普及が加速するSiCパワーデバイス技術。 トランジスタ、ダイオード、モジュール、結晶成長・加工、応用展開を解説。
○発刊日2012年10月30日○体裁B5判上製本 361頁○価格：本体 60,000円＋税→STbook会員価格：56,952円＋税○監修：岩室憲幸○著者：岩室 憲幸 富士電機(株)((独)産業技術総合研究所 出向) / 中野 佑紀 ローム(株) / 原田 信介 (独)産業技術総合研究所 / 古川 彰彦 三菱電機(株) / 今泉 昌之 三菱電機(株) / 大森 達夫 三菱電機(株) / 矢野 裕司 奈良先端科学技術大学院大学 / 吉川 正信 (株)東レリサーチセンター / 先崎 純寿 (独)産業技術総合研究所 / 二本木 直稔 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株) / 築野 孝 住友電気工業(株) / 浅野 勝則 関西電力(株) / 辻 崇 富士電機(株)((独)産業技術総合研究所 出向) / 中山 浩二 関西電力(株) / 匹田 政幸 九州工業大学 / 渡邉 純二 九州工業大学 / 加藤 正史 名古屋工業大学 / 高尾 和人 (株)東芝 / 徳田 人基 住友電気工業(株) / 石川 佳寛 (株)ADEKA / 他17名
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基本情報
第1 章 SiC パワーデバイス最新技術と今後の展開 1. シリコンパワーデバイスの最新動向 2. SiC パワーデバイス開発の現状と将来動向 3. SiC パワーデバイスを支える周辺技術 第2 章 SiC トランジスタ要素技術と最新動向 第1 節 超低損失SiC トレンチMOSFET 第2 節 ノーマリーオフ型SiC-MOSFET 第3 節 電流センス機能搭載SiC-MOSFET 第4 節 MOS 界面欠陥の低減技術と高品質化 第5 節 SiC パワーデバイスの欠陥解析・観察技術 第6 節 SiC ゲート絶縁膜の高信頼性化 第7 節 SiC-JFET 第8 節 RESURF 型JFET 第9 節 SiC-GCT 第3 章 SiC ダイオード要素技術と最新動向 第4 章 SiC パワーモジュール要素技術と最新動向 第5 章 実装部材の特性 第6 章 SiC 単結晶成長技術 第7 章 SiC 結晶の切断・研磨技術 第8 章 SiC のエピタキシャル成長技術 第9 章 SiC パワーデバイスの応用展開
価格情報
本体 60,000円＋税 →STbook会員価格：56,952円＋税
価格帯
1万円 ~ 10万円
納期
2・3日
用途／実績例
SiC、化学
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