★高硬脆性を持つ各種GaN/SiC関係の素材の最新研磨技術
★大口径化対応、量産技術化へ対応する技術の今後とは? ★SiCウェハ加工時に残留する加工変質層の特徴や後工程への影響、加工変質層の分析技術についても紹介 ★事前内容リクエストサービス実施中! お客様の実務課題の持ち込み大歓迎です! 【会 場】 てくのかわさき 5F 第5研修室【神奈川・川崎】 【日 時】 平成25年9月17日(火) 11:00-15:45 【講 師】 第1部 (独)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター・ウェハプロセスチーム チーム長・主任研究員 加藤 智久 氏 先進パワーエレクトロニクス研究センターのホームページはこちらから 第2部 並木精密宝石(株) NJC技術研究所 御担当者様 第3部 大阪大学 大学院 工学研究科 教授 山内 和人 氏
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基本情報
【第1部 講演主旨】 本講演では、インゴット切断から仕上げ研磨までのSiC加工技術における現行技術から最新技術まで概説し、今後の大口径化対応、量産技術化について議論する。また、SiCウェハ加工時に残留する加工変質層の特徴や後工程への影響、加工変質層の分析技術についても紹介する。 【第2部 講演要旨】 我々は,化学エッチングに基準面を導入することによって,ダメージレスな平坦・平滑化を高能率かつ高安定に実現する触媒表面基準エッチング法を考案した.講演では,実施例をもとに本手法の概念を詳説し,微粒子フリーであることの利点や,環境調和性,適用範囲の一般性,発展性等について解説する. 【第3部 講演主旨】 LEDやパワーエレクトロニクス用途に使用されるGaN・SiCといった単結晶素材が次世代オプトメカトロニクス分野で注目を集めている。困難と言われたこれらの単結晶素材の成長技術が近年飛躍的に向上し、アプリケーションの実用化に向け期待感が一気に高まっているためである。本講演では、GaN・SiC基板の量産化を目指した加工技術開発の最前線について、筆者らの取組を中心に紹介する。
価格情報
57750 9月3日まで【早期割引価格】】1社2名まで54,600円(税込、テキスト費用を含む)
価格帯
1万円 ~ 10万円
納期
2・3日
用途／実績例
第1部 SiCウェハ加工技術における切断・研削・精密研磨と評価のポイント 【11:00-12:15】 講師: (独)産業技術総合研究所 第2部 オプトメカトロニクス単結晶の精密研磨技術 –GaN・SiC基板の量産化研磨加工技術を目指して 【13:00-14:15】 講師: 並木精密宝石(株) 第3部 触媒表面基準エッチング法を用いたSiC・GaN基板の研磨技術と平坦化技術 【14:30-15:45】 講師: 大阪大学
企業情報
弊社は、化学、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品、建材など、幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために、「セミナー企画」に始まった事業領域を「講師派遣」「出版企画」「技術コンサルタント派遣」「動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサルティング」といった様々な事業形態(新事業)に展開することで、ここまで企業を発展させ、新たな市場を開拓してきました。AndTechはこれからも、クライアントの声に耳を傾け、クライアントが望む事業領域・市場に進出して、共に悩み、共に考え、共に道を切り拓く企業として、クライアントに愛される意味を見失わないことをお約束いたします。
