【エッチング装置/アッシング装置部品の保護膜に】Y5O4 F7膜
Y5O4 F7膜は表面フッ素量変化が小さいのでエッチング装置のエージング時間を大幅に短縮できます。透過率特性も優れています。
半導体製造工程の一つであるドライエッチングプロセスにおいてウェハ処理を行うと、プロセスガス自体からの生成物やエッチング時の副生成物がチャンバ内壁やチャンバ内のパーツ表面に付着するといった現象が発生すします。これら堆積物の付着によってプロセスの初期と処理後のチャンバ内表面状態が変化することにより、プロセス条件の変動が発生します。このようなプロセス条件の変動を緩和するため、従来技術では製品処理前に類似ウェハを処理して堆積物をコーティングすることによってチャンバ内表面状態を安定させる手法（エージング）が適用されていました。Y5O4 F7膜はY2O3膜に比べてプラズマ処理前後の表面フッ素量変化が小さいのでエッチング装置のエージング時間を大幅に短縮し、装置稼働時間を上げることに寄与します。
- 企業：つばさ真空理研株式会社 横浜ラボラトリー
- 価格：100万円 ~ 500万円
