ZnGa2O4ナノ粒子薄膜による放射線センシング
薄膜化ワイドギャップ半導体でリアルタイム放射線センシングを実現
ワイドギャップ半導体のZnGa2O4をナノ粒子化し、薄膜成形が可能な技術です。 透明性・柔軟性のある薄膜のため、デバイスへの応用性が高く、 ZnGa2O4の短波長紫外線からX線までを検出する特性により、 リアルタイム放射線センシングへの応用が可能です。 特徴 ■透明性が高く、既存光学系との親和性に優れる ■簡便・安価・安全・大面積・フレキシブル基板へ成膜可能 ■X線を直接電気信号へ変換できるため、高速応答を実現
- 企業：株式会社信州ＴＬＯ
- 価格：応相談
