省エネ社会のキーテクノロジーとして注目されるGaNパワーデバイス。 その開発にむけた結晶生成からパッケージまで関連技術を詳説!
○発刊日2012年04月25日○体裁B5判上製本 264頁○価格：本体 60,000円＋税 →STbook会員価格：56,952円＋税 ○著者： 江川 孝志 名古屋工業大学 / 纐纈 明伯 東京農工大学 / 熊谷 義直 東京農工大学 / 村上 尚 東京農工大学 / 福田 承生 東北大学/(株)福田結晶技術研究所 / 吉田 一男 旭化成(株) / 森 勇介 大阪大学 / 今出 完 大阪大学 / 丸山 美帆子 大阪大学 / 吉村 政志 大阪大学 / 岩谷 素顕 名城大学 / 河合 弘治 (株)パウデック / 小宮山 純 コバレントマテリアル(株) / 柳澤 淳一 滋賀県立大学 / 橋詰 保 北海道大学 / 中野 由崇 中部大学 / 土肥 俊郎 九州大学 / 會田 英雄 並木精密宝石(株) / 鄒 弘綱 (株)アルバック / 上村 隆一郎 (株)アルバック / 渡邉 純二 熊本大学 / 後藤 崇之 三菱重工業(株) / 井手 健介 三菱重工業(株) / 他7名
この製品へのお問い合わせ
基本情報
第1章 GaNパワーデバイスの概要・特性・開発動向 第2章 GaN結晶成長技術(バルク) 1節 HVPE法によるGaN結晶育成 2節 アモノサーマル法によるGaNバルク結晶成長 3節 Naフラックス法によるGaN結晶育成 第3章 GaN結晶成長技術(エピタキシャル) 1節 MOVPE-サファイア基板上へのc面GaNの成長メカニズム 2節 ワイドストライプELO-GaN成長とデバイス応用 3節 MOVPEによる大口径GaN on Si基板の開発 4節 MOCVD-サファイア基板を要しない窒化ガリウム局所形成 第4章 GaN結晶の物性評価 1節 GaN半導体の界面準位評価 2節 AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位評価 第5章 GaN結晶加工 1節 GaN結晶基板の超精密加工技術 2節 GaNやサファイア基板のエッチング装置の開発 3節 紫外光励起による材料表面の超平滑化 4節 常温ウェーハ接合装置(GaNを1事例として) 第6章 GaNパワーデバイスの応用
価格情報
本体 60,000円＋税 →STbook会員価格：56,952円＋税
価格帯
1万円 ~ 10万円
納期
2・3日
用途／実績例
プラント
カタログ（4）
カタログをまとめてダウンロード
企業情報
S&T出版は、研究者・技術者に向けた技術専門書籍を出版しています。
