更新日： 集計期間:2026年01月14日～2026年02月10日
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高電圧シリーズやPチャンネルMOSFETなど、幅広くラインアップ！
ウルトラジャンクションシリーズや高電圧シリーズなどといった Littelfuse (リテルヒューズ)の『ディスクリートMOSFET』を取り扱っております。 リテルヒューズの製品は、家電から自動車および産業施設に至るまで、 電気エネルギーを使用するアプリケーションにおける重要な コンポーネントとなっています。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【ラインアップ】 ■ウルトラジャンクションシリーズMOSFET ■PolarシリーズMOSFET ■トレンチシリーズMOSFET ■高電圧シリーズMOSFET ■PolarQ3シリーズMOSFET など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
パワー半導体（パワーエレクトロニクス）専業メーカーです。
当カタログは、東機通商株式会社の取扱メーカー APEC（Advanced Power Electronics Corp）の英語版総合カタログです。 同社は1998年に設立された、MOSFET、IGBT、パワーソリューションを 提供するファブレスメーカーです。 ■製品ラインナップ Low Voltage MOSFET(12~45V) Middle Voltage MOSFET(60~250V) High Voltage MOSFET(400~900V) IGBT(400~1、300V) 他 【掲載内容（一部）】 ■Computing Solution ■PSU Solution ■Telecom Power ■Display Solution ■POE Solution ※こちらからダウンロードいただけるのは、英語版のカタログです。 詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。
高速/低速両方のスイッチングに好適！より高性能な選択肢を提供
『StrongIRFET2パワーMOSFET60V』は、 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンの MOSFET技術です。 低速および高速の両スイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
幅広い用途に対応する豊富な製品ラインアップ！複数の販売パートナーで利用可能
「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに 対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の 両スイッチング周波数に適しています。 この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な 選択肢を提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高い信頼性および堅牢性！バッテリー管理システム(BMS)に適しています
『Nチャンネル パワーMOSFET 40 V』は、OptiMOS 7トレンチ技術を 採用した製品です。 既存のOptiMOS 6 40 V製品に比べ、RDS(on)は40％低減されており、 SuperSO8パッケージを使用することで、DirectFET(L)ソリューションに 比べてPCB面積を50％削減し、並列化の必要性をなくします。 RDS(on)を大幅に低減しているので、BMSアプリケーションにとって大きな 利点となります。これにより電力密度の向上、システム効率の改善、システム コストの削減を容易に実現します。 【主な特長】 ■最高クラスのSuperSO8パッケージ40VパワーMOSFET ■優れたRDS(on) ■業界標準のフットプリント ■広い安全動作領域(SOA) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（SiC）MOSFETトレンチ技術を採用
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車（EV）充電、 モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。 【特長】 ■当社従来比で主要性能数値を最大20％向上 ■高速スイッチング能力も最大30％以上向上 ■負荷に応じて最大5～30％低い電力損失で動作 ■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ ※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。 お問い合わせもお気軽にどうぞ。
汎用の低耐圧から1500V高耐圧MOSFETなど豊富なラインナップ！ クロスリファレンス表を配布中！
POTENS(ポテンツ)は2012年に設立された台湾のFABレスパワー半導体メーカーです。 国内では車載関係で採用実績があるなど高品質な製品が幅広くラインアップしております。 今回は高耐圧600V～1500V製品まで、クロスリファレンスを作成しました。 是非、ダウンロードして頂き、新規・代替品検討、EOLのご相談や、セカンドソース準備、納期対策などにご活用ください。 クロスリファレンスへ掲載している製品以外にも下記の製品を取り揃えております。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 ＊クロスリファレンスは、下記「PDFダウンロード」よりご確認いただけます。 ＊サンプルをご希望の際は、お問合せ下さい。
多種多様なアプリケーションに対応！高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適
当社が取り扱う、産業機器向けのパワーMOSFET『StrongIRFET 2』を ご紹介します。 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンのMOSFET技術で、 低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 この新しいシリーズは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
世界先端の高耐圧スーパージャンクションMOSFET技術！技術と価格性能の両方の世界標準を確立
『CoolMOS 8 SJ 600V』は、高速ボディダイオードを内蔵しており、 幅広いアプリケーションに適しているMOSFETパワー半導体です。 P7、S7、CFD7、C7、G7、PFD7などの600V CoolMOS7 MOSFETファミリーの 後継製品であり、インフィニオンのワイドバンドギャップ(WBG)製品群を補完。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【主な特長】 ■世界最高クラスのRDS(on)A ■高速ボディダイオード内蔵 ■優れたハードコミュテーション耐性 ■先進の相互接合技術 ■7mΩから段階的に取り揃えた製品ラインアップ ■上面放熱パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、テレビ・大型モニターの主電源回路や省エネ電源回路を迅速設計！
