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多様な解析手法と適宜対応で製品の品質向上に役立つサービスをご紹介
当社では、他社の製品サンプルを含め、様々な不良に対する詳細な不良解析サービスを行っております。 広範囲に及ぶ多様な解析手法を用いて、不良の原因を詳細に調査します。 FTIR（フーリエ変換赤外分光法）などの専門的な材料解析技術を利用し、材料自体の問題や不具合を特定することも可能です。 また、必要に応じて工業試験所などの外部設備を利用し、社内設備で対応できない特殊な解析も可能です。 依頼内容や製品の状況を詳細に伺った上で、特に不良が発生しやすいと予測される部分を集中的に解析します。 【サービス事例】 ■LED製品解析 ■ワイヤーボンド接合部解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
