次世代パワー半導体のすすめ
次世代パワー半導体のすすめ
今回は、次世代パワー半導体についてです！ 次世代パワー半導体とは、電力の制御や変換を行うパワー半導体のなかでも、特に性能の優れたもののことです。 〇半導体とパワー半導体、次世代パワー半導体の違いって何？ 〇次世代パワー半導体って何に使われるの？ 〇パワー半導体の役割って何？ 以上の疑問をお持ちの方、ご関心のある方は、ぜひご覧ください！
- 企業：株式会社イコール 本社・営業部
- 価格：応相談
パワー半導体 - メーカー・企業26社の業務用製品ランキング | イプロスものづくり
更新日： 集計期間:2026年02月18日～2026年03月17日
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パワー半導体のメーカー・企業ランキング
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- インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社 東京都/電子部品・半導体
- 岡谷鋼機株式会社 名古屋本店 愛知県/産業用機械
- 株式会社セイワ 東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫 グループ会社 エレクトロン（長野県松本市） 東京都/商社・卸売り
- 4 リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社 神奈川県/電子部品・半導体
- 5 株式会社イコール 本社・営業部 愛知県/機械要素・部品
パワー半導体の製品ランキング
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- 三安半導体(Sanan)： SiCパワー半導体製品 岡谷鋼機株式会社 名古屋本店
- パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 4 次世代パワー半導体のすすめ 株式会社イコール 本社・営業部
- 5 株式会社英知コーポレーション 事業紹介 株式会社英知コーポレーション
パワー半導体の製品一覧
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2023 進展するパワー半導体の最新動向と将来展望
矢野経済研究所のパワー半導体市場に関するマーケットレポートです。
カーボンニュートラルを実現する為に、パワー半導体はキーデバイスの１つであり、2030年に向けて高い成長が期待できる。産業、自動車分野は需要が逼迫しており、主要パワー半導体メーカによる設備増強も活発化している。 本資料において、パワー半導体の世界市場規模をデバイス/需要分野別に2030年まで予測し、特に2025年以降に需要が急拡大するEV向けSiCパワー半導体について整理分析する。 ■ポイント ●2030年に向けてカーボンニュートラルを軸にパワー半導体の需要拡大 ・世界パワー半導体市場をデバイス/需要分野別に推計（2020年/2021年） ・2030年までのパワー半導体の世界市場を予測（2023-2025年/2030年） ・主要パワー半導体メーカの事業戦略・製品概要・設備投資計画を整理分析 ・SiCパワー半導体の最新動向と可能性 ・xEV用パワー半導体の最新動向と可能性 ●前回版との違い：xEV用SiCパワーモジュールの世界市場規模を2030年まで数量/金額ベースで予測 発刊日：2023/02/28 体裁：A4 / 97頁 価格（税込）：176,000円（本体価格：160,000円）
- 企業：株式会社矢野経済研究所
- 価格：応相談
事業 セミクロン社製半導体販売事業
国内販売実績NO,１
1951年の創立以来、ドイツ ニュールンベルク市に本社をおき、高品質のパワー半導体とパワーエレクトロニクスのメーカーとして「新しいアイデア」 「技術革新」、「カスタマーサービスの精神を掲げ､常に世界市場をリードしてきました。また、一歩先をゆく技術と独自の発想で､画期的な製品を世に送り出しています。世界中の市場ニーズにすぐに対応できるネットワークの良さと、高品質、低価格は半世紀前の創業以来の伝統です。
- 企業：株式会社英知コーポレーション
- 価格：応相談
株式会社英知コーポレーション 事業紹介
基板実装とパワーエレクトロニクスに特化した事業を展開！
株式会社英知コーポレーションは、EMS(基板実装)と パワーエレクトロニクス(パワー半導体、電力機器等)に特化した専門商社です。 産業用及び電源基板がメインで、多品種、小ロット、基板1枚から対応可能。 お客様から回路図入手後、CAD 設計、生基板作成、実装部品入手、実装、検査まで 全てお引受け出来ます。 資材部門での煩わしい部品調達も不要で、ご注文書1枚で実装基板を納入致します。 電気電子部品材料の在庫が不要となり、在庫金額の削減に貢献するほか、 従来以上の品質で、最低20%コストダウンをお約束いたします。 【事業内容】 ■EMS基板実装サービス ■カスタム電源開発、製造 ■中国電気電子部品、機構部品の販売 ■精密板金、導体加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社英知コーポレーション
- 価格：応相談
SiCパワー半導体『SiC-SBDシリーズ』
シリコン製からの置換えに！高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を低減！
『SiC-SBDシリーズ』は、SiC（シリコンカーバイド）を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、電源機器の小型化が図れます。PFC回路・モータードライブ回路・インバータ回路などの高速スイッチング用途で活躍します。 【特長】 ■高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減 ■電源の変換効率の向上や高周波数化が可能 ■高温での漏れ電流を低減可能 ■電流増大による熱暴走を防止 ※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
【資料】WTIブログ 2020年10月
DC-DCコンバータ設計での電源設計時の着眼点や、パワーMOSFETのアバランシェ試験などを掲載！
当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの、2020.10.2～2020.10.30までのWTIブログを まとめています。 2020.10.2の「パーシャルパワーダウン時に重要なIoff機能」をはじめ、 2020.10.7の「DC-DC コンバータ設計 電源設計時の着眼点」や、 2020.10.30の「パワーMOSFET のアバランシェ試験とは」などをご紹介。 この他にも、製品や業界に関するお役立ち情報を多数掲載しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■2020.10.2 パーシャルパワーダウン時に重要なIoff 機能 ■2020.10.6 基板設計の手順と入社2年目エンジニアの醍醐味！ ■2020.10.7 DC-DC コンバータ設計 電源設計時の着眼点 その2 ■2020.10.8 スイッチング電源回路方式の特長 ■2020.10.9 IoT 機器のOTA 導入が意外と進まない理由とは ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社Wave Technology
