【分析事例】分子動力学計算によるGa含有プリカーサーの蒸気圧計算
ALD、CVDのプリカーサーに用いられる金属錯体の蒸気圧予測に有効！
ALD（原子層堆積法）は高アスペクト比の構造に対しても原子層レベルで均一な成膜が可能なため、 半導体の微細化・複合化・細線化に有用な方法として着目されています。 成長表面における「原料（プリカーサー）の吸着飽和を利用した気相プロセスによる成膜方法であるため、 基板へのプリカーサーの被覆率、成膜レートを向上させるためには、 高い蒸気圧を持ったプリカーサーが求められています。 本資料では分子動力学計算により種々のGa含有プリカーサーの蒸気圧を予測し、実験値と比較しました。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
