次世代パワーエレクトロニクスの大本命!
○発刊日2010年05月14日○体裁B5判上製本 309頁○価格：本体 60,000円＋税 →STbook会員価格：56,952円＋税 ○著者：木本恒暢 京都大学 / 大谷昇 関西学院大学 / 藤本辰雄 新日本製鐵(株) / 楠一彦 住友金属工業(株) / 亀井一人 住友金属工業(株) / 矢代将斉 住友金属工業(株) / 岡田信宏 住友金属工業(株) / 宇治原徹 名古屋大学 / 江龍修 名古屋工業大学大学院 / 加藤正史 名古屋工業大学大学院 / 村上彰一 住友精密工業(株) / 田坂明政 同志社大学 / 石田夕起 (独)産業技術総合研究所 / 田中保宣 (独)産業技術総合研究所 / 土田秀一 (財)電力中央研究所 / 横尾秀和 (株)アルバック / 松本健俊 大阪大学産業科学研究所 / 小林光 大阪大学産業科学研究所 / 伊瀬敏史 大阪大学 / 丁建華 東北大学 / 須藤祐司 東北大学 / 他14名
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基本情報
第1章.SiCパワーデバイス技術動向・課題と今後の展開 第2章.SiC単結晶成長技術(昇華法) ～高品質化・大口径化～ 第3章.SiC単結晶ウェーハの開発動向 第4章.SiCバルク結晶の溶液成長技術 第5章.SiC半導体基板の超平坦化加工/研磨スラリー技術 第6章.SiCの異方性エッチング技術 第7章.プラズマエッチングによるSiCの表面平滑化 第8章.SiCエピタキシャル成長技術の最新動向 第9章.4H-SiCエピ成長における拡張欠陥の挙動 第10章.SiC向け半導体製造技術と装置 第11章.SiCパワーデバイス用酸化膜の形成方法 第12章.SiCへの金属電極の形成方法 第13章.パワーデバイス用金属電極/SiCの界面反応組織と信頼性 第14章.SiCパワーデバイス量産に向けたCVD技術 第15章.SiCパワーデバイス超高温熱処理装置 第16章.SiCパワーデバイス用SIT ～21章
価格情報
本体 60,000円＋税 →STbook会員価格：56,952円＋税
価格帯
1万円 ~ 10万円
納期
2・3日
用途／実績例
技術
カタログ（3）
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企業情報
S&T出版は、研究者・技術者に向けた技術専門書籍を出版しています。
