Last Updated： Aggregation Period:2025年08月27日～2025年09月23日
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◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード ◆高品質、高信頼性 ◆高密度パッケージ ◆強固なモールドパッケージ
・低暗電流 ・標準リード ・SMT ・モールドレンズ ・横向きあり ・チップ上にフィルター(700nmカットオフ） OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
VCSEL光通信用に最適なGaAs PIN-フォトダイオード(TO-46 Can／ROSA対応)
■最大25Gbpsまで対応 ■SC／LCレセプタクル対応ROSA or TO46-CANパッケージでの提供が可能 ■ボールレンズ or ドームレンズ付き／TIA付き
アクティブエリア3.6 mm²の650nm Pin Photo Diode
高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。 アクティブエリアは標準で1.9mmx1.9mmを用意。 パッケージサイズは小型で5.2x4.8x1.43mmになります。 お客様のご要求仕様へのカスタマイズ対応も検討します。 お気軽にお問い合わせください。
ハロゲンフリー対応！小型な光学ユニットへの搭載に適したSiフォトダイオード
『CP0174AL』は、可視光から近赤外光まで（400nm～1000nm）のレーザ 及びLEDなどの光量を測定することができるフォトダイオードです。 受光部のサイズは0.7mm×0.7mmで、ハロゲンフリーに対応します。 小型パッケージ COB-2PIN（2.2mm×1.22mm）の採用により、 ピコプロジェクターなどの小型な光学ユニットへの搭載に好適です。 【特長】 ■感度：0.26A/W@405nm 0.44A/W@700nm ■受光部サイズ：0.7mm×0.7mm ■小型、薄型パッケージ：2.2mm×1.22mm×1.0mm COB-2PIN ■半田リフロー対応 ■鉛フリー対応 RoHS対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
◆Nd:YAG感度 高耐電圧 ◆大きい有効径 ◆高速感度 ◆高精度 ◆低電気容量、低ノイズ、高速操作が可能
◆YAGレーザー出力光の位置検出用 ◆1060nmで高感度に最適化されたフォトダイオード ◆高い逆バイアス電圧(200ボルト)で操作 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。 長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
シリコンフォトダイオード
OSPD50シリーズは、高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。端子間容量6pF、遮断周波数25MHz以上を実現しました。アクティブエリアは標準で0.8mmx0.8mm, 1.2mmx1.2mm, 2.0mmx2.0mmの３種類を用意しプラスチックパッケージサイズは小型で4x4.8x1.8mmになります。分光感度特性は可視〜赤外域用(λ=320nm~1100nm), 赤外域用(λ=760nm~1100nm)及び特別感度波長範囲としてλ=600nm~720nmの３タイプを用意。実装面積の小スペース化を可能にするリードフォーミングタイプへの対応も可能です。魅力的な低価格と短納期にて対応致します。
◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度があり
アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 ［モデル名：アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ］ ・FCI-GaAS-4M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M
MP8はシリコンより50%高い効率を誇り、強固な組み立てと高温耐性を備えた先進的な絶縁アプリケーションを実現。
AZUR SPACE社から登場したIII-V系の高性能光受信チップMP8は、絶縁製品に最適です。標準のシリコンソリューションに比べて50%高い電力変換効率を実現し、コンパクトなサイズで高電圧レベルでの高出力電流を維持します。MP8のモノリシック設計は、不均一な照明に対しても耐性を持ち、高温環境にも適しています。主な特徴は以下の通りです： - 高効率 - 堅牢で組み立てやすい - 不均一な光分布に対する耐性 - 低温度係数 これらの特徴により、MP8は絶縁MOSFETドライバー、固体リレー用フォトディテクター、浮動電源供給などのアプリケーションに理想的な選択肢となります。
◆逆バイアス状況下で駆動◆大口径、四角形もラインナップ◆低ダークカレント◆シリコンPINフォトダイオード◆ピーク波長約940nm
