20nm class DRAMと0nm class 2Gb DDR3DRAMのセル構成を比較したレポートです。
「Samsung 20nm class 3GB(6x4Gbit) LPDDR3」の構造解析を再構成したものです。 主な目的は20nm class DRAMとそれの一世代前の30nm class 2Gb DDR3 DRAMのセル構成を比較するものです。（20nm classは単に”2X nm”と指定されています。） 【特徴】 ■6つの2X nm class4GBを使用しているチップ ■一つのパッケージ内に3チップスタック・2セットが対称に構成 ■パッケージの厚さ：6つのダイ構成で0.8mm その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
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基本情報
【目次】 Executive Summary Device Summary Process Summary 1.0 Package and Die Markings 2.0 Process 3.0 Layout and Structural Analysis of the Memory Cell 4.0 Critical Dimensions 5.0 Major Findings 6.0 Materials Analysis その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
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【用途】 ○構造解析レポートとして ※詳細は資料請求して頂くか、ダウンロードからPDFデータをご覧下さい。
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