更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
1～8 件を表示 ／ 全 8 件
シリコン製からの置換えに！高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を低減！
『SiC-SBDシリーズ』は、SiC（シリコンカーバイド）を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、電源機器の小型化が図れます。PFC回路・モータードライブ回路・インバータ回路などの高速スイッチング用途で活躍します。 【特長】 ■高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減 ■電源の変換効率の向上や高周波数化が可能 ■高温での漏れ電流を低減可能 ■電流増大による熱暴走を防止 ※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
ご要望に合わせたカスタムのパワーモジュールやパワー半導体を使用したスタック製品を展開！
当社では、パワー半導体の中でも電力用サイリスタ・ダイオード及び パワーモジュールとスタック製品を取り扱っています。 中電流から大電流まで、低耐圧から高耐圧の製品まで幅広く取り揃えており、 高速タイプや溶接機用など用途に合わせた製品群を準備しています。 また、パワーモジュールでは圧接構造を中心にソルダー付けのタイプを シリーズ化しており、絶縁・非絶縁型並びに水路付きの製品も ラインアップしています。 【主なラインアップ】 ■一般制御用サイリスタ ■サイリスタ＆ダイオード ■整流ダイオード ■溶接機用ダイオード ■水路付きモジュール など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電気自動車（EV）やスマートフォンで活用されるパワー半導体の発熱を抑制！エッチング加工を使用した「放熱板」にて効率よく放熱します
パワー半導体（パワーデバイス）とは、大電流や高電圧を扱うことが可能な半導体の事で、 電気自動車やスマートフォンなど、幅広い範囲で開発されています。 当社では、主にパワー半導体（パワーデバイス）のチップの支持固定と 配線接続をするリードフレームとその放熱板の加工及び、 生産工程などで使用される、治具・メタルマスクなどでご協力させて頂くことが多いです。 金型を使うことなく、複雑・微細な形状の加工が可能で、 ミクロンレベル（3μm～2mm）の精度で短時間に製作します。 【特長】 ■金型なしで、複雑な部品などミクロンレベルの加工精度が短時間で製作可能 ■リードフレームでは、純銅から銅合金などの多種の材料を 保有しており、エッチング加工が可能 ■放熱板では、厚銅を平井精密工業の機械加工（ファイバーレーザ加工・ ワイヤ放電加工）で対応する事が出来る ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
中国のSiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社のご紹介です。
湖南三安半導体有限責任公司（Hunan Sanan Semiconductor Co. Ltd.）は 中国 湖南省 長沙市に本社を置く、SiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社です。 LEDチップの開発・製造において世界シェアトップ企業である三安光電(Sanan Optoelectronics）グループに属し、通信・車載・産業向けのパワー半導体、中でもSiC(シリコンカーバイド)に力を入れております。
パワー半導体とは/製造中止品(EOL品)の再生産
現在、世界中の様々な半導体メーカーが多くの資金を投じて、パワー半導体の研究開発や製造に取り組んでいます。中でも、パワーMOSFETやIGBTといった半導体製品に対する注目度は高くなっています。 ロチェスターエレクトロニクスでは、ルネサスのパワー半導体製品として、下記製品を取り扱っております。 ・トライアック・サイリスタ ・IGBT ・パワーMOSFET ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
非絶縁型 や 高速タイプ などのモジュール製品を多数掲載した総合カタログです
当カタログは、 パワー半導体及びスタックアッセンブリの製造・販売を 行っている日本インターナショナルPS株式会社の総合カタログです。 「モジュール製品」では 圧接構造 や 非絶縁型 、 高速タイプ などを ラインアップしております。また、「モジュール製品」や「ハイパワー製品」 の外形図も掲載。 さらに、早見表もございますので製品の選定にご活用ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■品名の付け方 ■記号と用語 ■定格・特性表 ■外形図 ■アッセンブリー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（SiC）MOSFETトレンチ技術を採用
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車（EV）充電、 モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。 【特長】 ■当社従来比で主要性能数値を最大20％向上 ■高速スイッチング能力も最大30％以上向上 ■負荷に応じて最大5～30％低い電力損失で動作 ■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ ※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。 お問い合わせもお気軽にどうぞ。