■スペクトル検出範囲：400nm～1100nm LD-PDはMIL-I-45208に準拠した検査システムを導入しており、 Telcordia試験要件（TA-NWT-00093）およびMIL-STD-883試験方法に準拠しています。 【パラメータ：Typical値・シンボル・試験条件】 ●丸形φ0.2～φ8.0mm ディテクタサイズ(mm)：φ0.2、φ0.5、φ1、φ2、φ4、φ5、φ8 応答波長範囲(nm)：400 – 1100・λ 応答性(A/W)：0.40、0.45、0.5、0.5、0.5、0.5、0.55・Re・VR=15V、λ=900nm 応答時間(nS)：2、5、6、8、15、15、25tr・VR=15V、RL=50Ω 暗電流(nA)：1、2、3、5、12、40、60・ID・VR=15V 逆電圧(V)：100・VB・IR=10μA 静電容量(pF)：0.8、1.2、2.0、6、20、30、70・Cj・f=1MHz、VR=15V 動作電圧(V)：0～15・VR ソケット：Coaxial/TO-46/TO-5/TO-8 飽和光パワー：0.3w/cm2
フォトダイオードの世界市場がセンシング技術に明るい未来を照らし、目覚ましい成長を予測
世界のフォトダイオード市場は、2022年に約4億1,010万米ドルの売上を達成し、センシング技術を再定義しようとしている。データ収集と精密センシングの強化を約束するビジョンにより、業界の専門家は、この市場が2031年までに推定8億4,050万米ドルの収益に達すると予測している。この予想変換は、2023年から2031年までの予測期間中に8.3%という驚異的な複合年間成長率（CAGR）を強調するものである。 光センシングの縁の下の力持ちであるフォトダイオードは、光を電気信号に変換する上で極めて重要な役割を果たしており、通信システムや産業オートメーションから医療機器や環境モニタリングに至るまで、幅広いアプリケーションで正確な計測を可能にしている。世界がスマートソリューションとデータ主導の洞察に向かうにつれて、光信号を捕捉し解釈するフォトダイオードの役割が最も重要になる。 応募方法は[PDFダウンロード]ボタンからご確認いただくか、関連リンクから直接ご応募ください。
630-1650nm、800-1650nm、1000-1650nmの波長帯域の製品をご提供！
当社で取り扱う「InGaAs PIN フォトダイオード」をご紹介いたします。 630-1650nmの製品は、QSPDI-25ミニチュア積分球モジュール、 レセプタクル付属(FC、ST、SC、U1.25またはU2.5アダプター)。 また、800-1650nmの製品は、2-3GHz同軸マウントフォトダイオード、 FC,ST,SC,U1.25 or U2.5 adapterに互換性のあるモジュールがございます。 【ラインアップ(一部)】 ■630-1650nm ・QSPDI-25ミニチュア積分球モジュール、レセプタクル付属 (FC、ST、SC、U1.25またはU2.5アダプター) ■800-1650nm ・2-3GHz同軸マウントフォトダイオード ・FC,ST,SC,U1.25 or U2.5 adapterに互換性のあるモジュール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
光通信用フォトダイオード
オプトテクノでは、センサの高機能化・複雑化にともなうさまざまなニーズにきめ細かにお応えするため、カスタム・メイド半導体の設計・製作に力を入れています。 半導体の小型化、軽量化、高密度化などお気軽にご相談ください。 試作品の仕様の打ち合わせから量産までトータル・システムで承っておりますので、製作工数や部品購入費・管理費の削減など、製造諸費用のさらなるコストダウンがはかれます。
ウルトラフラットで広帯域なスペクトル特性！タップおよびパワーモニタ機能を内蔵
当製品は、薄膜タップのウルトラフラットな分光感度と、 パワーモニター用の高感度PINフォトダイオードを組み合わせた ハイブリッドコンポーネントです。 2つの機能を1つの温度安定性のあるデバイスパッケージを使用。 PMファイバーのピグテールを使用した信号またはポンプ・レーザー・ソース のパワー・モニタリングなどにご利用いただけます。 【特長】 ■ウルトラフラットで広帯域なスペクトル特性 ■タップおよびパワーモニタ機能を内蔵 ■コーニング社製SMF-28または偏波保持ファイバ ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
光検出素子の概要を解説！技術資料を無料プレゼント中
フォトダイオード（PD ）は、半導体の PN 接合部に光を照射したときにその光強度変化を電気信号（電圧、電流）に変換する受光素子です。フォトダイオードはその特性や構造によって、PNPD、PIN-PD、そして APDの３つに大分されています。各々の特性の違いを理解して、用途に応じて使い分けます。 【掲載内容のご紹介】 ・ フォトダイオードとは ・ フォトダイオードの用途 ・ フォトダイオードの構造と原理 ・ 等価回路 ・ フォトトランジスタ 光検出素子（フォトダイオード・フォトトランジスタ・光給電素子）の概要に関する解説資料を無料でプレゼントしています！詳しくはPDFをダウンロードしてご入手ください。 弊社の取り扱っているフォトダイオードについての詳細は、お気軽にお問い合わせください。
