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SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント

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最終更新日:2018年01月16日

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改めて問う!次世代パワーデバイス普及に必要な技術ポイント

 本書『SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント』では、近い将来のパワーエレクトロニクスの主役となるSiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何か、を軸に編集された。デバイス・プロセス技術、実装・応用回路技術だけでなく、自動車・太陽光発電用途での課題と対策、受動部品さらには規格や国際標準化についても詳細に紹介している。さらには今後のパワーデバイスの市場動向についてまで詳しく解説しており幅広い内容を網羅することができた。環境にやさしく、かつ高効率な電力利用社会の本格的な実現に向けて、SiC/GaNパワーデバイスの浸透を加速するには今後何をすべきかに、本書が役立つことを大いに期待したい。(岩室憲幸「はじめに」)

    技術書・参考書
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SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント

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基本情報

第1章 SiCパワーエレクトロニクス普及におけるデバイス・材料の課題と展望 第2章 GaNパワーエレクトロニクス普及におけるデバイス・材料の課題と展望 第3章 Siパワーデバイスの最新技術とSiCパワーデバイス普及の課題 第4章 GaNパワーデバイスとSiCパワーデバイスの実用化・普及展望の比較 第5章 SiC/GaNパワーエレクトロニクスにおける電磁ノイズ発生の特徴と対策 第6章 SiC/GaNパワーデバイスの接合技術 第7章 SiC/GaNパワーデバイス実装材料の課題と対策 第8章 Siパワーデバイス冷却技術の現状とSiC/GaNパワーデバイスの冷却技術 第9章 SiC/GaNパワーエレクトロニクス用の材料・部品の課題と対策の方向性 第10章 SiC/GaNパワーエレクトロニクスにおけるトランス・リアクトルの課題と対策 第11章 自動車へのSiCパワーデバイス適用の課題と対策 第12章 SiC/GaNパワーデバイスの規格・国際標準化における課題と展望 第13章 パワー半導体の市場ならびにSiC・GaNデバイス普及の展望

価格情報

50000 別途消費税

価格帯

1万円 ~ 10万円

納期

2・3日

用途/実績例

【監修】 岩室 憲幸 / 筑波大学 【著者】 岩室 憲幸 / 筑波大学 須田 淳 / 名古屋大学 佐藤 克己 / 三菱電機(株) 湊 忠玄 / 三菱電機(株) 今泉 昌之 / 三菱電機(株) 田 哲三 / パナソニック(株) 和田 圭二 / 首都大学東京 菅沼 克昭 / 大阪大学 高橋 昭雄 / 横浜国立大学 太田 一朗 / 昭和電工(株) 山内 忍 / 昭和電工(株) 古川 裕一 / 昭和電工(株) 山口 浩 / 産業技術総合研究所 長井 真一郎 / ポニー電機(株) 鶴田 和弘(株) / デンソー 四戸 孝(株) / FLOSFIA

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CASEで車載半導体市場はどう変わるのか【Webセミナー】

  • セミナー・イベント

2021年初から問題視されている車載半導体不足は自動車業界に大きな影響を与えているが、重要なのは不足問題を解消するだけではない。今後CASEの普及によって車載半導体の構成が変化し、サプライチェーンも変わる可能性があるので、今からその準備を行うことも重要である。

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