熱CVD装置
最高900℃の加熱制御が行えるホットウォール式の熱CVD装置
ホットウォール式の熱CVD装置です。最高900℃の加熱制御が行えます。 石英ガラス等の管状炉になっています。 化合物半導体のエピタキシャル成長など、純度を重視するプロセスに利用できます。 直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。 ◆詳しくは 製品カタログ（PDFダウンロード）をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 関連リンクからも製品カタログをご覧いただけます。
- 企業：株式会社日本シード研究所
- 価格：応相談