- 価格：応相談
【資料】WTIブログ 電源・パワエレ編 2017年～2019年度
「電源機器の寿命検証」や「DC-DCコンバータ設計 電源設計時の着眼点」など当社技術のノウハウが満載！
当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの2017年度～2019年度までの WTIブログ、電源・パワエレ編についてまとめています。 「CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い」をはじめ、 「電源機器の寿命検証」や「SiCデバイスを使って電源を 効率化してみました」などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■2017.5.16 技術者は原理原則の理解が大事なんです！ ■2017.9.5 太陽光発電システムの縁の下の力持ち～パワコンとは～ ■2017.9.19 CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い ■2017.12.5 自動車の電気化を支える機器の開発 ■2018.3.13 回路図には登場しないインダクタンスに注意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社Wave Technology
- 価格：応相談
電源用パワー半導体・IC『家庭用エアコン室内機』向け
高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、エアコン室内機のコントローラ用電源回路やモータ駆動回路を迅速設計！
新電元はマイナスイオン発生器や自動クリーニング機の電源回路までしっかりご提案します。家庭用エアコンの室外機は、コントローラ用電源のほか、送風ファン駆動回路、クリーニング駆動回路、マイナスイオン発生器用回路など、特徴的な機能を一体化した専用性の高い回路設計になります。省エネ性能の高いスタンバイモード搭載のフライバック制御ICも欠かせません。 家電量販店で選ばれるエアコンは、特に省エネ性能が大きなポイントになります。 新電元パワー半導体は家電製品でも実績豊富です！ ■新製品の開発は最新の電源回路で！ 電源回路がバシッと決まりますと、気持ちの良い新製品に仕上がります。 新電元工業では、皆さまが高品質な電源回路を迅速に構築できるよう、ブリッジダイオードからパワーMOSFET・パワーICなど、白物家電やデジタル家電まで幅広い用途に応じたパワー半導体を多数ご用意しております。機器の省エネ化・省スペース化は、電源エキスパートの新電元工業にご相談ください。 高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワーデバイスは、高電圧や高電流の回路に適した低損失＆合理化設計。電源回路提案に強い！
- 企業：新電元工業株式会社
- 価格：応相談
電源用パワー半導体・IC『ヒートポンプ給湯器』向け
高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、ヒートポンプ給湯器の補機電源やモーター駆動用インバータを迅速設計！
ヒートポンプ給湯器は、補機電源用のフライバック回路を専用電源ICで構成することにより、部品を減らしてスッキリと小型化できます。絶縁電源ですので、二次側整流回路には低損失なダイオードをご提案。 モーター駆動用には、ゲート用ダイオードと600V高耐圧のドライバICをセットでご提案できます。 エネルギー変換効率が高く再エネ利用でも期待される「ヒートポンプ給湯器」には、電源回路の省資源＆低損失がベストマッチ！ 新電元パワー半導体は家電製品でも実績豊富です！ ■新製品の開発は最新の電源回路で！ 電源回路がバシッと決まりますと、気持ちの良い新製品に仕上がります。 新電元工業では、皆さまが高品質な電源回路を迅速に構築できるよう、ブリッジダイオードからパワーMOSFET・パワーICなど、白物家電やデジタル家電まで幅広い用途に応じたパワー半導体を多数ご用意しております。機器の省エネ化・省スペース化は、電源エキスパートの新電元工業にご相談ください。 高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワーデバイスは、高電圧や高電流の回路に適した低損失＆合理化設計。電源回路提案に強い！
- 企業：新電元工業株式会社
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『高耐圧スーパージャンクションMOSFET』
600V 高耐圧スーパージャンクションMOSFET
Infineon Technologies社の『CoolMOS CSFD』は、高耐圧スーパージャンクションMOSFETに、高速ボディダイオードを搭載しています。 低いRDS(ON) x Qg, Eossにより低いFOM性能指数を実現。 優れた逆回復ダイオードdv/dtとdif/dt耐量などの特長をもっています。 【特長】 ■超高速ボディダイオード ■EV充電アプリケーション向けに最適な効率性 ■高い電力密度 ■高い信頼性レベル ■適切なRDS(on)とパッケージの組み合わせの選択 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
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SiC MOSFET モジュール FCAシリーズ
「Techno Block」シリーズ FCA300AD170
■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性
- 企業：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
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【セミナー】「パワー半導体」市場の最新トレンドと将来展望
注目が集まる ～SiCパワー半導体の動向と方向性 GaN、酸化ガリウムの現状等～
当社は、「”パワー半導体”市場の最新トレンドと将来展望」のセミナーを開催します。 主要各国でカーボンニュートラル実現に向けた取り組みが積極化している中で、パワー半導体が担う役割が大きくなっている。さらに、従来よりも高効率化を図ることができるSiCパワー半導体の開発・設備投資が旺盛になっており、今後大きな市場の伸びが期待される。本セミナーでは、パワー半導体市場の全体像、SiCパワー半導体の動向と方向性、さらにはGaNや酸化ガリウムの現状を詳説する。 【セミナー詳細】 ■開催日時：8月6日(火) 13:30 - 15:30(開場：13時) ■会場：JPIカンファレンススクエア ■住所：東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル ■受講方法：会場、ライブ配信 ■講師：株式会社富士経済 インダストリアルソリューション事業部 第一部 主任 三上 拓 氏 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社日本計画研究所
