放射光トポグラフィーによる欠陥評価
高い分解能で4インチ～6インチの大口径ウェーハ全面の欠陥評価を非破壊で可能！
当社で行う「放射光トポグラフィーによる欠陥評価」について ご紹介します。 SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、 素子特性に大きな影響を与えます。 当評価により、高い分解能で4インチ～6インチの大口径ウェーハ全面の 欠陥評価を非破壊で行うことが可能です。 【特長】 ■各種の結晶欠陥を数μmの解像度で可視化することが可能 ■ラボ装置では検出できない、貫通刃状転位(TED)の検出が可能 ■欠陥の種類、分布を評価することが可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：東芝ナノアナリシス株式会社
- 価格：応相談