先端家電でもあるTV/モニターは、液晶やバックライトを駆動する主電源回路、待機時の電力を極限まで減らす省エネ電源回路など、家電製品のなかでも特に最適化が進んでいます。MOSFETやダイオードはもちろん、PFC制御ICやスタンバイモード搭載の省エネフライバック制御ICまでご提案。 特に薄型化や省エネ性能が大きなPRとなる「TV/大型モニター」は、電源回路も極限まで小型＆高効率化が必要です。 新電元パワー半導体は家電製品でも実績豊富です！ ■新製品の開発は最新の電源回路で！ 電源回路がバシッと決まりますと、気持ちの良い新製品に仕上がります。 新電元工業では、皆さまが高品質な電源回路を迅速に構築できるよう、ブリッジダイオードからパワーMOSFET・パワーICなど、白物家電やデジタル家電まで幅広い用途に応じたパワー半導体を多数ご用意しております。機器の省エネ化・省スペース化は、電源エキスパートの新電元工業にご相談ください。 高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワーデバイスは、高電圧や高電流の回路に適した低損失＆合理化設計。電源回路提案に強い！
600V 高耐圧スーパージャンクションMOSFET
Infineon Technologies社の『CoolMOS CSFD』は、高耐圧スーパージャンクションMOSFETに、高速ボディダイオードを搭載しています。 低いRDS(ON) x Qg, Eossにより低いFOM性能指数を実現。 優れた逆回復ダイオードdv/dtとdif/dt耐量などの特長をもっています。 【特長】 ■超高速ボディダイオード ■EV充電アプリケーション向けに最適な効率性 ■高い電力密度 ■高い信頼性レベル ■適切なRDS(on)とパッケージの組み合わせの選択 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基板面積を最大で50％削減！レベルシフトドライバを実装した対称型ハーフブリッジMOSFET
『DHP1050N10N5』は、通信用バスコンバータなどの高度な DC-DCコンバータアプリケーション向けに設計された100Vハーフブリッジ 集積Power Stageです。 サーマルビアをMOSFETチップの直下に配置することで、RthJAを低下。 DC-DCテレコムコンバータの電力密度の向上や実装面積のコンパクト化が 求められるなか、新しいシリコン技術を活用し、性能と信頼性を向上させながら こうした難しい設計パラメータを満たすソリューションを提供します。 【特長】 ■レベルシフトドライバーを内蔵した100V耐圧対称型ハーフブリッジMOSFET ■OptiMOS5パワーMOSFET 100Vテクノロジー ■差動入力による優れた耐久性と固有のシュートスルー保護機能 ■120Vオンチップ ブートストラップ ダイオード ■鉛フリーRoHS対応パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、基板上の電源部を少なくとも50％縮小することが可能！
『スケーラブルパワーブロック』は、インフィニオンのパッケージ イノベーションであり、ローサイドとハイサイドの両方のMOSFETを、 さまざまなアプリケーションを対象としたコンパクトなリードレスSMD (6.3 x 6.0 mm2)パッケージに搭載しています。 リード製品には、先進のOptiMOS 6 40 VおよびOptiMOS 5 100 Vシリコン 技術があり、コンパクトな実装面積で優れた性能を発揮。 2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、お客様は基板上の 電源部を少なくとも50％縮小することができます。 【主な特長】 ■高いチップ/パッケージ比 ■最適化されたリードフレームとCuクリップ設計 ■ローサイドとハイサイドを内部接続 ■両面放熱 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電力密度が高いため、コンパクトなボードで高出力設計が可能です！
『産機＆民生用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』には、当社の MOSFET技術が、超低寄生のコンパクトパッケージと組み合わされています。 これにより、さまざまな電源パッケージにおいて、業界で最小クラスの RDS(on)および最大クラスの電力密度を実現し、スイッチング/導通損失 および電流耐量を大幅に改善。 また、低パッケージ抵抗で高い電流処理能力を備えたMOSFETが求められる バッテリー駆動、バッテリー保護、およびバッテリーフォーメーションの アプリケーションの幅広い分野に対応し、低/高スイッチング周波数共に好適です。 【主な特長】 ■コンパクトなパッケージサイズ(8×6mm)で高い電流耐量を実現 ■業界でも低いRDS(on)とFOM ■超低パッケージ寄生容量(抵抗およびインダクタンス)の リードレスパッケージ ■PQFN 5×6とフットプリント互換 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
将来の車載設計向けの高い電力効率と0.39mΩの超低Ronを実現！
『車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』は、インフィニオンの 新しい車載用MOSFETハイパワーMOSFETパッケージファミリー製品です。 また、従来のOptiMOS 6に比べて、Ronが25％向上。OptiMOS 7は、 業界最小クラスのオン抵抗で、パッケージ抵抗がきわめて低い高効率 sTOLL 7×8mm2リードレスパッケージで、最高クラスの電力密度と エネルギー効率を実現。 また、広い安全動作領域(SOA)で、リードレスパッケージ(銅クリップ) の 堅牢な車載用パッケージ設計です。 【主な特長】 ■7×8mm2というパッケージサイズに、0.39mΩのきわめて 低いドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(on)) ■最大電流耐量280A ■高いアバランシェ耐量 ■広い安全動作領域(SOA) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現！
新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42％低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89％低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
強化された保護機能！正確で迅速な長期モニタリングが可能です
