半導体材料『酸化ガリウム』
日本発の新しい半導体材料！世界中の研究・開発機関へ優れた材料を届けます
『酸化ガリウム』は、融液成長法でバルク結晶の製造を行うため、 高速な成長が可能な半導体材料です。 気相成長法でバルク結晶を製造するGaNやSiCと比べ、基板の低コスト化が 可能とされています。 また、絶縁破壊電界強度がGaNやSiCより大きいことが予測されており、 スイッチング損失を小さく保ったまま、6000V以上の大きな耐圧を持つ パワーデバイスを作製できることが期待されています。 【特長】 ■低コストでバルク単結晶の製造が可能 ■GaNやSiCを超える高耐圧パワーデバイスの可能性 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 本社
- 価格：応相談
