SiC・GaNウェハ基板の低ダメージ加工・研磨プロセスと評価
★高硬脆性を持つ各種GaN/SiC関係の素材の最新研磨技術
★大口径化対応、量産技術化へ対応する技術の今後とは? ★SiCウェハ加工時に残留する加工変質層の特徴や後工程への影響、加工変質層の分析技術についても紹介 ★事前内容リクエストサービス実施中! お客様の実務課題の持ち込み大歓迎です! 【会 場】 てくのかわさき 5F 第5研修室【神奈川・川崎】 【日 時】 平成25年9月17日(火) 11:00-15:45 【講 師】 第1部 (独)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター・ウェハプロセスチーム チーム長・主任研究員 加藤 智久 氏 先進パワーエレクトロニクス研究センターのホームページはこちらから 第2部 並木精密宝石(株) NJC技術研究所 御担当者様 第3部 大阪大学 大学院 工学研究科 教授 山内 和人 氏
- 企業：株式会社AndTech
- 価格：1万円 ~ 10万円
