1～5 件を表示 ／ 全 5 件
様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能！マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定！
半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が 測定できます。 【特長】 ■マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定 ■高周波デバイス特性のスタンダード測定装置 ■ホール効果による測定結果との高い相関性 ■マルチキャリア・モデリングオプション ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現！
世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です。
裏面や内層材の影響を受けずに銅の膜厚を測定
【SR-SCOPE DMP30】は、プリント回路基板上の銅の厚さを迅速かつ高精度に非破壊で、基板裏面にある銅層の影響を受けずに測定することができる電気抵抗式の膜厚測定器。堅牢で近代的な新しいデザイン、デジタルプローブと新しいアプリケーションソフトウェアにより、プリント基板表面の銅の膜厚測定に好適。保護等級IP64のアルミ製の筐体、落下などから筐体を保護するソフトバンパー、強化ガラスの液晶ディスプレイを搭載した頑丈な筐体を採用。また、光・音・振動による上下限値設定時のフィードバック通知機能、交換可能なリチウムイオンバッテリー、USBまたはBluetoothによるPC通信を可能としてデータ転送や測定値評価など、数多くの機能を搭載。 ※詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問合せください。
![[フィッシャー・インストルメンツ]SR-SCOPE.jpg](https://image.mono.ipros.com/public/product/image_sub/922/1766356/IPROS42036437814517654800.jpeg?w=280&h=280){kind=small}
100V電源仕様！次世代パワーデバイス等の評価に新たな測定ソリューション！
当社では、どこでも・誰でも・簡単に高温環境下の交流ホール効果測定が できる『HALS-H II』を取り扱っております。 本製品は、パワー半導体材料や、太陽電池材料、ガスセンサー材料など、 半導体材料の基礎特性評価にご利用いただけます。 ご要望の際はお気軽にお問合せください。 【特長】 ■低価格 ■高性能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を提供
『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに 酸化膜やウェハーの電気特性を得ることが可能。プロセスモニタリングによる 素早いフィードバックやR&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を 提供します。 【特長】 ■水銀プローブにより電極の形成が不要 ■抜群の再現性 ・ショットキー：0.3％(1σ）／MOS：0.1％(1σ） ■ウェハー面内のマッピング可 ■新開発水銀交換機構により安全かつ容易な水銀交換が可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
