最高900℃の加熱制御が行えるホットウォール式の熱CVD装置
ホットウォール式の熱CVD装置です。最高900℃の加熱制御が行えます。 石英ガラス等の管状炉になっています。 化合物半導体のエピタキシャル成長など、純度を重視するプロセスに利用できます。 直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。 ◆詳しくは 製品カタログ（PDFダウンロード）をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 関連リンクからも製品カタログをご覧いただけます。
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基本情報
・有効エリア ヒータ中央から±200mm(炉外径φ100mm仕様) ・バッチ式 ・MV仕様 (0.1 Pa以下) ・ホットウォール式
価格帯
納期
用途／実績例
【導入分野】研究開発、試作品開発 化合物半導体のエピタキシャル成長など、先端技術デバイスの研究・開発に活躍しています。 直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。 ◆詳しくは 製品カタログ（PDFダウンロード）をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 関連リンクからも製品カタログをご覧いただけます。
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企業情報
研究開発向けオーダーメイドの真空装置・機器の製作を得意としています。 オリジナル製品をはじめ、各種規格部品、メーカー製品を取り扱っております。 真空装置・機器の改造・修理・オーバーホール・移設など、ご要望をヒアリング、納得いただける提案をいたします。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。