- 価格：応相談
【セミナー】「パワー半導体」市場の最新動向と方向性
SiC・GaN・酸化ガリウム等、次世代デバイスの可能性と課題を徹底分析
当社はビジネスセミナーを開催します。 【セミナー詳細】 ■開催日時：2025年10月16日(木) 16:30 - 18:30(開場16時) ■会場：JPIカンファレンススクエア ■住所：東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル ■受講方法：会場、ライブ配信、アーカイブ配信 ■講師：株式会社富士経済 インダストリー＆マテリアル事業部 第二部 課長 三上 拓 氏 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社日本計画研究所
- 価格：応相談
【半導体EOL品継続供給】NXP製造中止品 TC1130
1500万以上のIR製品在庫を保持！「TC1130」の継続供給をサポートしています/製造中止品(EOL品)の再生産
当社は、長期にわたりインフィニオンテクノロジーズと契約、 メーカー認定の正規販売代理店及び製造メーカーとして、製造中止品(EOL)や 現行品の継続供給をサポートしています。 2億個以上のインフィニオン製品在庫とTC1130ファミリーなど継続供給 サービス及び製造をサポートしています。 【特長】 ■製造中止品(EOL)や現行品の継続供給をサポート ■2億個以上のインフィニオン製品在庫とTC1130ファミリーなど 継続供給サービス及び製造をサポート ■1500万以上のIR製品在庫を保持 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※詳細はぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
「ポートフォリオ紹介！」電源＆電源マネージメント製品取扱い一覧
パワー&パワーマネージメント製品をお探しですか？
ロチェスターエレクトロニクスでは、スイッチモード・パワーやモーターコントロールなど一般的なアプリケーションをサポートするMOSFET、 IGBTやゲート・ドライバなどの幅広い製品在庫を保有しています。 取扱い品番数は3、000以上、オン・セミコンダクター、インフィニオン、テキサス・インスツルメンツ、NXPやルネサスなど、計2億個以上の製品在庫で継続供給をサポートします。 パワーマネージメントICは、バッテリー寿命の延長、大型バッテリシステムの必要性の削減、デバイスのサイズの最小化、およびシステム全体の効率の向上など、システムのパワー要求を管理するサポートしています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』
TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の効率化を実現
当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の 薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能と システム全体の効率化が可能です。 【特長】 ■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格 ■リンギング及び電圧オーバーシュート ■D2PAK 7ピン パッケージに比べて、ボードサイズを60％低減 ■ガルウィングリード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』
ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以下！
当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、 好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。 【特長】 ■低 RDS(on) ■高電流定格 ■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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Power Stage100V『DHP1050N10N5』
基板面積を最大で50％削減！レベルシフトドライバを実装した対称型ハーフブリッジMOSFET
『DHP1050N10N5』は、通信用バスコンバータなどの高度な DC-DCコンバータアプリケーション向けに設計された100Vハーフブリッジ 集積Power Stageです。 サーマルビアをMOSFETチップの直下に配置することで、RthJAを低下。 DC-DCテレコムコンバータの電力密度の向上や実装面積のコンパクト化が 求められるなか、新しいシリコン技術を活用し、性能と信頼性を向上させながら こうした難しい設計パラメータを満たすソリューションを提供します。 【特長】 ■レベルシフトドライバーを内蔵した100V耐圧対称型ハーフブリッジMOSFET ■OptiMOS5パワーMOSFET 100Vテクノロジー ■差動入力による優れた耐久性と固有のシュートスルー保護機能 ■120Vオンチップ ブートストラップ ダイオード ■鉛フリーRoHS対応パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有
インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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パワーMOSFET『CoolMOS P7』
ThinPAK 5x6パッケージに搭載！幅の広い製品ラインアップから適切な製品を選択可能
700Vおよび800Vの『CoolMOS P7』パワーMOSFET製品ファミリーは、 フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション向けに 開発されています。 保護用ツェナーダイオード内蔵。磁性体サイズ及びBOMコストの削減が 可能なほか、HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現しています。 また、小型で高い電力密度の設計が可能で、幅の広い製品ラインアップから 適切な製品をお選びいただけます。 【特長】 ■コスト競争力のある技術 ■スイッチング速度の高速化による効率性の向上 ■磁性体サイズ及びBOMコストの削減が可能 ■HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現 ■駆動しやすく、優れたデザイン性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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OptiMOS 5パワーMOSFET＜リードレスパッケージ＞
非常にコンパクトなデザインを実現！小型電気自動車、eスクーター等のアプリケーションに好適
