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中国のSiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社のご紹介です。
湖南三安半導体有限責任公司（Hunan Sanan Semiconductor Co. Ltd.）は 中国 湖南省 長沙市に本社を置く、SiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社です。 LEDチップの開発・製造において世界シェアトップ企業である三安光電(Sanan Optoelectronics）グループに属し、通信・車載・産業向けのパワー半導体、中でもSiC(シリコンカーバイド)に力を入れております。
シリコン製からの置換えに！高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を低減！
『SiC-SBDシリーズ』は、SiC（シリコンカーバイド）を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、電源機器の小型化が図れます。PFC回路・モータードライブ回路・インバータ回路などの高速スイッチング用途で活躍します。 【特長】 ■高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減 ■電源の変換効率の向上や高周波数化が可能 ■高温での漏れ電流を低減可能 ■電流増大による熱暴走を防止 ※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（SiC）MOSFETトレンチ技術を採用
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車（EV）充電、 モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。 【特長】 ■当社従来比で主要性能数値を最大20％向上 ■高速スイッチング能力も最大30％以上向上 ■負荷に応じて最大5～30％低い電力損失で動作 ■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ ※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。 お問い合わせもお気軽にどうぞ。
