高電流容量を実現したTO-251MOSFET
48Vバッテリーのハイサイドスイッチに最適!
INJ0D10AH2は、高許容損失パッケージにPch MOSFETを搭載し、大電流・高負荷用途に対応したMOSFETです。TO-251パッケージは、基板への挿入実装が容易で、修理・交換にも適しています。さらに、ヒートシンクや放熱板との組み合わせにより、高い放熱性と柔軟な熱設計を実現できます。
- 企業:イサハヤ電子株式会社
- 価格:応相談
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48Vバッテリーのハイサイドスイッチに最適!
INJ0D10AH2は、高許容損失パッケージにPch MOSFETを搭載し、大電流・高負荷用途に対応したMOSFETです。TO-251パッケージは、基板への挿入実装が容易で、修理・交換にも適しています。さらに、ヒートシンクや放熱板との組み合わせにより、高い放熱性と柔軟な熱設計を実現できます。