、BEIS、EU(ペンタ)から資金提供を受け、 4つのプロジェクトに成功。 CGDチームの持つ技術的および商業的専門知識が、パワーエレクトロニクス 市場における広範な実績と組み合わさり、パワーエレクトロニクス市場を 牽引する基礎となっております。 【事業内容】 ■一連のエネルギー効率の高いGaNベースのパワーデバイスを開発 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』

完全なハードウェアで各回路を保護!最大6枚のウエハーの同時バーンインに対応

『wafer level burn-in』は、GaN、SiCデバイスをウェーハでバーンインでき、パワーモジュールの検査ロースを大幅にカットできる設備です。 最大6枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。 また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで 各回路を保護します。 【特長】 ■GaN、SiCウェーハのバーンインに好適 ■治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能 ■ウェハー上のすべてのチップを同時に電源投入してバーンイン可能 ■HTGB電圧±75V、HTRB電圧2000V(アップグレード可) ■Igss、Idss、Vth、Idson検査に対応 ■温度範囲 RT-200C ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他検査機器・装置

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パワーデバイス『KGD』

フルテストをローコストで!プローブの密閉構造により、プレスの安全性と信頼性を確保

弊社の『 KGD 』は、4Site並列テストとなり、常温高温の静的+動的試験ができる検査装置です。 UPHは高く1000~1200、テスト効率高く、テストコストを大幅削減。 また、各種のLD/ULDボックスに対応。プローブの密閉構造により、 検査の安全性と信頼性を確保します。 【特長】 ■各種のLD/ULDボックスに対応 ■温度範囲 RT-200C(オプションで-45C) ■3000V/1200Aに対応 ■4Site並列テストや静的+動的試験のフルテストができる ■特別に設計された回路により、回路インダクタンスが  15nH以下であることを保証 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他検査機器・装置

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高耐熱・高熱伝導性樹脂の高性能化と成形性向上 ~HEV用・電装~

★パワーデバイス用の樹脂等に求められる熱伝導性・耐熱性レベルは? ★樹脂のフィラーの最密充填法、フィラー処理による流動性向上

講 師 第1部 横浜国立大学大学院  工学研究院 教授 高橋 昭雄 氏 第2部 有限会社アイパック 代表取締役 越部 茂 氏 第3部 サンユレック株式会社 半導体事業部 事業部長 参事 久永 直克 氏 対 象 耐熱性樹脂、高熱伝導性樹脂などの高機能化、また車載用途の応用事例に関心のある研究者・担当者など 会 場 東京中央区立産業会館 4F 第2集会室 【東京・中央区】都営浅草線・東日本橋駅より徒歩4分など 日 時 平成23年6月28日(水) 10:30-16:00 定 員 30名  聴講料 1社2名まで54,600円(税込、昼食付、テキスト費用を含む) ※6月14日までにお申込いただいたTech-Zone会員は早期割引価格⇒49,350円(1社2名まで) ◆早期割引にてお申込する際は人数登録で“1名(早割)”または”2名(早割)”をご選択ください ◆早期割引価格からのポイント割引は適用外の価格となります。ポイント割引サービスをご利用される際は通常価格からの申込みでのみ適用されます ◆同一法人より追加でお申込みの場合、1名につき12,600円加算

  • 技術セミナー

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【分析事例】トレンチ型Si-MOSFETIDSSリーク箇所解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM(走査型顕微鏡法)で評価した事例をご紹介します。 測定法:EMS、SCM、SEM 製品分野:パワーデバイス 分析目的:故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

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【分析事例】SiCトランジスタのSlice&view故障解析

SEM像の3D化でリークパスを確認

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice&Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice&Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像として捉えることが可能です。SEM画像を3D化することでリークパスを確認することができます。 測定法:Slice&View・EMS 製品分野:パワーデバイス 分析目的:故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

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