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セラミックスを超える高熱伝導！シリコン並みの低熱膨張を実現！
SiCセラミックスと金属シリコンを複合することにより、セラミックスを超える高熱伝導とシリコン並みの低熱膨張を実現しました。 SiCやAlNを超える熱伝導率！ 複合比率を変更することにより、さまざまな特性を実現できます。 表面処理（めっき）が可能で、静電チャックにも使用可能です。 セラミックスよりも大型化が可能です。 SiCとアルミの組み合わせもラインナップしてます。 ●●●詳しくはPDFカタログを参照ください。●●●
セラミックス基板に薄膜集積回路パターンを形成します。
アルミナ純度99.9%を用いることで、次世代無線通信システムに必要とされる30GHz帯域動作を可能にする、微細回路パターン (line/space=30um/30um) を提供します。 【薄膜集積回路】 各種セラミックス基板に集積回路をパターニンング致します。 ●サイドパターン(0.3t以上)、AuSn半田パターンの形成が可能 ●導体、薄膜抵抗、薄膜インダクタの同時搭載可能 ●独自の99.9%アルミナ基板とファインパターンの組合せにより高周波帯域での低誘電損失・低雑音の回路形成が可能 ●基板材料として、窒化アルミニウム(ALN)基板、石英基板なども対応 【高品位アルミナ基板】 ●緻密 ●３点曲げ強度が660MPaと大きく、従来品の約2倍 ●電気的な特性が良く、高周波帯域での誘電損失が小さい
マイクロ波帯でも損失の少ないセラミック基板から薄膜パターン形成まで一貫生産。試作から量産まで高品質の製品を低価格・短納期で提供。
各種スルーホール加工、スリット加工された基板上に回路形成した薄膜集積回路部品を提供いたします。 【特徴】 ○サイドパターン（0.38t以上）、AuSn半田パターンの形成 ○導体、薄膜抵抗、薄膜インダクタの同時搭載 ○独自の99.9%アルミナ基板とファインパターンの組合せにより高周波帯域での低損失・低雑音の回路形成が可能 ○基板材料：窒化アルミニウム基板（AlN基板）、石英基板等 ○基板メーカーだから出来るトータルな技術開発・品質保証・問題解決 ○製品機能、仕様に応じた品質を提供し、短納期・設計変更にも迅速に対応致します。 その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。
AlN(窒化アルミ)基板、Al2O3(アルミナ)基板などをご用意！
当社で提供する「AlN基板・Al2O3基板」を紹介いたします。 放熱性、絶縁性に優れるAlN基板を製造量中国No.1のメーカーより仕入れており、日本でも実績は多数ございます。 熱伝導率が200W/m・k、230W/m・kのAlN基板も提供可能、レーザー加工なども相談可能です。 また、リードタイムもお届けまで4週間程度と短くなっています。 【ラインアップ】 ■AlN(窒化アルミ)基板(170W/m・k～230W/m・k) ■96％ Al2O3(アルミナ)基板 ■99.6％ Al2O3(アルミナ)基板 ■AlN(窒化アルミ)各種成形品 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
