48Vバッテリーのハイサイドスイッチに最適！
INJ0D10AH2は、高許容損失パッケージにPch MOSFETを搭載し、大電流・高負荷用途に対応したMOSFETです。TO-251パッケージは、基板への挿入実装が容易で、修理・交換にも適しています。さらに、ヒートシンクや放熱板との組み合わせにより、高い放熱性と柔軟な熱設計を実現できます。
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基本情報
【製品特性】 INJ0D10AH2(TO‐251) VDSS=‐60V、ID=－17A、RDS(on)=50mΩ 【他社情報】 2SJ598、H7P0601DL、STU10P6F6、NTD20P06L-1G、TSM680P06CH
価格帯
納期
用途／実績例
バッテリー(ハイサイドスイッチ)、産業機器、制御盤、DCモーター制御
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企業情報
イサハヤ電子は、1973年から小信号トランジスタの生産を開始し、培ってきた半導体技術をゲートドライバやDC/DCコンバータの設計技術へと進化させてきました。 近年では更に、カーボンニュートラルの一翼を担うべく、高効率、高力率の電源技術開発に力を入れております。 （三相PFC、1500V入力対応DC/DCコンバータ、双方向コンバータ等） 一方、多様なニーズに応えるべく、小信号トランジスタも高機能化、複合化と進化を遂げ、高耐圧・大電流トランジスタ、MOSFET、アナログICのラインアップを拡大しております。