『産業＆車載用温度センサー搭載 Nチャンネル パワーMOSFET』は、 接合部温度の検出精度と堅牢性を高めるとともに、容易な実装と 機能安全を実現する製品です。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSのライン 整流などの産業用アプリケーションや、バッテリーディスコネクト、 eFuse、オンボードチャージャーなどの車載アプリケーションに好適。 また、温度センサーにより、CoolMOS S7の機能が強化され、パワー トランジスタを最大限に活用できます。 【主な特長】 ■最適化された価格性能比 ■低周波スイッチングに好適 ■寄生ソースインダクタンスを低減 ■シームレスな診断 ■正確で迅速な長期モニタリング ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能
当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、電動アシスト自転車のバッテリー充電回路やモータ駆動回路を迅速設計！
コンセントからの充電回路には絶縁フライバックやPFC+ハーフブリッジなど容量に合わせて回路をご提案します。バッテリーによるモータ駆動回路には、インバータモジュールと各種ダイオードをご提案できます。新電元工業はブリッジダイオードで世界上位シェアを誇る半導体メーカーです。 快適な移動をサポートする「電動アシスト自転車」は、電源回路の省資源化と省エネ化でバッテリー容量を有効活用し、軽量化にも貢献できます！ 新電元パワー半導体は家電製品でもモビリティでも実績豊富です！ ■新製品の開発は最新の電源回路で！ 電源回路がバシッと決まりますと、気持ちの良い新製品に仕上がります。 新電元工業では、皆さまが高品質な電源回路を迅速に構築できるよう、ブリッジダイオードからパワーMOSFET・パワーICなど、白物家電やデジタル家電まで幅広い用途に応じたパワー半導体を多数ご用意しております。機器の省エネ化・省スペース化は、電源エキスパートの新電元工業にご相談ください。 高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワーデバイスは、高電圧や高電流の回路に適した低損失＆合理化設計。電源回路提案に強い！
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です
『産業＆車載用 SiC MOSFETパワーディスクリート 750V』は、最高 クラスのシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 最高クラスの効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高い システム設計を実現。 革新的な上面放熱パッケージは、当製品の強みをさらに強化し、 高密度化、最適化された電源ループ設計、システムおよびアセンブリ コストの削減を実現します。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現
『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です！
新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現
『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、 ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「Techno Block」シリーズ FCA300AD170
■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性
低電圧MOSFET
アナログパワー社は、パワーマネジメントに特化し、お客様に最適な製品を生産することを目的に、2002年に設立されました。米国（カリフォルニア州サンノゼ）、香港、台湾にオフィスを構え、世界の半導体市場のほとんどをカバーする広範な代理店網を有しています。 業界をリードする製造パートナーを利用することで、アナログパワー社の製品は、市場の大規模かつ多様なベンダーと同じ基準で製造されています。アナログパワー社の社員は顧客志向で、パワー半導体の経験を持つエンジニアの割合が高い。
ThinPAK8×8に封止！最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
当社の「CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET 」をご紹介いたします。 高速ボディダイオードを内蔵したスーパージャンクションMOSFETで、 大電力の共振トポロジーに好適な製品。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフル ブリッジ(ZVS)回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、 最高クラスの効率を実現します。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■絶縁破壊電圧650V ■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ ■著しく低減されたスイッチング損失 ■RDS(on)の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
インフィニオンの新しい車載用MOSFETテクノロジー！
当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25％向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(＝RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、冷蔵庫や洗濯機の操作パネル電源や小型モータ駆動回路を迅速設計！
冷蔵庫や洗濯機は、操作パネルの他にモーターやコンプレッサーなどの駆動回路、ヒーターなどの複合的な要素が特徴的です。操作パネル周辺の絶縁電源回路や、モーター駆動用のドライバIC、インバータモジュールなど、総合的な提案が可能です。 家電製品は省エネ性能や省資源が大きなアピールポイントとなっており、パワー回路周辺はなるべくコンパクトに抑えたいところ。専用ICやインバータモジュールで、実装体積も部品点数も削減できます。 新電元パワー半導体は家電製品でも実績豊富です！ ■新製品の開発は最新の電源回路で！ 電源回路がバシッと決まりますと、気持ちの良い新製品に仕上がります。 新電元工業では、皆さまが高品質な電源回路を迅速に構築できるよう、ブリッジダイオードからパワーMOSFET・パワーICなど、白物家電やデジタル家電まで幅広い用途に応じたパワー半導体を多数ご用意しております。機器の省エネ化・省スペース化は、電源エキスパートの新電元工業にご相談ください。 高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワーデバイスは、高電圧や高電流の回路に適した低損失＆合理化設計。電源回路提案に強い！
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
