レポート サムソンメモリーセルのプロセス比較レポート
20nm class DRAMと0nm class 2Gb DDR3DRAMのセル構成を比較したレポートです。
「Samsung 20nm class 3GB(6x4Gbit) LPDDR3」の構造解析を再構成したものです。 主な目的は20nm class DRAMとそれの一世代前の30nm class 2Gb DDR3 DRAMのセル構成を比較するものです。（20nm classは単に”2X nm”と指定されています。） 【特徴】 ■6つの2X nm class4GBを使用しているチップ ■一つのパッケージ内に3チップスタック・2セットが対称に構成 ■パッケージの厚さ：6つのダイ構成で0.8mm その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
- 企業：テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）
- 価格：応相談
