STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
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基本情報
●表面を保護するサンプリング法により、端子表面の付着物層(20nm程度)が損失なく確認可能 ●EDS分析結果より、付着物の主成分はC(炭素)、O(酸素)であるため接点不良は有機物汚染によるもの判断 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください
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企業情報
セイコーフューチャークリエーション株式会社は受託分析サービス、研究開発、生産技術、FAシステムを中核とした事業を行い、お客様の課題解決に向けた各種サービスを提供します 受託分析に関しては セイコーグループの開発、製造、品質保証の各工程での課題解決実績 があり、各種場面で背景まで想定し総合的な対応が可能です 時計やICを主としてプリンター関連などでの豊富な分析経験実績からミリオーダー～ナノオーダーサイズサンプルを取り扱えます 特に以下技術でお客様の課題解決に”多面的且つ総合的”に取り組みます ・集束イオンビーム装置（FIB）を使った微細加工 ・示差走査熱量計（DSC）他による材料性質の熱分析 ・走査型プローブ顕微鏡（AFM）他による微小部形態観察 ・各種装置（XPS、AES、GD-OES）による表面解析 ・各種装置（SEM、TEM）による断面観察、構造解析 技術者が直接相談対応いたします お困りごとがあればお気軽にお声がけいただければ幸いです ※セイコーフューチャークリエーション株式会社は2022年7月1日にセイコーアイ・テクノリサーチ株式会社から社名を変更しました