IGBTに対してEOS破壊とESD破壊による故障再現実験を実施！解析手順などをご紹介
当資料は、半導体デバイスの電気的破壊試験と故障解析について ご紹介しております。 「非破壊解析」では、X線透視や超音波探傷などを写真を用いて解説。 この他にも、「電気的特性」では図表と共にご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■本発表の目的 ■サンプルについて ■解析手順 ■EOS破壊サンプルの作製 ■外観と電気的特性の測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【その他の掲載内容(抜粋)】 ■非破壊解析(1) X線透視 ■非破壊解析(2) 超音波探傷 ■開封と外観観察 ■断面研磨(断面観察) ■FE-SEM/EDSによる断面解析 ■EOS破壊試験のまとめ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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設立から今日まで、不良ゼロの実現を目指す現場の声に応えるために、信頼性試験・不良解析・再現実験と同時に、現場改善などの問題に取り組んでまいりました。 また、従来の基板や実装問題だけにとどまらず、現在では製品全般の品質保証、工場内部の検査工程や海外部品調達をはじめ、国内外の工場調査・工場改善までトータルにサポートしております。 私たちクオルテックが目指すのは、お客様にとって最良のビジネスパートナーになることです。