薄膜化ワイドギャップ半導体でリアルタイム放射線センシングを実現
ワイドギャップ半導体のZnGa2O4をナノ粒子化し、薄膜成形が可能な技術です。 透明性・柔軟性のある薄膜のため、デバイスへの応用性が高く、 ZnGa2O4の短波長紫外線からX線までを検出する特性により、 リアルタイム放射線センシングへの応用が可能です。 特徴 ■透明性が高く、既存光学系との親和性に優れる ■簡便・安価・安全・大面積・フレキシブル基板へ成膜可能 ■X線を直接電気信号へ変換できるため、高速応答を実現
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基本情報
ZnGa2O4とは ■ワイドギャップ半導体（Eg=4.8~5.2 eV）であり、化学的・熱的・機械的に安定で、高い放射線耐性を有する ■短波⾧紫外線からX線までを単一材料で検出可能 ■水熱合成法による、ナノ粒子を合成法を確立済 ※「関連リンク」をクリックすると技術内容の詳細をご覧いただけます。 リンク先のページ内では、技術カタログの無料ダウンロードも可能です。 技術の詳細に関するお問い合わせや、大学技術との連携による製品開発のご要望につきましては、 「Webからお問い合わせ」よりお気軽にご連絡ください。
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用途／実績例
【検証実験１】 Ｘ線検出素子の対電極間に1Vの電圧を印加し、Ｘ線を低線量率から順に間欠照射し、応答性を検証 ⇒Ｘ線リアルタイムイメージングが可能なレベルの応答性・変換式を確認した 【検証実験２】 9区画からなるＸ線検出材料の一部を「鉛板で遮蔽した 状態」でX線を照射、検出 ⇒変換式により算出された線量率を基に、空間分布をヒートマップとして可視化する事ができた
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企業情報
創業以来、様々な企業の事業化支援を行ってきました。 大学等で開発された技術の事業化、補助金を活用した新規事業の立ち上げなど、豊富な経験と実績があります。 御社の製品／技術開発／研究に適した、研究者や技術シーズをご紹介いたします。 ぜひ、お気軽にお問い合わせください。