インフィニオンは、150VのOptiMOS 5パワーMOSFETの製品ラインアップを TO-Leadlessパッケージを採用した製品に拡大しています。 大電流設計、高電力密度、低EMIが可能。小型電気自動車、eスクーター、 ホットスワップ、バッテリー管理システムなどのアプリケーションに好適。 接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少します。 【特長】 ■最大300Aまでの高電流に対応 ■接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少 ■非常に低いパッケージ寄生容量 ■リードレスパッケージ ■並列接続数や冷却の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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OptiMOS 5 60V パワーMOSFET
SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現
『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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MOTIX BTN9990LV
ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現
『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、 ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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StrongIRFET2パワーMOSFET60V
高速/低速両方のスイッチングに好適！より高性能な選択肢を提供
『StrongIRFET2パワーMOSFET60V』は、 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンの MOSFET技術です。 低速および高速の両スイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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CoolMOS/CoolSiC/CoolGaN
アプリケーション要件に応じて特定の価値提案を提供！力の違いを体験してください
『CoolMOS SJ MOSFET』製品は、伝導損失、スイッチング損失、 駆動損失の点で優れた性能指数を誇ります。 非常に効率的でコンパクトなシステム設計が可能になり、より優れた性能の 製品に対する将来の需要に対応できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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60V パワーMOSFET「StrongIRFET 2」
幅広い用途に対応する豊富な製品ラインアップ！複数の販売パートナーで利用可能
「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに 対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の 両スイッチング周波数に適しています。 この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な 選択肢を提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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パワーブロック パッケージのパワーMOSFET
2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、基板上の電源部を少なくとも50％縮小することが可能！
『スケーラブルパワーブロック』は、インフィニオンのパッケージ イノベーションであり、ローサイドとハイサイドの両方のMOSFETを、 さまざまなアプリケーションを対象としたコンパクトなリードレスSMD (6.3 x 6.0 mm2)パッケージに搭載しています。 リード製品には、先進のOptiMOS 6 40 VおよびOptiMOS 5 100 Vシリコン 技術があり、コンパクトな実装面積で優れた性能を発揮。 2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、お客様は基板上の 電源部を少なくとも50％縮小することができます。 【主な特長】 ■高いチップ/パッケージ比 ■最適化されたリードフレームとCuクリップ設計 ■ローサイドとハイサイドを内部接続 ■両面放熱 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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パワーMOSFET OptiMOS 6 135 V
Vgs(th)のばらつきを抑え、並列接続能力を向上させることにより、スケーリングが容易になり、電力出力が向上！
『OptiMOS 6 135 V』は、小型電気自動車(LEV)、電子フォークリフト、 電動工具、園芸工具などの高出力モーター制御アプリケーションや、 主に72 Vや84 Vのバッテリーを使用するUPSを対象にしています。 本製品ファミリーは、120 Vと150 VのMOSFET間のギャップを効果的に埋め、 低いRDS(on)で高性能を実現し、効率的な電力処理、電力損失の低減を 実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■Vgs(th)のばらつきが少ない ■きわめて低い逆回復電流(Qrr) ■幅広いパッケージラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V
ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現！
新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42％低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89％低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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パワーMOSFET CoolSiC G1 750 V
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です！
新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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