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IGBTに対してEOS破壊とESD破壊による故障再現実験を実施！解析手順などをご紹介
当資料は、半導体デバイスの電気的破壊試験と故障解析について ご紹介しております。 「非破壊解析」では、X線透視や超音波探傷などを写真を用いて解説。 この他にも、「電気的特性」では図表と共にご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■本発表の目的 ■サンプルについて ■解析手順 ■EOS破壊サンプルの作製 ■外観と電気的特性の測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
寿命10年を想定した場合、試験デバイスのゲート電圧を、20V以下で使用することが必要
当社で行う、TDDB(酸化膜破壊)試験をご紹介いたします。 半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ 酸化膜の破壊が発生します。 これを酸化膜破壊(TDDB：Time Dependent Dielectric Breakdown)といい、 半導体の寿命や信頼性を考える上で、最も重要な要因のうちの一つです。 このTDDB試験においては、電圧加速による寿命試験を行います。 【特長】 ■複数電圧やドレイン-ソース電圧印加、ゲート-ソース電圧印加なども可能 ■恒温槽に入れて、温度加速と組み合わせて試験を行うことも可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
